全文获取类型
收费全文 | 915篇 |
免费 | 320篇 |
国内免费 | 520篇 |
专业分类
化学 | 912篇 |
晶体学 | 48篇 |
力学 | 33篇 |
综合类 | 36篇 |
数学 | 136篇 |
物理学 | 590篇 |
出版年
2024年 | 13篇 |
2023年 | 53篇 |
2022年 | 44篇 |
2021年 | 48篇 |
2020年 | 36篇 |
2019年 | 53篇 |
2018年 | 63篇 |
2017年 | 67篇 |
2016年 | 52篇 |
2015年 | 64篇 |
2014年 | 86篇 |
2013年 | 78篇 |
2012年 | 72篇 |
2011年 | 85篇 |
2010年 | 92篇 |
2009年 | 89篇 |
2008年 | 97篇 |
2007年 | 93篇 |
2006年 | 82篇 |
2005年 | 54篇 |
2004年 | 59篇 |
2003年 | 54篇 |
2002年 | 22篇 |
2001年 | 23篇 |
2000年 | 23篇 |
1999年 | 23篇 |
1998年 | 22篇 |
1997年 | 12篇 |
1996年 | 15篇 |
1995年 | 9篇 |
1994年 | 16篇 |
1993年 | 19篇 |
1992年 | 17篇 |
1991年 | 20篇 |
1990年 | 19篇 |
1989年 | 6篇 |
1988年 | 13篇 |
1987年 | 6篇 |
1986年 | 10篇 |
1985年 | 7篇 |
1984年 | 6篇 |
1983年 | 13篇 |
1982年 | 5篇 |
1981年 | 3篇 |
1974年 | 4篇 |
1973年 | 1篇 |
1966年 | 1篇 |
1964年 | 3篇 |
1959年 | 1篇 |
1958年 | 2篇 |
排序方式: 共有1755条查询结果,搜索用时 15 毫秒
21.
设A是R~n上的一个m阶可导函数,且D~λA∈Λ_β(0β1,|λ|=m),Ω(x,z)∈L~∞(R~n)×L~s(S~(n-1))(sn/(n-β))是零阶齐次函数且关于变量z满足消失条件.该文证明了广义高阶Marcinkiewicz积分交换子μ_Ω~A及其变形μ_Ω~A在Herz型Hardy空间的有界性. 相似文献
22.
采用角度磨抛的方式, 在纤芯/包层为20/400 μm双包层掺Yb光纤上制作了侧面抽运耦合器. 该耦合器对975 nm的半导体二极管抽运光的耦合效率最高可达97%, 对1080 nm信号光的泄漏比小于2%. 分析了侧面抽运耦合器的性能以及多个侧面抽运耦合器的级联分布对抽运耦合效率的影响; 同时, 在前向抽运和双向抽运方式下, 分析了级联耦合器的分布及信号光泄漏比对激光器整体效率的影响, 并进行了数值模拟. 采用自行研制的侧面抽运耦合器, 搭建了侧面耦合分布式抽运、掺Yb双包层全光纤主振荡功率放大器, 获得了波长为1080 nm、功率为303 W 的基模激光输出. 进一步增加抽运点个数, 提高抽运功率, 可获得更高的输出功率. 相似文献
23.
在雷云电场的缓慢作用下, 一种无流注的正极性辉光电晕在接地物体表面起始, 向周围空间注入大量正极性空间电荷, 从而改变雷电先导对雷击目的物的选择. 本文对雷云电场作用下起始于长地线表面的正极性辉光电晕放电进行了仿真研究; 考虑了正极性离子与其他离子的附着与碰撞作用, 建立了一种精确的二维正极性辉光电晕模型; 并通过在实验室内开展高压电晕放电试验, 测量了不同背景电场下的电晕电流; 与本文所建模型的仿真结果进行对比, 对模型的正确性进行了验证. 基于上述模型, 对正极性辉光电晕在雷云感应作用下的起始发展过程与电晕特性进行了仿真模拟, 得到了该电晕的电晕电流、正离子密度分布规律以及正离子迁移规律. 发现在雷云电场作用下, 电晕放电产生的正离子在迁移初期于垂直于地线的平面内基本呈圆对称状均匀分布, 但随着离子逐渐远离地线其分布不再均匀, 呈拉长的椭圆形分布, 多数离子最终分布于地线上方区域并逐渐向雷云方向迁移; 由于正离子在地线上方迁移区聚集形成的正空间电荷背景对行进电子束具有衰减和消耗作用, 抑制了电子崩的形成, 并降低了电子崩转化为流注的概率, 阻止了新的电子崩对流注的不断注入, 同时正空间电荷背景使气体的碰撞面增大, 增加了与电子的复合概率, 引起大量电子的消耗, 最终抑制了电子崩的形成与流注的发展, 地线表面的上行先导得到抑制. 相似文献
24.
在铜(Cu)和非晶铟镓锌氧化物(a-IGZO)之间插入30 nm厚的钼(Mo)接触层, 制备了具有Cu-Mo源漏电极的a-IGZO薄膜晶体管(TFT). Mo接触层不仅能够抑制Cu与a-IGZO有源层之间的扩散, 而且提高了Cu电极与玻璃基底以及栅极绝缘层的结合强度. 制备的Cu-Mo结构TFT与纯Cu 结构TFT相比, 具有较高的迁移率(~9.26 cm2·V-1·s-1)、更短的电流传输长度(~0.2 μm)、更低的接触电阻(~1072 Ω)和有效接触电阻率(~1×10-4Ω·cm2), 能够满足TFT 阵列高导互联的要求. 相似文献
25.
26.
27.
28.
荧光素汞在碱性条件下具有很强的荧光,H2S能与荧光素汞结合,使其荧光猝灭,据此建立了一种荧光法测定大鼠肠灌流液中H2S含量的方法。在0.1mol·L-1 NaOH溶液中,以Na2S作为H2S供体,荧光素汞浓度为5.0×10-5 mol·L-1,Na2S浓度为1.0×10-5 mol·L-1时,以498nm为激发波长,在522nm处测定此二元体系的荧光强度。结果表明,在4.0×10-7~2.0×10-6 mol·L-1范围内,H2S浓度与荧光强度的下降程度呈良好的负相关性,r=0.998 0,精密度实验RSD=4.59%(n=7),检出限3.5×10-8 mol·L-1,样品中H2S含量分别为1.01×10-6和1.15×10-6 mol·L-1,加标回收率为95.8%~101.0%。该方法操作简单,灵敏度高,稳定性好,可准确测定肠灌流液中H2S含量,为内源性H2S的测定提供了依据。 相似文献
29.
利用超快光谱技术系统研究了在丁胺包裹的CdSe量子点敏化的TiO2纳米晶薄膜起始时刻界面间电子转移动力学。与之前的报道不同,该实验结果表明:CdSe量子点经过表面修饰后,两相电子注入机制--热电子和冷电子注入得以被证实,即:电子能分别从CdSe量子点导带中高的振动能级和导带底转移到TiO2的导带。该机制详细描绘了电子在纳米界面间转移的图景。进一步研究发现:热电子注入的电子耦合强度(3.6±0.1 meV)比弛豫后的基态电子注入高两个数量级,基于Marcus理论,伴随着0.083 eV的重组能,冷电子注入的耦合强度值为~50 μeV。 相似文献
30.