CO2激光局域辐照对熔石英损伤特性的影响

研究了CO₂激光局域辐照对熔石英损伤特性的影响, 发现当辐照中心温度较低时(1139 K), 辐照对损伤阈值没有明显影响, 但辐照中心温度较高时(1638 K), 辐照对损伤阈值有明显的影响, 损伤阈值随距离辐照中心间距的增大而减小, 在残余应力产生光程差最大处附近, 损伤阈值降到最小, 随着与辐照中心间距的进一步增加, 损伤阈值略有上升. 对导致此现象的原因做了分析. 由于残余应力的存在, 在辐照中心发生再损伤产生的裂纹后, 裂纹先沿径向扩展, 在残余应力产生光程差最大处附近, 裂纹转而向切向扩展, 这可能与径向和环向张应力随半径的变化有关. 在采用热处理炉退火消除残余应力时, 必须注意元件的洁净处理, 否则退火会出现析晶现象, 对损伤阈值和透射率造成不良影响. 关键词： 2激光局域辐照')" href="#">CO₂激光局域辐照 熔石英 损伤特性     

光纤CAN网络节点数计算方法

为电动汽车通信网设计了一种中继型节点的光纤CAN(Fibre--CAN)环型总线网络．采用塑料光纤(POF)作为传输介质，用波长为660nm的红光光电收发器件实现光电转换．在对中继型节点的传输延迟进行详细的分析后，结合CAN协议定义的位周期，给出了基于传输延时的网络最大节点数的计算方法．并对该方法进行了实验验证，实验结果与理论计算具有良好的一致性，表明该方法的有效性．     

关于S-闭迹的最小度的充分条件

图G的S-闭迹指过G的所有顶点的一条闭迹。本文证明了:如果G是一个p阶的、2-边-连通简单图,其最小度δ(G)≥max{(p-4)/5,4},那么G有S-闭迹;且这个下界为最好的,从而证明了Bauer的一个猜想。     

双谱线光强法测试单色器带宽

提出了用同一空心阴极灯发出的两根邻近的任意强度比的谱线测试原子吸收分光光度计的单色器的通带宽度的方法。     

论Ore图的泛连通性

符合Ore条件的简单图称为Ore图,Ore条件指图的两个不相邻的顶点的度数之和不小于图的顶点数。本文搞清了Ore图的泛连通性,同时得到了Ore图的点(边)泛圈性的结果,推广了Bondy的一个结论。     

乙酸乙烯酯活性的测定方法

在高分子物的聚合过程中,尽管在同一条件下进行聚合,但由于单体纯度不同,所获得的聚合体性能往往各不相同。确定单体的纯度是否符合使用的要求,最简便而可靠的方法是测定其活性。测定活性的方法繁多,但一般往往要求专门的特殊设备,或规定完全除去单体中的稳定剂,花费的时间较长。本文所介绍的方法较为简单,卽以测定单体聚合时显示出诱导期     

ZrO2/SiO2溶胶-凝胶薄膜膜层间的渗透行为

 分别以丙醇锆和正硅酸乙酯为原料，采用溶胶-凝胶工艺制备了性能稳定的ZrO₂和SiO₂溶胶。用旋转镀膜法在K9玻璃上分别制备了单层SiO₂薄膜、单层ZrO₂薄膜、ZrO₂/ SiO₂双层膜和SiO₂/ZrO₂双层膜。采用原子力显微镜观察了薄膜的表面形貌，用椭偏仪测量薄膜的厚度与折射率，用紫外-可见光分光光度计测量了薄膜的透射率。对薄膜的透射光谱和椭偏仪模拟的数据进行分析，发现SiO₂/ZrO₂双层膜之间的渗透十分明显，而ZrO₂/SiO₂双层膜之间几乎不发生渗透。利用TFCalc模系设计软件,采用三层膜模型对薄膜的透射率进行模拟，得出的透射曲线与用紫外-可见光分光光度计测量的透射曲线十分符合。     

熔石英亚表面划痕激光诱导损伤阈值实验研究

 用原子力显微镜和光学显微镜观测酸蚀后熔石英亚表面划痕，并根据形貌特征将其分为Boussinesq-point-force crack(BPFC)、Hertzian-conical scratch(HCS)和Plastic indent(PI)三类，测试了各类划痕的损伤阈值，讨论了激光损伤机制。结果表明锐度较大的BPFC损伤阈值不超过2.0 J/cm<>2；深度小于1 μm的 HCS阈值可达2.6 J/cm²；形变较大的PI阈值至2.8 J/cm2，形变较小的PI的激光损伤阈值与无缺陷材料相当。BPFC 和深度超过1 μm的HCS是导致熔石英损伤阈值低的主要因素。     

Preparation of p-type ZnO:(Al, N) by a combination of sol--gel and ion-implantation techniques

We report the preparation of p-type ZnO thin films on (0001) sapphire substrates by a combination of sol--gel and ion-implantation techniques. The results of the Hall-effect measurements carried out at room temperature indicate that the N-implanted ZnO:Al films annealed at 600\du\ have converted to p-type conduction with a hole concentration of $1.6\times10¹⁸cm^-3, a hole mobility of 3.67cm²/V.s and a minimum resistivity of 4.80cm.\Omega$. Ion-beam induced damage recovery has been investigated by x-ray diffraction (XRD), photoluminescence (PL) and optical transmittance measurements. Results show that diffraction peaks and PL intensities are decreased by N ion implantation, but they nearly recover after annealing at 600\du. Our results demonstrate a promising approach to fabricate p-type ZnO at a low cost.     

物理法和化学法制备的单层ZrO2膜的激光损伤行为差异

 分别采用电子束热蒸发技术和溶胶-凝胶技术在K9基片上镀制了光学厚度相近的ZrO₂单层薄膜,测试了两类薄膜的激光损伤阈值。分别采用透射式光热透镜技术、椭偏仪、原子力显微镜和光学显微镜研究了两类薄膜的热吸收、孔隙率、微观表面形貌、激光辐照前薄膜的杂质和缺陷状况以及激光辐照后薄膜的损伤形貌。实验结果表明：两类薄膜的不同损伤形貌与薄膜的热吸收与微观结构有关， 物理法制备的ZrO₂膜结构致密紧凑，膜层的杂质和缺陷多；化学法制备的ZrO₂膜结构疏松多孔，膜层纯净杂质少，激光损伤阈值达26.9 J/cm²；因物理法制备的ZrO₂膜拥有更大的热吸收(115.10×10^-6)和更小的孔隙率(0.20)，其激光损伤阈值较小(18.8 J/cm²)，损伤主要为溅射和应力破坏，而化学法制备的ZrO₂膜的损伤主要为剥层。理论上对实验结果进行了解释。