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Sign reversal of anisotropic magnetoresistance and anomalous thickness-dependent resistivity in Sr2CrWO6/SrTiO3 films 下载免费PDF全文
Chunli Yao 《中国物理 B》2022,31(10):107302-107302
High-quality Sr2CrWO6 (SCWO) films have been grown on SrTiO3 (STO) substrate by pulsed laser deposition under low oxygen pressure. With decrease of the film thickness, a drastic conductivity increase is observed. The Hall measurements show that the thicker the film, the lower the carrier density. An extrinsic mechanism of charge doping due to the dominance of oxygen vacancies at SCWO/STO interfaces is proposed. The distribution and gradient of carrier concentration in SCWO films are considered to be related to this phenomenon. Resistivity behavior observed in these films is found to follow the variable range hopping model. It is revealed that with increase of the film thickness, the extent of disorder in the lattice increases, which gives a clear evidence of disorder-induced localization charge carriers in these films. Magnetoresistance measurements show that there is a negative magnetoresistance in SCWO films, which is considered to be caused by the magnetic scattering of magnetic elements Cr3+ and W5+. In addition, a sign reversal of anisotropic magnetoresistance (AMR) in SCWO film is observed for the first time, when the temperature varies across a characteristic value, TM. Magnetization—temperature measurements demonstrate that this AMR sign reversal is caused by the direction transition of easy axis of magnetization from the in-plane ferromagnetic order at T > TM to the out-of-plane at T < TM. 相似文献
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由于鉴相精度限制、电路等引入的附加相移干扰等因素,传统相位测距技术精度的提高受到了限制.采用二次偏振调制技术对相位测距技术进行了改进.利用二次偏振调制方法能够直接在相位调制器上对两次调制信号的相位差进行解调,大幅度简化了系统的复杂程度.采用变频方法替代传统的鉴相方法,从而系统的测量精度不再受鉴相问题的困扰.从理论上得到系统输出光强与调制频率成正余弦关系,并进行了实验验证.基于变频测距的实验中,系统频率的稳定度优于10-6,测量精度可以达到±10.6μm(被测距离为4.5 m).并对一段长200 m的光纤进行了实际测量,得到了清晰的调制频率与系统输出光强的曲线. 相似文献
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采用高温水热合成法在强碱性条件下,成功制备了有序性很高的三八面体结构的皂石,同时对其进行铝柱柱撑,通过XRD、27Al MAS-NMR、N2吸附脱附、吡啶红外、TGA-DTA、TEM等技术对材料进行了物化表征,并用临氢异构表征了材料的催化性能. 结果表明:层柱皂石具有很好的层柱结构,热稳定性可达800℃以上,且具有较好的正癸烷临氢异构转化率和异构产物收率. 相似文献
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