极值型风荷载作用下大型结构可靠性分析

研究了在极值型风荷载作用下大型结构的可靠性。结构的破坏以结构刚度矩阵奇异为依据，首先列举结构的主要破坏模式，其次利用增量载荷法求出的结构的安全余量方程，然后将极值型风荷载正态化，计算出各主要破坏模式的破坏概率，并用二阶窄界限理论计算大型结构的可靠性。最后以一大型输电塔为例进行了可靠性计算     

抗磨可靠性寿命的加速试验与预测

在工程实际中，对新机器零件的抗磨可靠性寿命进行评估或预测非常重要，但是，由于磨损是一种受多因素制约的随机过程，目前在实验室广泛采用的模拟磨损试验，不仅周期较长，而且预测误差也比较大。因此，提出了一种在保持磨损机相似的前提下合理选用高ＰＶ值的抗磨可靠性寿命加速试验的新方法。     

龙游牛场古地下洞室群岩柱的长期抗拉强度反演

在龙游县上畈村附近的牛场有一处由2个洞室组成的古地下洞室群。现场调查发现,在其中1号洞的岩柱1上出现了一条竖直的张开裂缝。据分析,这是上覆岩层对该岩柱施加过大荷载的结果,这一发现为本文研究岩体长期抗拉强度提供了条件。作者即以根据牛场古地下洞室群1号洞内岩柱1的拉裂现象为研究对象,根据最大拉应力论来反演岩体的长期抗拉强度。这不仅对长期强度研究具有理论意义,而且在古工程保护方面也具有应用价值。     

自紧身管临界裂纹尺寸的概率断裂力学研究

基于概率断裂力学理论和Mome Caflo模拟方法，本文进行了自紧身管临界裂纹尺寸的可靠性研究。自紧身管内表面的疲劳裂纹考虑为半椭圆形式。裂纹尖端处的应力强度因子由内压和自紧残余应力共同产生。自紧残余应力采用了符合身管材料具有强化和包辛格效应性能推导的公式计算，它产生的应力强度因子通过权函数方法得到。根据断裂准则，可计算出自紧身管的临界裂纹尺寸。实例分析表明，对数正态分布为临界裂纹尺寸的最佳分布，同时给出了在各种置信度和可靠度下自紧身管的临界裂纹尺寸。     

低温恒温器控制可靠性优化及分析

低温恒温器安全阀和爆破片动作引起的低温系统故障对ADS注入器II直线加速器的运行效率和维护成本造成了较大影响。自行研制的多路调节阀手动控制器在不改变现有低温控制系统的前提下,实现了低温恒温器回气阀的冗余控制。通过运用独立失效可靠性模型,定性和定量分析改造前后低温恒温器控制的可靠性变化,证明低温恒温器控制可靠性得到了提高。该技术路线对CiADS低温控制系统的可靠性设计有借鉴意义。     

研究人员提出华北平原氧化亚氮减排新举措

据悉,中科院成都山地所蔡延江博士采用静态箱-气相色谱法,在河南省封丘县对不同施肥制度下玉米-小麦轮作体系的氧化亚氮排放进行了观测研究。结果显示,将一半有机肥与一半无机肥氮配施,能有效降低我国华北平原农田土壤氧化亚氮的排放。相关成果发表在《大气环境》杂志上。据了解,氧化亚氮是排在二氧化碳、甲烷之后的第三大温室气体,其单分子增温潜势是二氧化碳的298倍,其中农业生产及氮肥施用是氧化亚氮的重要排放源。过量施用氮肥导致的温室气体排放,已成为我国乃至全球农业可持续发展的严重威胁。此次研究人员通过对比长期定位试验地内不施肥(CK)与有机肥(OM)、有机肥氮和化肥氮各半     

一类并联系统的剩余寿命和平均剩余寿命

研究了n个独立但不同分布的元件构成的一类并联系统的剩余寿命和平均剩余寿命,即在t_1时刻有l个元件失效,第k个元件的寿命恰好是t_2(0≤lkn,0≤t_1t_2),系统在t_2时刻仍然工作的条件下并联系统的可靠性函数和平均剩余寿命.     

基于多重子域代理模型的结构可靠性分析

基于合理子域概念，构建多重代理模型。多重代理模型在合理子域内采用经典响应面模型，在合理子域外采用经典Kriging模型，能够充分利用两种经典模型各自的优势。多重代理模型能够合理规避经典响应面模型中响应函数采取事先假定形式带来的可靠度评估风险，同时能够有效避免经典Kriging模型中试验点组合爆炸的问题。相比经典响应面模型，多重代理模型所需试验点数量并未增加，计算效率与经典响应面模型大体相同。算例表明，本文方法的计算结果与MCS的计算结果几乎一致，具有较好的计算精度。     

一类改进最大熵方法的可调参数分析

在结构可靠性分析中,引入含可调参数的转换函数能对传统的最大熵方法进行改进,获得更高的失效概率预测精度。但是,此可调参数的最佳取值很难确定。针对这一问题,引入概率守恒方程,从功能函数转换前后所得概率密度函数出发,建立其最大熵值的变化关系,给出转换前后最大熵值之差的理论形式。通过对三种典型单调非线性转换函数开展算例研究,发现功能函数转换前后的最大熵值之差与转换函数的最佳可调参数值有关。改变可调参数值驱使最大熵值之差变化的同时,改进最大熵方法能遍历到更好的失效概率估计值。     

Improved device reliability in organic light emitting devices by controlling the etching of indium zinc oxide anode

A controllable etching process for indium zinc oxide （IZO） films was developed by using a weak etchant of oxalic acid with a slow etching ratio. With controllable etching time and temperature, a patterned IZO electrode with smoothed surface morphology and slope edge was achieved. For the practical application in organic light emitting devices （OLEDs）, a sup- pression of the leak current in the current-voltage characteristics of OLEDs was observed. It resulted in a 1.6 times longer half lifetime in the IZO-based OLEDs compared to that using an indium tin oxide （ITO） anode etched by a conventional strong etchant of aqua regia.