硅表面聚苯乙烯自组装超薄膜的制备及摩擦磨损性能研究

研究了苯乙烯 -乙烯基三乙氧基硅烷共聚物在羟基化基片上的自组装行为及聚合物超薄膜的摩擦磨损性能 .结果表明 ,自组装聚合物薄膜的厚度和均匀程度取决于聚合物成膜溶液的浓度 .与空白基底相比 ,自组装膜修饰的基底在低载荷下同钢对摩时的摩擦系数更低 ,耐磨寿命更长 .因此 ,自组装聚合物薄膜可以作为低载荷下硅基材料的减摩抗磨防护层     

单电荷态钡离子超精细结构光谱

采用共线快离子束激光光谱学方法研究了钡离子亚稳态5d²D_3/2和激发态6p²P_3/2的超精细结构,并定出了相应的超精细结构常数. 关键词：     

金表面聚合物刷及图案化微结构的制备

采用表面引发室温原子转移自由基聚合(ATRP)方法在金基底上原位制备了接枝聚合物刷，其制备过程用厚度测量，ATR-FTIR，XPS等进行了表征，初始时聚合物刷的厚度随着聚合时间的增加线性增加，表现为活性聚合的特征．XPS表征证明表面引发聚合后聚合物刷末端仍然存在ATRP反应的引发剂．紫外光刻图案化的聚合物刷作为电沉积的模板，经电沉积、后紫外处理、湿化学刻蚀步骤后得到了分离的导电聚合物微阵列结构，通过浇注／粘附处理将导电聚合物微阵列转移至硅油弹性体片，由于导电聚合物在湿化学刻蚀中对基底金具有良好的保护作用，因此在导电聚合物阵列被转移后，基底表面得到金微阵列。     

用AFM研究阳极氧化铝的不稳定生长

用原子力显微镜(AFM)研究了多孔阳极氧化铝(AAO)模板的不稳定生长. 结果表明:AAO模板的不稳定生长导致了纳米孔道结构有序度的降低.在H₃PO₄溶液中生长的AAO模板孔道结构稳定性较差;而在H₂C₂O₄溶液中生长的AAO模板稳定性依赖于氧化电压和电流密度,在低电压和电流密度下稳定性较好,高电压和电流密度下稳定性较差. 充分利用这种不稳定生长特性,通过控制AAO模板的阳极氧化条件,可得到具有分枝孔道结构的特殊模板,这为利用模板法制备各种Y形或T形纳米线、管提供了新的发展空间.     

内部具有可移动金核的中空银纳米颗粒的制备、表征及其表面增强拉曼效应

采用振荡法和种子生长技术制备出核壳结构的Au@SiO2纳米颗粒及夹层结构的Au@SiO2@Ag纳米颗粒, 用HF将Au@SiO2@Ag NPs夹层的SiO2溶解, 得到内部带有粒径为30 nm的可移动金核、壳层厚度约为30 nm的中空银纳米颗粒(Au@air@Ag NPs). 用扫描电子显微镜和透射电子显微镜对所得到的纳米微球的形貌进行了表征, 并以罗丹明B为探针分子研究了Au@air@Ag 纳米颗粒的表面增强拉曼(SERS)效应, 发现Au@air@Ag 纳米颗粒是一种可应用于SERS的理想材料.     

OPTICAL ISOTOPE SHIFTS AND CONFIGURATION MIXING AT THE LEVEL (26772)011/2 IN Nd II

Optical isotope shifts in the transition 4f⁴5d ⁶I_11/2-(26772)⁰_11/2 of Nd II were measured by using collinear fast-ion-beam laser spectroscopy. The configuration admixtures of the previously unclassified (26772)⁰_11/2 level were quantitatively analyzed to be 4f⁴6p, 4f³5d², and 4f³5d6s with mixing probabilities of 13%, 85%, 2%, respectively.     

钴/氧化铝纳米有序阵列复合结构的光学特性研究

关键词：     

活性端基聚苯乙烯表面修饰膜的制备与摩擦学性能

以巯丙基三甲氧基硅烷为链转移剂 ,利用自由基聚合反应合成了三甲氧基硅烷封端的聚苯乙烯 ,研究了其在单晶硅基底上的自组装行为 ,并用红外、X射线光电子能谱、原子力显微等对膜进行了表征 .研究发现 ,聚合物的浓度大于 1mg mL时才能形成较完整的聚合物膜 ,均方根粗糙度低于 1nm ,自组装过程在 90℃时 1h内即可完成 .与空白基底相比 ,自组装聚苯乙烯膜具有良好的减摩抗磨性能 ,稳定摩擦系数为 0 12 .     

图案化自组装膜导向的电沉积

通过图案化自组装膜导向的电沉积制备了聚吡咯(PPy)微结构. 由微接触印刷方法制备图案化自组装膜并作为电沉积的模板. 研究发现, 自组装膜在导向电沉积中在不同的基底上具有不同的作用: 在十二烷基硫醇(DDT)、十八烷基硫醇(ODT)修饰的金基底上和十八烷基三氯硅烷(OTS)修饰的铟锡氧化物玻璃上(ITO), 电沉积主要发生在自组装膜未修饰区, 而在半导体单晶硅表面, PPy沉积在OTS修饰区, 是基底表面的导电性及PPy与基底表面基团相容性共同作用的结果.     

表面自由基链转移反应制备超萍聚合物膜

研究了通过自由基链转移反应原位接枝聚合物膜。所得聚合物膜经红外（FT- IR）、X射线光电子能谱（XPS）、原子力显微镜（AFM）、接触角及椭圆偏光测量 进行了表征。两种单体如苯乙烯/甲基丙烯酸甲酯共聚合时，改变单体对的组成， 可以得到不同亲水亲油性质的表面。