钴(II)-丁二肟体系的吸附伏安法研究

本文对钴(II)与丁二肟配合物Co(II)A2在悬汞电极上的吸附伏安法作了研究。在-0.60～-0.90V(vs.SCE)Co(II)A2能在悬汞电极上很好地吸附,当电极向阴极方向扫描时,吸附在电极上的Co(II)A2分二步不可逆地还原到Co(O)(Hg)。本文导出了在低覆盖度下富集阶段电极表面吸附量的表达式,实验结果与理论推导相符.理论上分析了不可逆过程线性扫描吸附伏安法的灵敏度,影响灵敏度的主要因素是吸附富集时间,当富集120秒时,检测下限可达1x10[-9]M,此结论得到实验证实。     

铌(V)-酒石酸-2-(5'-溴-2'-吡啶偶氮)-5-二乙氨基苯酚三元配便物的汞电极上的吸附

本文用线性变势吸附伏安法研究了铌(V)-酒石酸-2-(5'-溴-2'-吡啶偶氮)-5-二乙氨基苯酚三元配合物在汞电极上的电吸附性质, 测定了表面浓度, 讨论了吸附浓度的表达式及其与吸附时间、金属离子浓度、配位体浓度的关系, 验证了吸附量与电极面积及还原峰电流的关系。证明了配合物在电极上的还原是一个可逆吸附的还原过程。     

40 Gb/s信号全光3R再生实验

提出一种新型40 Gb/s全光3R再生器方案。采用高精细度法布里-珀罗滤波器进行时钟提取。时钟提取前,通过高稳定光源对输入信号光波长变换实现信号光波长和法布里-珀罗滤波器梳状窗口对准;时钟提取后,接半导体光放大器(SOA)进一步消除时钟信号噪声。全光判决中,采用双半导体光放大器串联增大非线性性能,提高了判决门的响应速度。判决输出接窄带滤波器去除脉冲啁啾拖尾,减小码型效应。实验中,恶化40 Gb/s光脉冲信号通过全光3R再生器可以得到再生脉冲。输入恶化信号时间抖动大于5 ps,脉冲宽度大于16 ps,再生得到的信号时间抖动小于1.5 ps。再生信号相对于输入信噪比改善14 dB。连续稳定工作记录大于15 h。通过实验验证,这种全光3R再生器方案成功地实现了40 Gb/s信号的再生。     

玻璃碳电极阴极伏安法测定铅锌矿中的铅

前文曾报导了用玻璃碳电极能有效地代替滴汞电极测定铜矿中的铜。本文简要地研究了在盐酸溶液中铅在玻璃碳电极上的某些阴极伏安行为,发现在某些方面与它在滴汞电极上的行为基本一致,并可用于测定铅锌矿中的铅。实验部分仪器及试剂,883型极谱仪。电压范围3伏。电解池、参比电极、盐桥、玻璃碳电极制备和处理方法同文献。本实验电极用手工抛成镜面,表观面积约为7平方毫米。试剂均为分析纯。溶液配制: 1.铅标准液(1克/升):称取Pb(NO_3)_2 1.559克于烧杯中,溶解并加热,     

铁(Ⅲ)-2-(5是′-溴-2′-吡啶偶氮)-5-二乙氨基苯酚配合物1.5、2.5阶微分吸附伏安法研究

本文讨论了铁(Ⅲ)-2-(5＇-溴-2＇-吡啶偶氮)-5-二乙氨基苯酚配合物1.5、2.5阶微分吸附伏安法电流1.5、2.5阶微分峰峰值的表达式。实验结果表明,1.5、2.5阶吸附伏安法的线性范围为1×10~(-10)～1×10~(-7)mol/L,对2.5阶微分吸附伏安法,富集2min的检测下限为5×10~(-11)mol/L。用此法测定了人发中的痕量铁。     

基于注入半导体激光器的微波副载波相位调制信号产生

光载无线技术是解决终端超宽带无线通信的重要方法,光信号与微波/毫米波信号的融合处理技术在光-无线的数据格式转换中至关重要.提出了一种基于相位调制信号光注入Fabry-Perot型半导体激光器实现微波副载波相位调制信号产生的方法.光学注入半导体激光器的输出光场会产生一周期(P1)振荡效应, P1振荡产生的边带实现了相位调制信号光的调制分量的放大,被放大的调制分量与注入光载波在激光器腔内拍频形成微波副载波.注入光相位的变化导致新产生的微波副载波相位变化, 实现了注入信号光相位信息转化为微波副载波相位信息.本系统完成1.3 Gb/s, 2.7 Gb/s, 2 Gb/s光相位调制信号到微波副载波相位调制信号的转换,并测量了微波的单边带相位噪声. 通过光电转换和电域混频将还原出的光基带信号与原信号进行逻辑对比,证明了数据信息转换的正确性.     

基于色散位移光纤中四波混频效应的2×40 Gb/s全光3R再生系统

利用色散位移光纤(DSF)中四波混频效应在闲频光波长处增益的指数增长特性及增益饱和特性,提出了一种基于恶化信号抽运的2×40Gb/s的双波长全光3R(再放大、再整形、再定时)再生实验方案。对再生原理做了理论分析和实验验证,完成了1550.92nm和1557.36nm两个波长上不同恶化信号的全光再生实验,将恶化信号的接收机灵敏度分别由-20.3dBm、-20.4dBm改善到-27.3dBm、-25.6dBm,灵敏度改善量为7.0dB和5.2dB。系统实验验证了理论分析的结果,对于解决波分复用(WDM)系统中多路信号的同时再生问题提出了一种可行的解决方案。     

高压下正交相CsPbI3钙钛矿纳米棒的带隙调制

全无机卤化物钙钛矿由于其稳定性强,且具有良好的光学性质,是一种很有前途的光电材料。然而,有效地设计其带隙以满足实际应用需求仍是亟待解决的关键问题。通过控制合成的反应时间和温度,对铯铅碘(CsPbI_3)纳米材料进行形貌调控,合成出形貌均一、结晶性良好的棒状CsPbI_3纳米材料。进一步利用金刚石对顶砧,结合原位高压紫外-可见吸收光谱,对CsPbI_3纳米棒在高压下的带隙变化进行研究,发现高压下CsPbI_3纳米棒的带隙减小,带隙的可调控性为纳米材料在光伏电池领域的应用奠定基础。研究结果不仅有助于在原子尺度上建立CsPbI_3纳米棒的结构特性关系,而且为全无机钙钛矿纳米材料的实际应用提供重要线索。     

铕(Ⅲ)-二甲酚橙体系的吸附伏安法研究

高小霞等详细地研究了Eu(Ⅲ)-XO体系的极谱特性,用导数示波极谱法(ODP)检测下限可达5×10^-8M。本文应用了Eu(Ⅲ)-XO的吸附特性将Eu(Ⅲ)-XO在悬汞电极(HMDE)上富集,使测定Eu(Ⅲ)的灵敏度提高约2个数量级。     

载流子复合及能量无序对聚合物太阳电池开路电压的影响

聚合物太阳电池中载流子的复合与能量无序对器件的开路电压有着深刻的影响.本文同时研究了基于传统富勒烯(PC71BM)和非富勒烯(O-IDTBR)电子受体的聚合物太阳电池.通过交流阻抗谱、低温电流密度-电压谱、瞬态光电压以及电致发光光谱等手段重点研究了载流子复合及能量无序对电池器件开路电压的影响.具体地,交流阻抗谱和瞬态光电压测试结果表明,富勒烯体系载流子复合损失较为严重.电致发光光谱研究显示,PC71BM器件的发光峰随着注入电流的增加不断向短波长处移动,而O-IDTBR体系发光峰位置基本不变,该结果证明PC71BM体系中能量无序度更高.载流子复合严重及能量无序度更高共同作用导致了富勒烯器件开路电压的降低.