PO43-掺杂Bi2O2CO3/Bi0的制备及其可见光催化性能

构建氧空位以及附着金属单质Bi(Bi⁰)是增强半导体材料光吸收性能、促进半导体光生载流子分离的有效方法。通过简单的共沉淀法及氢气热还原成功制备了PO₄^3-掺杂Bi₂O₂CO₃附着Bi⁰(Bi-P-BOC)的可见光催化剂,并对其在可见光下催化降解氧氟沙星(OFX)的性能及机理进行了研究。材料表征结果表明BOC随着PO₄^3-的均匀掺杂,可见光吸收能力增强,表面缺陷增多,比表面积增大。而随着氢气热还原,BOC表面形成 Bi⁰的同时也原位构建了大量的氧空位。可见光催化性能测试表明,Bi-P-BOC可以在180 min内降解约85%的OFX,降解速率为0.013 0 min^-1,是BOC降解速率的8倍。Bi-P-BOC光催化降解机理表明其具有更好的可见光吸收能力,Bi⁰以及氧空位的存在促进了光生载流子的分离,h+是其光催化降解过程中的主要的活性氧物种(ROS),此外,¹O₂和·O₂^-也对降解有一定贡献。     

不同烧结温度对PMN基铁电陶瓷B位有序度的影响

本文研究了不同烧结温度下, CuO添加对0.94PMN-0.06PT(PMN-6PT)弛豫铁电陶瓷B位化学有序度的影响。拉曼和XRD分析结果表明, 不同的烧结温度下, 离子取代不同, 对B位有序度的影响不同。烧结温度在950℃时, 主要是Cu²⁺进入晶格, 不影响B位化学有序度;烧结温度在1 080℃时, 主要是Cu¹⁺ 进入晶格, B位化学有序度改变。介温测试所表现出来的弛豫特性与拉曼分析有序度的结果相一致。     

针对LED扩展光源照明的自由曲面透镜设计

针对LED扩展光源,采用双向反馈网格法设计了自由曲面透镜.划分光源和目标面的能量网格,通过对每一条迭代曲线建立反馈系数,对网格点进行修正并建立新的映射关系,设计了两个目标面中心无光照度的自由曲面透镜.将设计的自由曲面透镜用蒙特卡罗方法对不同尺寸的LED扩展光源进行了模拟仿真.结果表明,对于尺寸在4mm×4mm以下的LE...     

颤振分析中的特征值排序问题

颤振分析中判断颤振临界速度的重要依据是系统V-g和V-f图,即系统特征值随参数的变化曲线.在几乎所有商用软件及自编程序的输出结果中,有时会出现所谓的"窜支"现象,这给颤振临界速度和颤振穿越分支及耦合形式的判断带来很大不便.通过隐函数定理可以证明,除重特征值点以外,系统特征值连续依赖于系统参数变化.依据多元向量值函数连续性,建立对特征值的排列算法,给出系统特征根轨迹的正确曲线,再输出V-g和V-f图数据,从而避免"窜支"现象.编制应用程序,通过几个典型算例对算法进行了验证.该工作能够有效简化颤振分析的后处理工作,提高分析效率.     

一种苯并噻唑类稳定烯醇的合成及晶体结构

以2-甲基苯并噻唑和1,3-丙磺酸内酯为起始原料,合成了一种菁染料中间体2-(2-乙氧基-1-丁烯基)-1-(3-磺酸丙基)苯并噻唑(3).该染料中间体极易水解,对其水解产物(4e)采用红外光谱、核磁共振、质谱、元素分析和X射线单晶衍射分析等方法进行了表征.MS结果显示水解产物4e的分子量为327;在13C NMR谱图中,烯醇结构中与羟基相连的碳的化学位移为194.05,与之相连的另一个双键碳的化学位移为δ92.52;在IR谱图中,1618 cm-1处存在烯醇的特征吸收峰;通过X射线单晶衍射分析测定了水解产物的结构,进一步证实该水解产物是一种存在共轭芳基结构的稳定烯醇.     

部分相干双曲余弦厄米高斯光束在非Kolmogorov大气湍流中的传输特性

基于广义Huygens-Fresnel原理和非Kolmogorov大气湍流折射率起伏谱密度函数, 采用Wigner分布函数的二阶矩方法, 推导出了在大气湍流中传输的部分相干双曲余弦厄米高斯光束束宽和M²因子的解析表达式. 研究表明: 相对束宽和归一化M²因子随传输距离的增大而增大; 光束阶数越大、相干长度越小、双曲余弦参数越小, 相对束宽和归一化M²因子受大气湍流影响越小; 相对束宽随束腰宽度的增大存在极大值, 在一定的相干长度范围内, 归一化M²因子随束腰宽度的增大存在极小值; 相对束宽和归一化M²因子随广义指数的变化均存在极大值, 随内尺度的增大而逐渐减小, 随外尺度的增大几乎没有变化.     

基于PLS估计的我国商业银行效率影响因素研究

在商业银行效率影响因素研究中引入基于高维投影思想的非参数方法——偏最小二乘方法,并在建模过程中弥补了已有研究未控制时间趋势和宏观经济变量而导致模型不显著和变量符号反常的不足.结果表明:针对本文少样本、自变量存在严重共线性的情况,偏最小二乘法提取的3个成分解释力达到0.984 173,并具有良好的预测性能.财务指标等内生变量对不同产权银行的效率影响是有明显差异的,而产权结构、宏观经济等外生变量的影响是无差异的.     

SOI SiGe HBT结构设计及频率特性研究

将SOI技术优势引入SiGe HBT,可满足当前BiCMOS高速低功耗的应用需求.SOI SiGe HBT作为BiCMOS工艺的核心器件,其频率特性决定了电路所能达到的工作速度.为此,本文针对所提出的SOI SiGe HBT器件结构,重点研究了该器件的频率特性,并通过所建立的集电区电容模型予以分析.规律和结果为:1)SOI SiGe HBT特征频率随集电区掺杂浓度的升高而增加;2)SOI SiGe HBT特征频率与集电极电流IC之间的变化规律与传统SiGe HBT的相一致;3)正常工作状态,SOI SiGe HBT(集电区3×1017cm-3掺杂)最高振荡频率fmax大于140 GHz,且特征频率fT大于60 GHz.与传统SiGe HBT相比,特征频率最大值提高了18.84%.以上规律及结论可为SOI SiGe HBT及BiCMOS的研究设计提供重要依据.     

A theoretical and experimental investigation of an in-band pumped gain-switched thulium-doped fiber laser

In this paper,the theoretical rate equation model of an in-band pumped gain-switched thulium-doped fiber(TDF) laser is investigated.The analytical formulations of pump energy threshold,peak power extraction efficiency,and pulse extraction efficiency are derived through analyzing the interaction process between the pump pulse and the laser pulse.They are useful for understanding,designing,and optimizing the in-band pumped TDF lasers in a 1.9 μm-2.1 μm wavelength region.The experiment with an all-fiber gain-switched TDF laser pumped by a 1.558-μm pulse amplifier is conducted,and our experimental results show good agreement with theoretical analysis.     

表面产生负氢离子引出MCC算法设计

本文深入研究负氢离子输运及引出物理机理,理论分析了交换电荷反应及库仑碰撞过程,并设计了相应数值计算模块.在此基础上,采用有限差分法计算负氢离子所受洛伦兹力,运用蒙特卡罗碰撞方法处理负氢离子与其他粒子间的碰撞,成功研制了表面产生负氢离子输运及引出的全三维MCC算法,结合国外热门离子源JAEA 10A离子源进行模拟验证,结果显示:随着过滤磁场增大,引出离子数越大,离子源空间生存离子总数越小;当过滤磁场较小时,气压越大引出离子数越多,当过滤磁场较大时,气压越小引出离子数越多.