电子关联和孤子

聚乙炔中的电子关联和孤子可用相关基函数方法(CBF)来研究,通过考虑完全的电子-电子相互作用,得到含有单个电荷的奇数原子链的稳定位形为孤子的结论,随着电子-电子互作用强度U和互作用程α/β的增加,孤子定域性加强,产生能降低,因此,即使计入电子-电子相互作用,孤子仍然是导电聚合物中的主要载流子。 关键词：     

混合金属卤化物的超晶格与量子线特征

从紧束缚模型出发,发现周期性排列的两种金属卤化物材料可以形成超晶格和多量子阱(线)结构,并进一步研究了这种新型结构的性质随单体材料势垒和势阱宽度的变化规律,发现由金属卤化物形成的周期性结构表现出明显的量子阱(线)特征,对掺杂电荷的约束作用也非常强,从而证明了可以研制和开发基于金属卤化物的多量子阱(线)材料与器件. 关键词： 超晶格 量子阱 金属卤化物     

混合卤化物中的极化子与双极化子

应用紧束缚双带模型对混合卤化物的电荷掺杂性质进行了计算,发现单电荷掺杂在混合卤化物中形成极化子,双电荷掺杂则形成稳定的双极化子;单体的长度和界面耦合都对极化子和双极化子的产生和稳定性有影响.混合卤化物的单体对掺杂电荷具有选择性;电子-电子相互作用并不能使形成双极化子的两个同号电荷相互排斥而形成两个单极化子.在具有电荷自发转移的材料中,混合卤化物单体对掺杂电荷没有像其他混合卤化物一样的选择性,掺杂电荷的定域位置取决于两种单体对该电荷的束缚能力. 关键词： 混合卤化物 极化子 电荷约束     

金属卤化物中的晶格振动

运用紧束缚双带模型对MX化合物晶格振动的计算发现,晶格振动谱由一条声频支和三条光频支组成,进一步得到了出现元激发时,晶格振动色散关系中的分立频率和相应的定域振动模.在MX化合物红外吸收谱的计算中发现对应不同元激发红外谱具有不同的特征. 关键词： 电荷密度波 晶格振动 红外吸收     

外磁场方向和注入电流密度对Co/Cu/Fe三明治结输出的影响

利用电子束蒸发设备和光刻工艺制备了5μm×5μm的Co/Cu/Fe三明治结.在77 K温度下对三明治结自旋相关的输运特性进行了研究,测得了μV量级的双极输出信号.研究了外加磁场方向和注入电流大小对输出信号的影响,并对结果进行了详细的讨论.     

准一维xPPP/yPA共聚物的激发态

建立了描述共聚物xPPP/yPA晶格及电子结构的紧束缚模型,在该模型的基础上计算了共聚物的基态及掺杂激发态的晶格结构和净电荷密度分布,并得出了激发态可能的形式. 两均聚物的配比及界面间耦合的强弱等对共聚物的掺杂激发态均有影响. 两均聚物的界面相当于一个能垒(energy barrier),耦合常数小时,界面能垒较高,电荷不易传输;反之,则界面能垒较低,电荷易于传输.     

极化子和双极化子在齐聚物中的稳定性

导电聚合物中的元激发稳定性问题对于认识和理解有机材料中的自旋极化输运现象是极其重要的.针对目前存在的极化子与双极化子之间的争论,本文从半经验的Austin Model 1(AM1)方法出发,对齐分子噻吩的掺杂态进行了研究.通过对极化子和双极化子体系能量的比较,发现双极化子可以转换为极化子,从而揭示出在有机半导体材料中可以实现自旋极化输运.     

有机自旋电子学

文章介绍了有机半导体同自旋电子学相结合的新学科——有机自旋电子学．着重讨论以下三个方面问题：有机半导体特别是有机共轭聚合物特性及其载流子性质；自旋电子学研究热点；有机自旋电子学研究进展．     

扰动对一维局域模的影响

在紧束缚模型基础上，考虑到缺陷、温度、掺杂等外界因素的影响，用方形随机分布模拟了格点原子扰动对一维局域模的影响.给出了不同扰动参数σ下，孤子和极化子中各个局域模的变化情况.计算发现，由于孤子g₁模的钉扎效应，扰动后，弱模g₄定域性会得到加强，还会产生两个新定域模g′₁和g′₂，它们与相应的g₁和g₂模有相同的节点和宇称 ；极化子的g₇模在畸变较大时将 关键词： 扰动 局域模 聚合物     

聚吡咯带电态几何结构特征

采用半经验Austin Model 1(AM1)方法,计算了齐分子吡咯聚合物的中性态和带电态的几何结构性质.与中性态相比,带电态下其分子结构表现在C-C键长发生显著改变,单电荷掺杂导致极化子元激发;双电荷掺杂一般情况下产生双极化子,但是在特殊情况下会产生两个分立的单极化子.掺杂4个电荷时,会在聚合物链中产生两个分立的双极化子.