两个自由度系统受迫振动实验装置

两个自由度系统受迫振动实验装置段德华，王冲，袁惠群，吴建中（沈阳黄金学院，沈阳１１００１５）１引言生产实践已向人们提出了各式各样的振动问题，故振动分析已成了各项工程技术研究与设计必不可少的环节，因此，追切需要工程技术人员具备有关振动学科方面的基础知识...     

理想导体中具有两个松弛时间的电磁热弹性波

研究处于均布磁场中的理想导体的二维电磁热弹性耦合问题，引入势函数使控制方程转化为3个偏微分方程．运用Laplace变换和Fourier变换得到该问题在变换域内的精确表达式，再通过级数展开和Laplace逆变换法求得在时间较短时的逆变换，得到时间-空间域内问题的解．运用此方法研究了表面受到热冲击的半无限空间问题．给出了电磁热弹性波、膨胀波和横向波传播的速度，并通过数值计算，给出了各个场量的分布图．所得结论与已有的结论一致．     

阶梯AlGaN外延新型Al0.25Ga0.75N/GaNHEMTs器件实验研究

本文报道了作者提出的阶梯AlGaN外延层新型AlGaN/GaN HEMTs结构的实验结果. 实验利用感应耦合等离子体刻蚀(ICP)刻蚀栅边缘的AlGaN外延层, 形成阶梯的AlGaN 外延层结构, 获得浓度分区的沟道2DEG, 使得阶梯AlGaN外延层边缘出现新的电场峰, 有效降低栅边缘的高峰电场, 从而优化了AlGaN/GaN HEMTs器件的表面电场分布. 实验获得了阈值电压-1.5 V的新型AlGaN/GaN HEMTs器件. 经过测试, 同样面积的器件击穿电压从传统结构的67 V提高到新结构的106 V, 提高了58%左右; 脉冲测试下电流崩塌量也比传统结构减少了30%左右, 电流崩塌效应得到了一定的缓解.     

具有P型覆盖层新型超级结横向双扩散功率器件

为了设计功率集成电路所需要的低功耗横向双扩散金属氧化物半导体器件(lateral double-diffused MOSFET), 在已有的N型缓冲层超级结LDMOS(N-buffered-SJ-LDMOS)结构基础上, 提出了一种具有P型覆盖层新型超级结LDMOS结构(P-covered-SJ-LDMOS). 这种结构不但能够消除传统的N沟道SJ-LDMOS由于P型衬底产生的衬底辅助耗尽问题, 使得超级结层的N区和P区的电荷完全补偿, 而且还能利用覆盖层的电荷补偿作用, 提高N型缓冲层浓度, 从而降低了器件的比导通电阻. 利用三维仿真软件ISE分析表明, 在漂移区长度均为10 μm的情况下, P-covered-SJ-LDMOS的比导通电阻较一般SJ-LDMOS结构降低了59%左右, 较文献提出的N型缓冲层 SJ-LDMOS(N-buffered-SJ-LDMOS)结构降低了43%左右.     

微流控芯片测定盐酸金刚烷胺片中的盐酸金刚烷胺

建立了微流控芯片非接触电导检测片剂中盐酸金刚烷胺的分析方法.对缓冲液和添加剂的种类及浓度、分离电压、进样时间等进行了优化.实验采用1 mmol/L HAc+2 mmol/L NaAc(pH 4.5)+0.1 mmol/LSDS的缓冲体系,于2.00kV的分离电压下进样10 s,在1 min内实现了盐酸金刚烷胺的快速检测...     

一类局部定向完备集及其范畴的性质

本文给出了局部定向完备集的概念及其在此结构下的一种新的双小于关系，从而进一步给出了一种新的连续性概念，接着讨论了局部定向完备集，连续的局部定向完备集等对象的一些性质，最后考察了三种范畴的笛卡儿闭性，并证明了范畴LDCPO是范畴ALG的反射满子范畴．     

非负严格对角占优三对角矩阵逆元素的估计

估计非负三对角矩阵的逆矩阵元素的值,在样条插值的凸性研究方面十分重要.文献[1]给出三对角阵 A=diag(α_i,ρ_i,β_i)在 x_i+β_i=1条件下的估计式.但在样条插值的连续性方程中有许多三对角阵只是非负严格对角占优的,如象在归范样条曲线和局部张力样条曲线插值的情形.因此本文给出非负严格对角占优三对角阵逆元素新的一类估计式.     

脉冲激光加热薄膜微尺度热传递研究进展

短脉冲激光显微微加工因其具有制作高精度微结构的能力和其在现代微制作技术中的应用,微尺度薄膜热传递的研究受到极大关注,近年来对薄膜结构高频加热的研究迅猛发展。本文对十年来薄膜微尺度热传递的相关研究进展做了简要评述。     

On Converse Theorem of Best Approximation by Polynomials in Bergman Spaces H_q~p(p>0,q>1)

A Bernstein type theorem and a converse theorem of best approximation by polynomials inBergman spaces H_q~p(p>0,q>1) are proved.Some proofs and results in [1] are in proved.     

光敏蛋白菌紫质分子及其在光电器件中的应用

紫膜菌紫质是一类新型的光敏蛋白分子,本文在介绍菌紫质分子结构和光致色变特性的基础上,重点讨论了它们在光探测器,全息材料,空间光调制器,光盘,条纹相机等光电器件中的潜在应用。