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利用分子动力学弛豫方法模拟了Au/Cu(001)异质外延生长初期Au异质外延岛的形貌演化,分析了Au外延岛演化过程中的局域应力及与基体结合能随表面岛尺寸的变化. 研究结果表明:当异质外延岛小于7×7时,外延岛原子分布呈现赝Cu点阵形貌;当外延岛达到8×8后,外延岛内开始出现失配位错,失配位错数量随外延岛尺寸的增加而增加. 局域压力分析指出,外延岛上原子之间的近邻环境不同导致了所受应力的差异,而外延岛的形变则是由外延岛原子的应力分布所决定. 研究还发现,失配位错的产生导致错位原子与基体原子之间的结合强度减弱,但相对增加了非错位原子与基体原子之间的结合强度.
关键词:
异质外延
表面形貌
局域压力
分子动力学模拟 相似文献
22.
采用反应射频磁控溅射法在 Si(100)基片上制备了高c轴择优取向的ZnO薄膜,研究了退火温度对ZnO薄膜的晶粒尺度、应力状态、成分和发光光谱的影响,探讨了ZnO薄膜的紫外发光光谱和可见发光光谱与薄膜的微观状态之间的关系.研究结果显示,在600—1000℃退火温度范围内,退火对薄膜的织构取向的影响较小,但薄膜的应力状态和成分有比较明显的变化.室温下光致发光光谱分析发现,薄膜的近紫外光谱特征与薄膜的晶粒尺度和缺陷状态之间存在着明显的对应关系;而近紫外光谱随退火温度升高所呈现的整体峰位红移是各激子峰相对比例变
关键词:
ZnO薄膜
退火
光致发光
射频反应磁控溅射
可见光发射 相似文献
23.
Annealing behaviour of structure and morphology and its effects on the optical gain of Er3+/Yb3+ co-doped Al2O3 planar waveguide amplifier 下载免费PDF全文
Using transmission electron microscopy (TEM) and x-ray diffraction
analysis, we have studied the structural and morphological evolution
of highly Er/Yb co-doped Al2O3 films in the temperature
range from $600\,^{\circ}\mkern-1mu$C--900$\,^{\circ}\mkern-1mu$C.
By comparison with TEM observation, the annealing behaviours of
photoluminescence (PL) emission and optical loss were found to have
relation to the structure and morphology. The increase of PL
intensity and optical loss above 800$\,^{\circ}\mkern-1mu$C might
result from the crystallization of amorphous Al2O3 films.
Based on the study on the structure and morphology, a rate equation
propagation model of a multilevel system was used to calculate the
optical gains of Er-doped Al2O3 planar waveguide
amplifiers involving the variation of PL efficiency and optical loss
with annealing temperature. It was found that the amplifiers had an
optimized optical gain at the temperature corresponding to the
minimum of optical loss, rather than at the temperature
corresponding to the maximum of PL efficiency, suggesting
that the optical loss is a key factor for determining the optical gain of an
Er-doped Al2O3 planar waveguide amplifier. 相似文献
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Microstructure and photoluminescence of Er-doped SiOx films synthesized by ion beam assisted deposition 总被引:1,自引:0,他引:1 下载免费PDF全文
Er-doped SiOx films were synthesized at 500℃ by ion beam assisted deposition technique and annealed at 800 and 1100℃ for 2h in the air atmosphere. The analysis by using energy dispersive x-ray spectroscopy showed that the ratio of Si to O decreased from 3 in the as-deposited films to about 1 in the annealed films. The investigation by using transmission electron microscopy and x-ray diffraction indicated that annealing induces a microstructure change from amorphous to crystalline. The grain sizes in the films were about 10 and 40nm when annealed at 800 and 1100℃, respectively. The films annealed at temperatures of 800 and 1100℃ exhibited a sharp photoluminescence (PL) at 1.533μm from the Er centres when pumped by 980nm laser. The influence of microstructure and grain size on the PL from Er-doped SiOx films has been studied and discussed. 相似文献
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26.
采用反应射频磁控溅射方法,在Si(001)基片上制备了具有高c轴择优取向的ZnO/MgO多量子阱.利用X射线反射、X射线衍射、电子探针,光致荧光光谱等表征技术,研究了ZnO/MgO多量子阱的结构、成份和光致荧光特性.研究结果表明,多量子阱的调制周期在1.85—22.3 nm之间,所制备的多量子阱具有量子限域效应,导致了室温光致荧光峰的蓝移,并观测到了量子隧穿效应引起的荧光效率下降.建立了基于多声子辅助激子复合跃迁理论的室温光致荧光光谱优化拟合方法,通过室温光致荧光光谱拟合发现,ZnO/MgO比ZnO/ZnMgO多量子阱具有更大的峰位蓝移,探讨了导致光致荧光光谱展宽的可能因素.
关键词:
ZnO/MgO
多量子阱
磁控溅射
光致荧光
量子限域效应 相似文献
27.
采用阴极还原方法,在透明导电玻璃(ITO)上制备了高c轴择优取向的ZnO薄膜.通过X射线衍射、扫描电子显微镜等表征技术,研究了沉积电流对ZnO薄膜的结构、应力状态及表面形貌的影响;利用光致荧光光谱及透射光谱等分析方法,探讨了沉积电流变化对ZnO薄膜的光学性能的影响.研究结果显示:各沉积电流下均可制得高c轴取向的ZnO薄膜;薄膜表面形貌受电流的影响较大;从透射谱可以看出,薄膜在可见光波段有较高透射率,且薄膜厚度随沉积电流的增大而增大.光致荧光测量表明,电化学沉积的ZnO薄膜具有明显的带隙展宽.而且,随着沉积电流的增加,带隙发光强度逐渐减弱,缺陷发光逐渐增强. 相似文献
28.
Yb掺杂对Er/Yb共掺Al2O3薄膜光致荧光性能的影响 总被引:3,自引:2,他引:1
采用反应射频磁控溅射技术,通过调整溅射靶面上金属Er和Yb的面积比例制备出了不同Yb含量的Er/Yb共掺Al2O3薄膜,重点探讨了薄膜制备过程中Er、Yb成分比例控制的可靠性及Yb的掺杂浓度对Er/Yb共掺Al2O3薄膜室温光致荧光谱强度及峰型的影响。利用卢瑟福背散射谱(RBS)和电子能谱(EDX)对薄膜成分进行的分析表明:薄膜中Er、Yb成分的比例与实际的Er、Yb靶面积比基本一致。薄膜经过1000℃退火2h的室温光致发光谱表明:Yb掺杂显著提高了薄膜的光致荧光强度,当Yb/Er靶面积比为4:1时,光致荧光强度和半峰全宽最大。研究结果表明:对于Al2O3薄膜,合适的Yb/Er浓度,不仅可以显著改善薄膜的发光效率,而且可以增加频带带宽。 相似文献
29.
以水热法制备的20% g-C3N4/TiO2(20%为质量分数)为基,将其与不同质量分数的氧化石墨烯(GO)复合制备出可见光催化性能优良的GO/TiO2-g-C3N4三元复合材料。利用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、X射线光电子能谱(XPS)、紫外-可见漫反射光谱(UV-Vis DRS)、光致荧光光谱(PL)、瞬态光电流响应等分析测试手段对样品的结构、形貌和光电性能进行表征。研究了不同质量分数GO的加入对GO/TiO2-g-C3N4在可见光下降解亚甲基蓝(MB)溶液的影响。结果表明: g-C3N4/TiO2与GO复合后,锐钛矿相TiO2颗粒形成小团簇附着在g-C3N4和GO片层表面,且当GO含量为15%时,TiO2形成的团簇最小,对可见光的吸收最多且光生电子-空穴对的复合率最低。可见光照射下,15% GO/TiO2-g-C3N4复合材料对MB的降解率在3 h内可达98.4%,且其降解速率常数(0.022 4 min-1)分别是纯TiO2(0.001 5 min-1)和g-C3N4/TiO2(0.002 5 min-1)的15倍和9倍。 相似文献
30.
采用反应磁控溅射法在Si(111)基片上制备了带有Ti缓冲层的高c轴取向ZnO薄膜.通过X射线衍射分析和光致荧光光谱测量,研究了Ti缓冲层厚度和退火处理对ZnO薄膜结晶质量和光致荧光特性的影响.研究结果表明,Ti缓冲层的引入可以有效改善Si基片上ZnO薄膜的发光性能,但缓冲层存在一个最佳的厚度.薄膜应力是影响ZnO薄膜紫外荧光发射性能的重要因素,较小的残余应力对ZnO薄膜的紫外荧光发射是有利的,残余应力的存在可以改变ZnO薄膜紫外荧光发射能量.随着退火温度的增加,薄膜中的张应力增大,导致带隙宽度减小以及激子复合跃迁峰逐渐向低能方向移动.
关键词:
ZnO薄膜
缓冲层
退火处理
应力分析 相似文献