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在以惰性气体Xe为非线形介质,利用双光子共振四波混频差频(2PR4WDM,ω-=2ωUV-ωT)技术,产生可调谐相干真空紫外激光(VUV)的实验中,观察到产生的VUV在一些特定波长附近出现共振衰减.这些波长对应着伴随过程四波混频和频的双共振增强.对四波混频过程进行了比较粗略的定量的处理,考虑到泵浦光在传播途中的衰减,得到的结论能很好地解释观察到的差频输出的衰减现象,差频输出的衰减是由于双共振四波混频和频(ω+=2ωUV+ωT)与差频竞争的结果. 相似文献
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报道一种改进的受激喇曼光声光谱实验方法 (PhotoacousticRamanSpectroscopy ,PARS) ,该方法的主要特点是将两束激光以反向传播的方式重合 ,从而不仅克服了通常的实验方法 (两束激光通过双色镜片重合 )在测量小喇曼位移方面的限制 ,也使实验的操作更加简单 .在实验中 ,以CH4 分子为研究对象 ,一束波长为 5 3 2 .1nm的激光作为泵浦光 ,另一束可调谐激光作为探测光 (Stokes光 ) ,两束光相向作用于光声池内 ,在 62 5~ 64 2nm和 5 73~ 5 89nm得到了CH4 分子ν1 、ν2 和ν3模的PARS光谱 ,其结果与前人利用自发喇曼散射技术 (ORS)一致 ,其中喇曼活性较弱且喇曼位移较小的ν2 模的PARS光谱是新得到的 相似文献
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SILAR法制备化学计量CuInS2薄膜 总被引:1,自引:0,他引:1
在室温下,以不同cCu/cIn的CuCl2和InCl3混合溶液作为阳离子前驱体,Na2S水溶液为硫源,利用连续离子层吸附反应法(SILAR)在玻璃基底上制备了CuInS2薄膜。XRD结果表明,当cCu2+/cIn3+在1~1.5范围内均可形成具有黄铜矿结构的CuInS2薄膜。SEM观察到随cCu2+/cIn3+的升高,薄膜表面颗粒长大并出现团簇聚集。通过XPS测定薄膜表面的化学组成证明当cCu2+/cIn3+=1.25时,CuInS2薄膜接近其标准的化学计量组成。此时薄膜的吸收系数大于>104 cm-1,禁带宽度Eg为1.45 eV。 相似文献
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0引言Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ2族半导体薄膜太阳能电池具有价格低廉、性能优良和工艺简单等优点,已成为最有希望的光电转换器件,是当前国际光伏电池研究领域的热点之一。在Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ2族半导体中,CuInS2因其光学禁带宽度适中(1.50eV),可见光区域吸收系数较高(6×105cm-1),化学稳定性好等特点而成为人们最为关注的薄膜太阳能电池材料之一[1~5]。目前,CuInS2薄膜太阳能电池的最高转换效率约为11%[6,7],距理论转换效率(27%~32%)[8]还有很大的差距,而改善CuInS2薄膜质量是提高其光电转换效率的关键。研究表明,CuInS2薄膜的制备技术及工艺条件对薄膜的结构… 相似文献
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CuInSe2 ternary films were prepared by successive ionic layer absorption and reaction (SILAR) method. The films were deposited on glass substrates at room temperature and subject to heat-treatment under Ar atmosphere at various calcination temperatures, and then characterized by using X-ray diffraction (XRD), scanning electron microscopy (SEM), X-ray photoelectron spectroscopy (XPS), optical absorption spectroscopy. XRD results showed that chalcopyrite structure CuInSe2 with high degree of preferred orientation towards (112) reflection could be obtained by post-heat treatment. The compositions of films calcined at 300~400 ℃ were close to the standard stoichiometry and Cl impurity decreased after calcination. The direct band gap increased from 0.94 eV to 0.98 eV with the increase of calcination temperature. 相似文献
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