量子限制效应对多孔硅液相电致发光的影响

着重研究多孔硅在阴极偏压下过硫酸铵溶液中电压调制的电致发光现象 .随阴极偏压的增大 ,电致荧光峰位蓝移 ,荧光强度增大 ,同时发现定电压下 ,发生电致发光随时间的衰减伴随着光谱的红移现象 .通过红外光谱、AFM及电化学等手段对电致发光的电位调制机理及荧光衰减机制进行了研究 ,结果表明电致发光与光致发光具有相同的起源 ,电压选择激发不同粒径的多孔硅 ,而导致了发光峰值能量的电位选择性 .在电致发光过程中 ,强氧化剂向多孔硅注入空穴使其表面氧化导致小粒径的硅晶逐渐被剥落 ,使光谱高能部分首先衰减出现了随时间的电致发光红移现象 .这些结果支持量子限制效应在多孔硅液相电致发光中起着重要作用     

ZnO超微粒子光催化氧化降解n-C7H16的研究

利用ZnO光催化氧化技术对气相n-C7H16进行了降解研究，考察了氧气、水燕气体积分数等因素对n-C7H16光催化氧化的影响，利用气相色谱－质谱联用仪和气相色谱仪对气相光催化反应过程中的气体组成进行了定性分析，并对主要中间产物丙醛进行了定量分析，结果发现，ZnO超微粒子光催化氧化n-C7H16的降解率较高，n-C7H16绝大部分被完全氧化成CO2，探讨了n-C7H16光催化氧化反尖的动力学行为及机理。     

高导电性ML(TCNQ)_n(n=2,3)盐的磁性研究

测定了高导电性ML(TCNQ)n盐的ESR谱和变温磁化率数据,结果表明,在某些ML(TCNQ)_3中存在电子由[ML]~(2+)至(TCNQ)_8~(2-)的转移,使之成为n-型半导体。     

SF_6-UF_6体系中六氟化铀的振动弛豫研究

本文以脉冲CO_2激光激发SF_6,经碰撞再使UF_6分子激发,通过测定振动受激UF_6的紫外吸收变化,研究了六氟化铀分子的振动弛豫过程。对于2.0.Torr SF_6+2.0Torr UF_6体系,在220-320 nm范围内测定了UF_6的紫外吸收信号随时间的变化,测得UF_6三类不同振动受激态分子间的V-V能量弛豫时间分别为6.8,9.0和26μs,相应的V-T能量弛豫时间为42,8和1ms。此外,还讨论了SF_6-UF_6体系中振动能量弛豫的机理。     

酞花菁(H_2Pc)及其金属络合物的X-射线光电子能谱(XPS)研究

酞花菁(H_2Pc)及其金属络合物广泛用于染料工业,是重要的有机半导体和光导体之一,其分子结构与叶绿素、血红素相近,因而引起国内外学者极大兴趣,并做过大量实验和理论研究。过去 H_2Pc 分子的内质     

多孔硅的电化学制备

单晶硅在氢氟酸溶液中阳极氧化可制得多孔硅, 多孔硅是一种以新形态存在的硅, 与单晶硅相比, 它表现出独特的物理性质和化学活性。荧光光谱峰的蓝移表明, 在p-型低掺杂衬底硅上形成的多孔硅中存在量子尺寸效应, 新近获得的Raman光谱也证实了这一点。     

{[Gd(DMF)_3(DMSO)(H_2O)_3](μ-CN)[Fe(CN)_5]}·2H_2O的合成,结构表征和磁性(英文)

0IntroductionThefirstmolecule鄄basedmagnetswerereportedin1986[1].Duringthelasttwodecades,moreandmoreattentionhasbeenpaidtothesynthesisofmolecule鄄basedmagnets,especiallytoPrussianBlueanalogu鄄es[2].TheoldPrussianBlueanalogueshavebeenbroughtuptodateduetoth…     

共沉淀CuO-ZrO2复合氧化物分散态结构研究

用XRD、EXAFS、XPS表征了共沉淀法制备的CuO-ZrO2复合氧化物的分散态结构. 500 ℃焙烧的样品在一定组成范围内形成大体均匀的无定形态固溶体. CuO含量超过其在ZrO2中溶解度时，多余的CuO以CuO晶体形式存在；当ZrO2含量超过其在CuO中溶解度时，多余的ZrO2以四方相ZrO2晶体形式存在.焙烧温度达到800 ℃时，样品由单斜相ZrO2和CuO晶体组成.     

载体对Au-Pd双金属催化剂加氢脱硫性能的影响

研究了Al_2O_3,TiO_2-Al_2O_3等载体对Au-Pd双金属催化剂的噻吩加氢脱硫性能的影响,并运用XRD,TPD,BET,TPR等手段对Au-Pd双金属催化剂进行了表征.结果表明,Au-Pd/TiO_2-Al_2O_3催化剂有较好的噻吩加氢脱硫反应活性和稳定性,与Au-Pd/Al_2O_3催化剂相比,Au-Pd/TiO_2-Al_2O_3催化剂有较高的酸密度和酸强度、活性表面积、H_2及CO的吸附量.