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1.
采用第一性原理计算方法,通过改变Zn1-xBexO合金中Be的浓度及其掺杂位型,研究N在Zn1-xBexO合金中的形成能和受主离化能,分析了p型导电的可能性。结果表明:Be-N共掺杂时,N优先占据周围没有Be的O位置,每增加一个Be近邻掺杂原子,NO的形成能增加约0.2 eV。当近邻Be原子数为2和3时,NO的受主离化能比较低。Be浓度为11at%时,具有2个近邻Be原子的NO的受主离化能降低至0.1 eV左右,可以认为是浅受主,Be-N共掺ZnO才可能呈p型导电。考虑NO在室温条件下的受主离化率和NO形成能的影响,估算出Be-N所提供的空穴载流子浓度不会高于1017cm-3;如果计及n型背景载流子的补偿效应,Be-N共掺ZnO的p型导电率应该比较低。  相似文献   
2.
李帅  陶强  张庆瑜 《无机化学学报》2014,30(7):1567-1574
利用AgNO3水溶液,通过严格控制TiO2薄膜的化学活性,系统研究了在TiO2表面光催化合成金属Ag纳米颗粒的生长行为。研究发现,光催化合成金属Ag纳米颗粒存在着两个完全不同的生长机制,分别对应着金属Ag纳米颗粒的各向同性和各向异性生长。当溶液浓度较低时,Ostwald熟化(OR)机制主导着金属Ag纳米颗粒的长大过程;当溶液浓度较高时,取向附生(OA)机制决定着金属Ag纳米颗粒长大成纳米片。原位消光光谱分析表明,OR机制和OA机制生长的前期具有相近消光特征,决定金属Ag纳米颗粒生长模式的关键是AgNO3溶液的浓度,更准确地说是金属Ag初级晶核的局域密度。在此基础上提出了有关光催化合成金属Ag纳米颗粒的生长模型。  相似文献   
3.
鲍善永  董武军  徐兴  栾田宝  李杰  张庆瑜 《物理学报》2011,60(3):36804-036804
利用脉冲激光沉积技术,通过改变沉积过程中的氧气压力,在蓝宝石(0001)基片上制备了一系列ZnMgO合金.通过X射线衍射、反射和透射光谱以及室温和变温荧光光谱,对薄膜的结构和光学性能进行了系统地表征,分析了工作气压对ZnMgO合金薄膜的结晶质量及光学特性的影响.研究结果表明:随着沉积环境中氧气压力的增大,ZnMgO薄膜的结晶质量下降,富氧环境下,与蓝宝石晶格平行的ZnO晶粒的出现是导致薄膜结晶质量下降的主要原因;相对于本征ZnO,不同氧气环境下沉积的ZnMgO薄膜的紫外荧光峰均出现了不同程度的蓝移.随着工 关键词: ZnO Mg掺杂 脉冲激光沉积 薄膜生长 光学特性  相似文献   
4.
濮春英  李洪婧  唐鑫  张庆瑜 《物理学报》2012,61(4):47104-047104
采用射频磁控溅射技术, 在不同温度下制备了N掺杂Cu2O薄膜.透射光谱分析发现, N掺杂导致Cu2O成为允许的带隙直接跃迁半导体, 并使Cu2O的光学禁带宽度增加.不同温度下沉积的薄膜光学禁带宽度Eg=2.52± 0.03 eV.第一性原理计算表明, N掺杂导致Cu2O的禁带宽度增加了约25%, 主要与价带顶下移和导带底上移有关, 与实验报道基本符合.N的2p电子态分布不同于O原子, 在价带顶附近具有较大的态密度是N掺杂Cu2O变成允许的带隙直接跃迁半导体的根本原因.  相似文献   
5.
强流脉冲电子束辐照下单晶铝中的堆垛层错四面体   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
利用强流脉冲电子束技术对单晶铝进行了辐照,并利用透射电镜对强流脉冲电子束诱发的空位簇缺陷进行分析.实验结果表明,强流脉冲电子束能够诱发位错圈、孔洞甚至堆垛层错四面体这种通常在高层错能金属中不能形成的空位簇缺陷,并且三种不同类型的空位簇缺陷的形核过程并不同时发生,三种空位簇缺陷存在着密切的关系.根据实验结果提出了堆垛层错四面体形成与生长机理. 关键词: 强流脉冲电子束 堆垛层错四面体 单晶铝 空位簇缺陷  相似文献   
6.
蓝宝石基片的处理方法对ZnO薄膜生长行为的影响   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
采用反应射频磁控溅射方法,在经过不同方法处理的蓝宝石基片上,在同一条件下沉积了ZnO薄膜.利用原子力显微镜、X射线衍射、反射式高能电子衍射等分析技术,对基片和薄膜的结构、表面形貌进行了系统表征.研究结果显示,不同退火条件下的蓝宝石基片表面结构之间没有本质的差异,均为α-Al2O3 (001)晶面,但基片表面形貌的变化较大.在不同方法处理的蓝宝石基片上生长的ZnO薄膜均具有高c轴取向的织构特征,但薄膜的表面形貌差异较大.基片经真空退火处 关键词: ZnO薄膜 反应磁控溅射 基片处理 形貌分析  相似文献   
7.
Be掺杂纤锌矿ZnO电子结构的第一性原理研究   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
唐鑫  吕海峰  马春雨  赵纪军  张庆瑜 《物理学报》2008,57(12):7806-7813
采用密度泛函理论结合投影缀加波方法,对Be掺杂导致ZnO禁带宽度增加的机理进行了研究.通过对掺杂前后电子能带结构、总态密度以及分态密度的计算和比较,发现导带底(CBM)是由Be 2s电子与Zn 4s电子共同控制;而BexZn1-xO价带顶 (VBM)始终由O 2p电子占据.随着掺杂量的增加,决定带隙宽度的CBM的位置上升,同时VBM的位置下降,从而导致了带隙的变宽,出现了蓝移现象.此外,Be掺杂会使晶胞发生压缩,这种压应变也是导致Be 关键词: 密度泛函理论 电子结构 Be掺杂ZnO  相似文献   
8.
Cd掺杂纤锌矿ZnO电子结构的第一性原理研究   总被引:6,自引:0,他引:6       下载免费PDF全文
采用密度泛函理论结合投影缀加波方法,对掺杂Cd导致ZnO禁带宽度下降的机理进行了研究. 通过对掺杂前后电子能带结构,态密度以及分态密度的计算和比较,发现CdxZn1-xO价带顶端(VBM)始终由O-2p占据;而导带顶端(CBM)则由Cd-5s与Zn-4s杂化轨道控制. 随着掺杂浓度的增加,决定带隙宽度的CBM的位置下降,同时VBM的位置上升,从而导致了带隙的变窄,出现了红移现象. 此外,Cd掺杂会使晶胞发生膨胀,这种张应变也是导致Cd 关键词: 密度泛函理论 电子结构 Cd掺杂ZnO  相似文献   
9.
Er/Yb共掺硅酸盐玻璃的光致发光   总被引:3,自引:0,他引:3       下载免费PDF全文
李善锋  张庆瑜 《物理学报》2005,54(11):5462-5467
采用固相反应方法,制备了Er3+离子浓度为0.5 at.%,Yb掺杂浓度范围为0.0— 6.0 at.%的Er/Yb共掺激光玻璃,并对激光玻璃的吸收光谱和光致荧光光谱进行了分析.研究 结果显示,Yb3+掺杂对Er3+在980 nm附近的吸收起到了非常显著的 增强作用.在 980 nm的激光抽运下,激光玻璃在1530 nm处的光致发光强度随着Yb离子浓度 的增加而先增大后减小, 当Yb3+离子浓度为Er3+离子浓度6倍时光 致发光强度达到最大值.同时还发现了Yb3+对Er3+的光致荧光光谱 的展宽作用,并讨论了荧光光谱的展宽机理. 关键词: Er/Yb共掺玻璃 光致发光 吸收光谱  相似文献   
10.
强流脉冲电子束应力诱发的微观结构   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
利用强流脉冲电子束装置在各种工艺条件下对奥氏体不锈钢、单晶铝及多晶铝等面心立方金属进行辐照处理.利用扫描电子显微镜和透射电子显微镜等详细分析了辐照样品的变形组织与结构.通过分析,在一定程度上建立起强流脉冲电子束诱发的应力特征与变形结构之间的关系,并对目前现有的几种应力波数值模拟结果进行了分析.实验结果表明,强流脉冲电子束能够在材料内部诱发102—103MPa的应力,其传播方式与材料的 晶体结构关系密切.这一应力是导致材料深层性能与微观组织结构发生变化的根源所在. 关键词: 强流脉冲电子束 应力 微观结构 变形  相似文献   
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