SiH4凝聚态结构的近边X射线吸收精细结构研究

用多重散射团簇方法对低温下凝聚态SiH-4进行了Si的1 s NEXAFS理论研究,对不同的模型研究表明,此时凝聚相SiH-4形成链状结构.     

钡原子6p3/2ns自电离里德伯态的研究

用激光多步激发技术研究了处于6p1/2电离限以下的6p3/2ns自电离态的光谱。 并利用最新的R矩阵的计算结果, 结合多通道量子亏损理论进行了理论分析。 理论结果与实验光谱相符合。     

多重散射团簇理论对CO/NiO(100),NO/NiO(100)吸附系统的分析与比较

用多重散射团簇(MSC)理论对CO/NiO(100)和NO/NiO(100)吸附系统的C1s近边X射线吸收精细结构(NEXAFS)和N1sNEXAFS谱进行了详细的计算和分析.理论计算表明CO/NiO(100)是弱物理吸附,CO分子与表面的多极静电相互作用很弱,σ共振不依赖C—O键长的变化,MSC方法分析表明,CO是以C原子朝下,吸附在衬底的Ni—O键桥上,可靠性因子计算显示C原子的吸附位置距Ni原子009nm,CO分子中C原子距衬底的吸附高度为031±001nm,CO分子倾斜角不大于25°.理论计算证实     

X射线吸收精细结构的原子集团多重散射理论

本文以电子散射的动力学理论为基础,用一个原子集团模拟吸附表面样品,发展了用于研究近边X射线吸收精细结构的原子集团多重散射理论方法(MSC)。我们将MSC方法应用于结构已知的气相CO分子以及CO-Ni(001)表面,求得结果与LEED和光电子衍射的一致。这表明MSC可能成为分析无序吸附系统结构的新方法。     

光电子衍射

六十年代末,由于超高真空条件的获得,使低能电子衍射仪(LEED)逐渐发展成为实用的表面结构分析手段[1].在理论上,几种LEED的动力学理论也相继出现[2-4].利用LEED实验与理论计算的比较,可以决定长程有序表面结构,但对无序表面结构测定,LEED则无能为力. 七十年代中期开始,人们着手寻找一种新的表面结构分析方法,这种方法以LEED为基础,又弥补了它的不足.LEED的入射电子源是非相干源,如果用单色光激发表面层内原子,使之发射光电子,则这种光电子是相干电子源.光电子在固体中的衍射过程与LEED一样,分析光电子的衍射谱而获得表面原子结…     

依赖能量的光电子衍射曲线Fourier变换分析方法的研究(Ⅰ)——以Ni(001)为衬底的系统

本文研究了氧族元素S和Se在Ni(001)衬底上形成的P(2×2)和C(2×2)两种结构吸附系统依赖于能量的光电子衍射曲线的直接Fourier变换分析方法,考虑了在不同能量范围内作Fourier变换对峰值位置的影响,求得了这些系统的各级层距修正值Δ_α,讨论了利用这些Δ_α值和实验EDPDFT数据来决定表面结构的可能性。 关键词：     

遗传算法在低能电子衍射结构分析中的应用

提出了一种在低能电子衍射( L EED)结构分析中自动搜寻最佳模型的优化方法——遗传算法和张量 L EED相结合的联合方法. 这种新方法的特点是能在全部参数变化范围内自动搜寻,避免了陷入“局域”优化模型的困难中. 本文给出了这一方法的应用实例 ,并且展望了这种方法在表面结构研究中的应用前景.     

CO在NiO（100）面上吸附的近边X射线吸收精细结构理论分析

用多重散射团簇 (MSC)理论对 CO在 Ni O(10 0 )面吸附的碳 1s近边 X射线吸收精细结构(NEXAFS)实验谱进行了定量分析 ,研究了该系统可能出现的吸附模型 .MSC方法分析表明 CO是以 C原子朝下 ,吸附在衬底的 Ni- O键桥上 ,R- factor(可靠性因子 )计算显示 C原子的吸附位置距 Ni原子0 .0 9nm,CO分子中 C原子距衬底的吸附高度为 0 .31± 0 .0 1nm.本文讨论了在 Ni O表面吸附的 CO分子σ键的物理本质 .与 CO在过渡金属 Ni,Cu等表面吸附不同 ,σ共振对于 CO键长的依赖不明显     

关于Xα-SW自洽计算中原子半径的确定

本文利用SCF-X_α-SW原子集团(Cluster)方法研宄了半导体硅中杂质的电子结构。研究表明,硅中杂质电子态与Cluster中原子球半径的选取密切相关。本文提出两条原则来确定原子球的半径:1)调节Cluster中基质原子球的半径大小应以晶体能带结构的特点为标准,2)Cluster总能量极小原理可以精确决定杂质原子球的半径。对硅中浅杂质锑和深杂质钯的电子结构计算表明上述原则是正确的。