集总式放大波分复用链路中交叉相位调制的边带不稳定性

集总式放大链路中，放大器的周期分布，等效于形成一折射率光栅，它为四波混频提供了相位匹配的条件，产生边带不稳定性．本文通过解析和数值模拟的方法，研究了周期集总式放 大链路中，交叉相位调制边带不稳定性．解析研究中，根据耦合方程的稳态解，计算了反常 色散与正常色散光纤链路中由于扰动而产生的边带不稳定性的增益；数值模拟中，利用分裂 步长傅里叶变换法与Monte_Carlo方法，得出了输出光脉冲的频谱，说明输出光脉冲频谱中 产生新的边带．两种方法的计算结果表明，在周期集总式放大光通信链路中，存在交叉相位 调制边带不稳定性，两种方法得到的结论基本一致． 关键词： 交叉相位调制 边带不稳定性 集总式放大     

30MeV/u 40 Ar+112,124Sn反应后角能谱温度的同位旋效应

在30MeV/u^40Ar 112,124Sn反应中用平行板雪崩计数器实现了前冲余核的测量，在不同的线性动量转移下用运动源模型拟合了后角的3He,α和^6He能谱，发现^3He的能谱斜率温度在^124Sn系统中高于^112Sn系数，而^6He的温度在^112Sn系统中更高，a粒子在两个系统中没有明显差别，用热核粒子蒸发过程衰变道的选择对这种同位旋相关性进行了解释，GEMINI的计算不能重视实验结果。     

Determination of Field Configuration and Eigenvalues of Planar Optical Waveguides with Arbitrary Index Profiles

We extend the analytic transfer matrix (ATM) method to solve the field configuration of planar optical waveguides with arbitrary index profiles including several turning points. The results are compared with the predictions obtained from the finite element method and the Wentzel-Kramer-Brillouin approximation technique. It is shown that the ATM method not only can produce accurate eigenvalues, but also reach correct and meaningful field configuration for any type of optical planar waveguides.     

包含波面校正的四程放大系统的准直问题研究

为了解决高功率激光系统中, 尤其是多程放大系统中波前畸变校正和光路准直之间的相互干扰问题, 针对包含自适应光学系统的四程放大系统, 利用菲涅耳衍射积分理论, 建立了310 mm×310 mm大口径光束的四程传输模型, 采用坐标扩展变换的方法解决了传统计算中同时需求近、远场高分辨率带来的计算量过大问题; 基于此模型, 比较了质心法、圆拟合法和纯相位匹配滤波等三种图像处理算法对存在波面差的光束的远场中心的处理精度; 分析了波面校正对焦斑位置的影响; 本文内容为四程放大系统准直调整方案的优化提供了重要依据. 关键词： 光束准直 坐标扩展变换 自适应光学 四程放大     

30MeV/u40Ar+112,124Sn反应中的同位素产额比与核温度

系统研究了30MeV/u ⁴⁰Ar+^112,124Sn反应中的轻粒子同位素产额比随角度和初始激发能的变化关系.对于两个反应体系,均观察到³He/⁴He和⁶Li/⁷Li的产额比随角度的增加而增加,⁶He/⁴He和⁸Li/⁷Li随角度的增加而减小.统计发射的运动学效应不能完全符合实验结果.各种单同位素产额比与靶核的N/Z比有关,表现出同位旋效应,而由双同位素比提取的核温度几乎没有靶核相关性.     

30MeV/u 40Ar+ 112,124Sn反应中态布居核温度的同位旋效应

用13单元望远镜探测器阵列测量了30MeV/u ⁴⁰Ar +^112,124Sn反应中小角关联粒子,由两体符合事件提取了αα关联函数.用三体弹道理论模型MENEKA计算本底关联函数,用Monte Carlo方法计算探测效率函数,在扣除本底产额并考虑探测效率的修正后,对不同同位旋反应系统⁴⁰Ar +¹¹²Sn和⁴⁰Ar+¹²⁴Sn提取的相对态布居核温度分别是4.18±0.25 0.21MeV和4.10±0.22 0.20MeV ;考察态布居核温度和粒子能量的关系时,观察到两个系统的发射温度均随着粒子能量的增加而降低,缺中子系统⁴⁰Ar +¹¹²Sn中由低能时的5.13±0.30 0.2 6MeV降低到高能时的3.87±0.37 0.29MeV ,丰中子系统⁴⁰Ar+¹²⁴Sn中由低能时的5.39±0.30 0.26MeV降低到高能时的3.32±0.28 0.23MeV .用激发热核衰变过程的同位旋选择性对这种同位旋相关性进行了解释.     

35MeV/u 36,40Ar+112,124Sn反应中同位旋自由度的弛豫

35MeV/u ^36,40Ar+^112,124Sn反应中,在前角5°和20°观测到丰中子核与稳定核的产额比随粒子出射动能的增加而减小,而缺中子核与稳定核的产额比随动能的增加而增加.对于某种元素,随着动能的减小,其平均中质比逐渐由弹核N/Z向靶核N/Z过渡.这些现象表明在这样的入射能量下,周边或近周边碰撞过程中同位旋自由度没有完全达到平衡.这种行为对两个靶核系统是相似的,但是同位素产额比的绝对值在5°没有靶核相关性,而在20°处却表现出明显的靶核相关性.     

RIBLL上的β+缓发粒子发射的在束测量

报道了在新建成的放射性次级束流线上完成的²⁰Na的β+缓发α粒子发射²⁰Na—→β^+　20Ne→¹⁶O+α的在束测量.通过飞行时间和能损符合的方法实现²⁰Na次级束流的在束鉴别与调制.在束和停束两个获取时段分别完成对次级束流和β+缓发粒子的记录.利用脉冲发生器和记数器实现²⁰Na缓发粒子衰变半衰期的测量.实验测量到²⁰Ne几个低能共振能级的衰变能量分别为2.69,3.09,4.74,5.54MeV,相对强度分别为100,4.15,1.10,15.20.测量到²⁰Na的β⁺缓发α衰变的半衰期为(459±7)ms,与现有的核数据基本上吻合.