ICP-AES法测定钛基钎料中的铍和钙

介绍了应用电感耦合等离子体发射光谱技术（ICP-AES），测定钛基钎料中Be和Ca的方法。研究了钛基钎料中基体及主量元素对铍和钙光谱干扰、基体效应情况，选定了铍和钙元素的分析线，研究了仪器工作参数对测量的影响。优化仪器工作条件，标准加入回收率为98％-102％，相对标准偏差〈3％，试验结果表明，方法可以满足钛基钎料的测定要求。     

粮食中微量硼的极谱测定

在pH 4.0的邻苯二甲酸氢钾溶液中,硼与铍试剂(Ⅲ)生成配合物于电位-0.45V(vs.SCE)能产生一灵敏稳定的极谱波,波形尖锐,波高与硼浓度在0.005～0.5μg·ml~(-1)范围内呈良好线性关系,检出限达0.001μg·ml~(-1)。该方法用于粮食中微量硼的测定,回收率在98％～104％,与ICP—AES的分析结果一致。     

电感耦合等离子体发射光谱法测定镁合金中铝锌锰硅铁铜镍铍锆

考察了镁合金光谱标准样品中多元素连续测定的电感耦合等离子体发射光谱方法，通过分析的优化遴选，建立了精确度良好的高至常量组分、低至痕量组分的检测步骤和仪器的不同工作模式，可满足镁和镁合金系列光谱标准样品的分析需要。     

电感耦合等离子体原子发射光谱法测定氟铍酸铵中的杂质元素

采用电感耦合等离子体原子发射光谱法测定氟铍酸铵中的8种主要杂质元素。以超声辅助溶解样品,然后用电感耦合等离子体原子发射光谱法测定氟铍酸铵中的钠、镁、铝、铬、铁、镍、铜、磷等8种杂质元素,8种元素线性相关系数均大于0.999,测定结果的相对标准偏差为0.65%~1.55%(n=6),检出限在0.2~19.1μg/L之间,定量范围满足氟铍酸铵中8种杂质元素的限量要求。磷的加标回收率为76.7%,其余7种杂质元素的加标回收率在80.9%~95.1%之间,测量准确度满足分析要求。将电感耦合等离子体原子发射光谱法和电感耦合等离子体质谱法进行了比较,两种方法测定结果基本一致。     

膜去溶-电感耦合等离子体质谱法测定高纯氟化铍中痕量稀土元素

建立了膜去溶与电感耦合等离子体质谱联用法（MD-ICP-MS）测定高纯氟化铍（BeF₂）中的稀土元素,比较研究了冷雾化湿法与膜去溶干法进样技术在痕量稀土元素分析中的应用。在优化膜去溶装置参数后,MD-ICP-MS显著提高了元素的分析灵敏度,Ce的信号强度显著增加约5倍;CeO⁺/Ce⁺下降了约2个数量级,变化范围降在0.013%～0.019%之间。通过酸纯化器对本底进行了严格的控制,MD-ICP-MS的检出限范围为0.2～2.6 ng/L。对高纯BeF₂进行了分析,除了含量极低的稀土元素,ICP-MS与MD-ICP-MS法测定稀土元素的相对偏差均在5%以内。MD-ICP-MS的加标回收率在92.4%～105.2%之间。该方法可为高纯BeF₂中痕量稀土元素提供分析支持。     

ITER第一壁铍铜连接部件在高热负荷作用下的热性能分析

对ITER屏蔽包层第一壁板铍铜连接件在高热负荷作用下的传热性能进行了分析,模拟了第一壁铍铜连接手指部件的热应力和热应变,得到其对应的热疲劳寿命。计算结果表明,在局部4.7MW×m^-2高热负荷作用和ITER水冷条件下,现有设计方案中的铍铜连接件的热性能和热疲劳性能均满足设计要求。     

P-BN/n-Si Heterojunction Prepared by Beryllium ion Implantation

A boron nitride （BN）/silicon p-n heterojunction is fabricated by implanting beryllium （Be） ions into the BN films deposited by rf sputtering on n-type Si （111） substrates. The FTIR observations indicate that the films deposited have a mixed phase composition of 8p^2 - and sp^3 -hybridized BN. Considering the thickness of the BN layer, the ion implantation is conducted at an ion energy of 100keV with the dose of 5×10^15 cm^-2. After annealing at a high temperature, the surface resistance of the BN film decreases significantly by 6 orders down to 1.2×10^5Ω. Space-charge-limited current characteristic, which indicates the existence of shallow traps in the film, is observed. Current-voltage measurements across the BN film and the Si substrate reveal a clear rectification feature, demonstrating the achievement of p-type doping of BN films by Be ion implantation.     

Growth, Antimony Incorporation Behaviour and Beryllium Doping of GaAs1-ySby Grown on GaAs by Molecular Beam Epitaxy

A series of GaAs1-ySby epilayers are grown on GaAs substrates under antimony compositions of samples with beryllium doping are obtained different growth conditions. Different A non-equilibrium thermodynamics model is used to calibrate and fit the Sb composition. Activation energy of 0.37 eV for the dissociation process of Sb4 molecules is obtained. Carrier mobility and concentration of samples are influenced by the Sb composition. Quasi-qualitative analysis of mobility is used to explain the relations among Sb composition, carrier mobility and concentration. High resolution x-ray diffraction （HRXRD） rocking curves and Hall effects measurements are used to determine the crystal quality, carrier mobility and concentration.     

ICP-AES测定铝合金中Mg、Be、Mn、Mo、Fe、Ti、Si和Zn

采用ICP-AES同时测定铝合金中合金元素和杂质元素,优化ICP光谱仪的工作条件,测定回收率96%-106%.RSD 0.28%-6.26%,结果令人满意.     

镁合金中Si、Fe、Cu、Zn、Mn、Ni、Be、Al的光电光谱分析

本文报道了用光电直读光谱法测定镁合金中8种元素的方法,对光源的激发方式及操作参数进行了选择,该法简便,快速,准确度,精密度高,完全可以代替繁杂的化学分析,结果令人满意。