电学系统与分析力学

物理系统常常有惊人的相似之处，电学系统与力学系统虽然是完全不同的两类系统，但描述它们的微分方程式却可以是完全一样的．这种情形可以启发我们深入思考它的实用意义．例如，可以实现力学系统的电学模拟，可以用分析力学的方法来研究电学系统或者电学、力学混合系统等等。     

石墨烯——未来材料之星

学习＂双语物理导论＂课程后,我们选择＂石墨烯＂作为课程论文和最终报告的主题.石墨烯目前是凝聚态物理和材料科学最为活跃的研究前沿,这一非传统的二维材料展现出极好的结晶性及电学质量,它在过去短短3年内已充分显示出在理论研究和应用方面的无穷魅力.论文首先叙述了石墨烯的背景与发现,接着阐述了石墨烯的定义、特性及相应的应用,结论是：虽然只有当商用产品出现时才能肯定其应用的现实性,但凭借其非同寻常的性质,石墨烯已不需要证明其在基础物理学中的价值.通过撰写这篇课程论文,我们践行了课程的理念和目标——＂让学生尽早阅读英文资料并开展一些研究性工作＂,并且受益匪浅.     

快速热退火对Co/Si0.85Geo.15肖特基结电学特性的影响

用离子束溅射技术分别在SiO2和单晶Si衬底上沉积了Si1-xGex和Co薄膜.在不同温度下,对Co/Si1-xGex肖特基结进行快速热退火处理(RTA),对处理后的样品进行了表面形貌和电学测量.发现退火温度升高,样品表面粗糙度变大,理想因子也变大,但对肖特基势垒高度(SBH)的影响很小.分析认为,随着退火温度的升高,...     

2011年全国光学青年学术论坛在蓉成功举办

2011年11月11日～15日,第三届全国光学青年学术论坛在电子科技大学隆重举行。电子科技大学、中国工程物理研究院、中国科学院光电技术研究所、四川师范大学、北京大学、中国科学院上海光机所、上海交大、同济大学等全国相关高校、研究所的专家学者150余人参加了会议。会议期间,电子科技大学和中科院光电技     

半导体氮化铟(InN)的电学性质

本文总结了近年来半导体InN薄膜材料(主要是六方纤锌矿结构的InN及异质结构)的电学性质研究进展,重点内容为InN的载流子浓度和迁移率,造成InN中高电子浓度现象的施主分析、载流子输运特性及表面、界面特性等。同时也涉及了部分立方闪锌矿结构InN的电学特性和InN在器件(主要是高电子迁移率晶体管器件)上的潜在应用。     

纳米VOx薄膜在空气中的电学特性退化研究

采用射频磁控溅射法在氮化硅衬底上沉积纳米VO_x薄膜,利用X射线衍射、原子力显微镜分别对薄膜的结晶形态及表面形貌进行表征.研究了纳米VO_x薄膜在空气中长时间暴露后的方块电阻、热滞回线等电学特性的变化情况,并分析这些变化给器件带来的影响.利用X射线光电子能谱仪、傅里叶变换红外光谱仪分析对比新制与久置薄膜的组分及分子结构差异.研究表明,暴露在空气中的纳米VO_x薄膜方块电阻增大是因为低价钒离子被吸附氧原子氧 关键词： x薄膜')" href="#">纳米VO_x薄膜 磁控溅射 电学特性 退化     

n,p柱宽度对超结SiGe功率二极管电学特性的影响

结合SiGe材料的优异性能与超结结构在功率器件方面的优势,提出了一种超结SiGe功率二极管.该器件有两个重要特点:一是由轻掺杂的p型柱和n型柱相互交替形成超结结构,取代传统功率二极管的n^-基区;二是阳极p⁺区采用很薄的应变SiGe材料.该二极管可以克服常规Si p⁺n^-n⁺功率二极管存在的一些缺陷,如阻断电压增大的同时,正向导通压降随之增大,反向恢复时间也变长.利用二维器件模拟软件MEDICI仿真 关键词： 超结 锗硅二极管 n p柱宽度 电学特性     

浅谈科学探究“欧姆定律”

欧姆定律是重要的电学定律,现以人教版新课标<物理>教科书为例,浅谈四点管见.