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21.
超高声速飞行器再入过程中会因为等离子体鞘层而产生通信中断,俗称"黑障".近些年人们针对黑障通信的研究虽取得了一些成果,但仍然没能从根本上解决问题.本文从电磁波在高密度等离子体柱中的传输机理研究出发,借鉴二维光子晶体和表面波局域耦合相关理论,设计出了一种新型的等离子体微柱腔体结构,在这种特殊结构下L和S波段的电磁波在某些频段内出现了不同寻常的传输现象,即从高密度等离子体柱的内部穿过.这种新结构下的传输模式将为黑障通讯研究提供新的技术途径和方法. 相似文献
22.
制备了纳米SiO2修饰碳糊电极(Nano-SiO2/CPE),通过循环伏安法和示差脉冲伏安法研究了杀草强在Nano-SiO2/CPE上的电化学行为,建立了一种测定杀草强的电化学分析方法。在pH=3.0的0.2mol·L-1H3PO4-NaH2PO4缓冲溶液中,杀草强在Nano-SiO2/CPE上于+0.986V(vs.SCE)处产生一个灵敏的氧化峰。在最佳实验条件下,该氧化峰电流与杀草强浓度在5.0×10-6~1.0×10-3mol.L-1范围呈线性关系,相关系数为0.9993,检出限为2.0×10-7mol.L-1,回收率在92.0%~100.7%之间。实验证实,杀草强在电极上的氧化反应主要是受扩散控制的不可逆反应。 相似文献
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采用高温固相法合成了Sr2ZnMoO6:Sm3+新型红色荧光材料,并对其发光特性进行了研究。XRD测量结果表明所制备样品为纯相Sr2ZnMoO6晶体。样品的发射光谱由一系列锐谱组成,分别位于563 nm(4G5/2→6H5/2)、598 nm(4G5/2→6H7/2)、607 nm(4G5/2→6H7/2)和645 nm(4G5/2→6H9/2),最强发射为645 nm。样品激发光谱由电荷迁移带CT和Sm3+离子的特征激发峰组成,主激发峰位于284 nm(CT)和403 nm(6H5/2-4L13/2)。 随着Sm3+浓度的增大, Sr2-xZnMoO6:xSm3+材料的发光强度先增大后减小, 在x≥2%时,发生浓度猝灭现象。根据Dexter理论分析其猝灭机理为电偶极-电偶极相互作用。比较了Li+、Na+和K+作为电荷补偿剂的作用,发现均使Sr2ZnMoO6:Sm3+材料的发射强度得到增强,但以Li+补偿效果最为显著。 相似文献
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25.
为实现全固态Marx发生器中多个SiC MOSFET开关的同步驱动,设计了一种基于脉冲变压器的驱动控制电路。多路驱动信号的同步性会影响到Marx发生器的输出波形参数,因此要求驱动信号具有快脉冲前沿、低抖动特点。根据SiC MOSFET驱动原理及要求,分析了SiC MOSFET驱动电路脉冲前沿的影响因素,分析计算其相关参数,进行仿真模拟验证。设计了共初级穿芯10级串联的脉冲变压器,初次级的匝数分别为1匝和9匝,次级经正负脉冲信号调理电路后驱动10级Marx电路。实测结果表明利用脉冲变压器原边漏感与谐振电容构成的谐振电路在断续模式下,驱动功率越大,脉冲前沿越快且同步性越好。该同步驱动电路的脉冲前沿为112 ns,脉宽1~10μs可调,频率10~25 kHz可调,满足固态Marx发生器参数调整需求。 相似文献
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28.
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30.
会切磁场中大回旋电子束产生的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
研究了会切磁场产生的机理。通过对Moster-Molnar 模型的探讨, 建立了会切磁场的物理模型。在会切磁场理论分析和数值模拟基础上, 探讨了影响会切磁场设计的因数; 利用拉格朗日公式求解了会切磁场中电子运动轨迹。探讨了会切磁场与大回旋空心会切电子枪的关系, 得到了改进会切电子枪性能的一些一般性结论。 相似文献