快速热退火对Co/Si0.85Geo.15肖特基结电学特性的影响

用离子束溅射技术分别在SiO2和单晶Si衬底上沉积了Si1-xGex和Co薄膜.在不同温度下,对Co/Si1-xGex肖特基结进行快速热退火处理(RTA),对处理后的样品进行了表面形貌和电学测量.发现退火温度升高,样品表面粗糙度变大,理想因子也变大,但对肖特基势垒高度(SBH)的影响很小.分析认为,随着退火温度的升高,...     

S-布洛芬磁性分子印迹膜的吸附及拆分性能

以S-布洛芬为模板分子、3-氨丙基三乙氧基硅烷为功能单体、正硅酸乙酯为交联剂,采用溶胶凝胶法成功制备了对S-布洛芬具有特异选择识别功能的磁性分子印迹聚合物,并且分别采用红外(IR)光谱、扫描电镜(SEM)、X射线粉末衍射(XRD)对其结构进行了表征.通过紫外(UV)光谱研究了其对S-布洛芬的吸附性能,并且建立了高效液相色谱(HPLC)手性流动相法研究其对布洛芬的拆分.结果表明,该磁性分子印迹聚合物具有良好的磁响应性,在外加磁场下可实现快速分离;S-布洛芬分子印迹复合膜对S-布洛芬具有较好的选择结合性,其结合量达到68.3mg/g;每100mg复合膜可使外消旋布洛芬的分离度增加2.1%.