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151.
光电变色器件用纳米晶氧化钛薄膜的微结构与特性 总被引:2,自引:2,他引:0
纳米晶TiO2薄膜在光电变色器件中具有很重要的作用。它的微结构直接影响染料的吸附、光的散射以及电荷输运的特性。因此,探索TiO2薄膜的微结构(如粒径、表面形貌和厚度等)及光电性能是非常有意义的。采用电子束蒸发工艺制备了光电变色器件用纳晶TiO2薄膜,利用原子力显微镜、X射线衍射、俄歇电子能谱等手段对纳米晶TiO2薄膜的表面形貌、结晶状态及组分进行了分析。从理论上研究和讨论了纳米晶TiO2薄膜晶粒尺寸对光电性能的影响,并用量子限制效应解释了吸收光谱峰值波长随粒径减小而发生蓝移的现象。 相似文献
152.
纳米Mg-Ni贮氢材料具有成本低,活化容易、贮氢容量大,吸放氢动力学性能优异等特点,有很大的应用前景。本文用机械合金化法进行了纳米Mg-Ni合金的制备,且对制备的粉末进行了XRD,TEM,SEM等微观结构的分析。 相似文献
153.
用发散法合成周边含36个丁氧基偶氮苯介晶基元(M5)端基新的二代树状碳硅烷液晶(D2),并用元素分析,氢谱,激光质谱,红外,紫外,偏光显微镜,DSC和WAXD法表征.D2为向列相,与M5相同,二代树状物相态由介晶基元相态决定.D2液晶态相行为是K85N107I103N69K,其熔点比M5降低27~41℃,清亮点比M5降低17~18℃,液晶态温区比M5加宽10~23℃.二代碳硅烷(D2)与一代碳硅烷(D1)相比熔点增加2~3℃,清亮点降低26~29℃,液晶态温区减少29~31℃.在二代树状物中观察到S=+3/2的高强向错. 相似文献
154.
156.
157.
We experimentally studied the in-plane thermal and electrical properties of a suspended platinum nanofilm in thickness of 15 nm. The measured results show that the in-plane thermal conductivity, the electrical conductivity and the resistance-temperature coefficient of the studied nanofilm are much less than those of the bulk material, while the Lorenz number is greater than the bulk value. Comparing with the results reported previously for the platinum nanofilm in thickness of 28 nm, we further find that the in-plane thermal conductivity, the electrical conductivity and the resistance-temperature coefficient decrease with the decreasing thickness of the nanotilm, while the Lorenz number increases with the decreasing thickness of the nanofilm. These results indicate that strong size effects exist on the in-plane thermal and electrical properties of platinum nanofilms. 相似文献
158.
纳米级氧化铁的合成及其对六价铬的吸附性能研究 总被引:8,自引:0,他引:8
采用溶胶-凝胶法合成了纳米氧化铁,研究了合成条件,并采用TEM对产品进行了表征,测得产品的平均粒径为20-30nm.研究了纳米级氧化铁对Cr(Ⅵ)的吸附.在pH=3.0,吸附比为3.5×10-6:1×10-2(g/g)时,平均吸附效率为95.98%,最大吸附量为398.3μg Cr(Ⅵ)/g.采用2mol/LNaOH可完全洗脱纳米氧化铁所吸附的Cr(Ⅵ),测定了回收后的纳米氧化铁对Cr(Ⅵ)的吸附效率,结果表明纳米级氧化铁可循环使用,这将为环境污水中Cr(Ⅵ)的治理及研究纳米材料的吸附行为提供参考. 相似文献
159.
采用微波电子回旋共振等离子体化学气相沉积(MWPECRCVD)方法,使用不同的源气体(CHF3CH4,CHF3C2H2,CHF3C6H6)体系制备了aC∶F∶H薄膜.由于CH4,C2H2,C6H6气体在等离子体中的分解反应不同导致了薄膜的沉积速率和结构上的差异.红外吸收谱的结果表明,用C6H6CHF3作为源气体沉积的薄膜中几乎不含H,而用C2H2CHF3所沉积的薄膜中的含氟量最高,其相应的CF振动峰位向高频方向偏移.薄膜的真空退火结果表明,aC∶F∶H薄膜的热稳定性除了取决于薄膜的CC键浓度外,还与CC键
关键词:
氟化非晶碳膜
电子回旋共振化学气相沉积
红外吸收光谱 相似文献
160.