Si_3N_4/Si表面Si生长过程的扫描隧道显微镜研究

利用原位扫描隧道显微镜和低能电子衍射分析了Si的纳米颗粒在Si3N4 /Si(111)和Si3N4 /Si(10 0 )表面生长过程的结构演变 .在生长早期T为 35 0— 10 75K范围内 ,Si在两种衬底表面上都形成高密度的三维纳米团簇 ,这些团簇的大小均在几个纳米范围内 ,并且在高温退火时保持相当稳定的形状而不相互融合 .当生长继续时 ,Si的晶体小面开始显现 .在晶态的Si3N4 (0 0 0 1) /Si(111)表面 ,Si的 (111)小面生长比其他方向优先 ,生长方向与衬底Si(111)方向一致 .最后在大范围内形成以 (111)为主的晶面 .相反 ,在非晶的Si3N4 表面 ,即Si3N4 /Si(10 0 ) ,Si晶体的生长呈现完全随机的方向性 ,低指数面如 (111)和 (10 0 )面共存 ,但它们并不占据主导地位 ,大部分暴露的小面是高指数面如 (113)面 .对表面生长过程进行了探讨并给出了合理的物理解释     

多重散射团簇方法对吸附系统SO2/Ag(110)的理论分析

利用多重散射团簇方法 (MSC)对吸附系统SO2 /Ag(110 )的S原子K边X射线吸收精细结构谱 (NEXAFS)作了理论分析 .研究表明 ,覆盖度为 0 5时 ,吸附的SO2 的S—O键长比气体状态时增长了 (0 0 14± 0 0 0 6 )nm ,OSO键角减小了 15°± 5°;SO2 分子的S原子处于芯位 ,但两个O原子处于不对称的位置 ;分子平面与 (110 )的夹角约为5 2° ,同时分子平面相对衬底表面法线有一小角度的倾斜 .MSC计算证实了该吸附系统存在一介于π 与σ 态中间的共振结构 ,这是由SO2 与衬底相互作用而诱导的     

多重散射团簇方法对吸附系统SO2/Ag(110)的理论分析

利用多重散射团簇方法(MSC)对吸附系统SO₂/Ag(110)的S原子K边X射线吸收精细结构谱(NEXAFS)作了理论分析.研究表明,覆盖度为0.5时,吸附的SO₂的S—O键长比气体状态时增长了(0.014±0.006)nm,OSO键角减小了15°±5°;SO₂分子的S原子处于芯位,但两个O原子处于不对称的位置;分子平面与(110)的夹角约为52°,同时分子平面相对衬底表面法线有一小角度的倾斜.MSC计算证实了该吸附系统存在一介于π^{关键词： X射线吸收精细结构 2/Ag(110)')" href="#">吸附系统SO₂/Ag(110) 多重散射团簇方法}     

光电子衍射谱Fourier变换分析方法的垂直单电子束模型

利用垂直单电子束(0,0,束)模型推导了光电子衍射I-V曲线的解析公式。对于系统C(2×2)Se(3d)/Ni(001)进行了数值计算,求出这个系统的光电子衍射谱及“相移”,从“相移”推算出“层距修正”值。另一方面对光电子衍射谱作Fourier变换直接求得“层距修正”。计算表明从两种途径求得的“层距修正”值十分接近,从而证明光电子衍射谱的Fourier变换可能成为表面结构分析的一种直接方法。 关键词：     

二己二硫醚多层膜局域结构的近边x射线吸收精细结构研究

利用多重散射团簇(MSC)方法计算了二己二硫醚［CH₃(CH₂)₅S］₂单分子和多分子硫原子近边x射线吸收精细结构(NEXAFS)谱，给出了二己二硫醚多层膜的局域结构模型. MSC研究显示多层膜中二己二硫醚分子作平行有序排列，彼此相距0.47nm，其横截面呈规则的正方形. 利用离散变分Xα方法计算了二己二硫醚单分子和多分子的电子结构，验证了MSC的计算结果；并阐明了NEXAFS谱中各峰的物理起源. 对多层膜中分子之间的相互作用进行了讨论，发现多层膜的局域结构有分子自组装的特性. 关键词： 3(CH₂)₅S］₂多层膜')" href="#">二己二硫醚［CH₃(CH₂)₅S］₂多层膜 近边x射线吸收精细结构 多重散射团簇方法 离散变分Xα方法     

依赖能量的光电子衍射曲线Fourier变换分析方法的研究(Ⅱ)——以Ni(111)为衬底的系统

本文研究了氧族元素s和Se在Ni(111)衬底上形成的p(2×2)和(3^1/2×3^1/2)两种重构吸附系统依赖能量的光电子衍射曲线的直接Fourier变换分析方法,由对不同的原子吸附位和不同的电子波束的计算,分析了它们对Fourier峰位及相对应的层距修正值Δ_n的影响,并详细讨论了它们与表面原子间距之间的关系。 关键词：     

SO2/Ni(111)吸附系统局域结构的多重散射团簇理论研究

用多重散射团族方法对SO₂/Ni(111)吸附系统的S原子ls近边X射线吸收精细结构进行了详细的计算和分析,求得吸附系统的局域结构。研究结果证实了SO₂分子在Ni(111)表面是平铺吸附的,其最佳吸附位为fcc三度芯位。吸附分子的S—O键长比气体状态时增长了(0.007±0.002)nm,分子键角∠OSO减小了10°,SO₂距衬底的吸附高度为(0.20±0.02)nm。理论计算与两组实验结果进行了直接比较。 关键词： 局域吸附结构 X射线吸收精细结构 2/Ni(111)')" href="#">吸附系统SO₂/Ni(111) 多重散射团簇方法     

Na/Si(111)3×1表面的NEXAFS研究

利用同步辐射光源测量Na2s二次电子部分产额谱得到Na诱导Si（111）3×1结构的近边Ｘ射线吸收精细结构（NEXAFS）谱，并用原子集团多重散射方法对几种可能的模型进行计算，与实验结果比较，认为Na/Si（111）3×1吸附结构与Mnch模型相一致．Na原子吸附在Si的顶位，Na—Si键长为0.3nm． 关键词：     

MSC理论研究固体CS2的实验谱

用近边Ｘ射线吸收精细结构（ＮＥＸＡＦＳ）的多重用射集团（ＭＳＣ）方法对固体ＣＳ２的硫Ｋ－边ＮＥＸＡＦＳ实验谱进行了详细的研究，结果表明：１．确认Ｋ－边ＮＥＸＡＦＳ实验谱的主体结构是双σ键和π２．固体ＣＳ２中间时存在的硫的单键和双键和对应的两种吸收谱；３．π几乎全由双键所贡献，而双σ则分别由单键和双键所贡献；４．ＮＥＸＡＦＳ实验谱是两种吸收谱的叠加。     

Cl/GaAs(111)表面近边X射线吸收精细结构的多重散射研究

利用多重散射团簇方法（MSC）计算了Cl/GaAs(111)吸附表面的Cl原子k边X射线吸收精细结构谱（NEXAFS）.阐明了NEXAFS谱中各个弱结构的物理起源.根据模型计算的结果与实验比较,求得吸附在顶位的氯原子和最近邻的镓原子的键长为（0.213±0.005）nm.这个结果在0.005 nm的误差范围内将广延X射线吸收精细结构（EXFAS）实验谱的Fourier变换结果（0.217 nm）和Slab模型计算的结果（0.208 nm）合理地联系起来.此外,MSC计算求得衬底表面层Ga－As键长为（0.235±0.005）nm,证实Cl吸附引起GaAs(111)表面驰豫.