~(56)Fe(n,p)~(56)Mn反应截面测量

在E_n=12—18MeV,用活化法测量了~(56)Fe(n,p)~(56)Mn反应截面,在E_n=14.61±0.20MeV处做了绝对测量,结果为108.0±2.7毫巴.中子通量用伴随粒子法测定,并与反冲质子望远镜相比较,两种方法在1—2%的误差范围内一致.~(56)Mn的γ放射性用φ10×7.6厘米的NaI(Tl)闪烁谱仪测量,谱仪探测效率用4πβ-γ符合法标定的~(56)Mn标准源刻度.测量结果与现有数据进行了比较.     

核苷3'''',5''''-环亚磷酸的合成

在3′,5′-环核苷酸的磷酰胺和磷酸酯的合成中,发现3′,5′-环核苷酸的磷酸部份反应活性不高,P—O键较难断裂,不易为其他基团所置换。相应的亚磷酸衍生物比磷酸衍生物有较多的反应性能,可以通过     

硝基蒽醌异构体的高效液相色谱分析

一、前言军装草绿(咔叽-2G)和警蓝(S-BGL和2BLN)染料的重要中间体为硝基蒽醌,前者为α-硝基蒽醌(简写α-NO_2AQ)后者为1,5-和1,8-二硝基蒽醌(1,5-(NO_2)_2AQ和1,8-(NO_2)_2AQ)。蒽醌的硝化过程及其产物非常复杂。产物的分析虽有柱色谱、薄层色谱和纸色谱等方法,但分析速度较慢,误差也较大,不能及时提供硝化过程数据,做为选择合理硝化工艺条件以提高质量和控制质量的依据。蒽醌硝化产物理论上应有12个异构体     

时间相关单光子计数法测量时间分辨发射光谱

许多处于高能态的分子(包括自由基、离子、络合物、聚集体等)可以以发射光子的方式弛豫到较低能量状态。此时,所产生的光辐射在不同波长处的强度分布(发射光谱)能提供有关分子的结构、状态方面的重要资料。当处于高能态分子由于种种原因而引起其结构、状态发生变化时,它产生的发     

高压原子物理实验平台和物理研究规划

介绍了高压原子物理平台束流线的主要结构和特点,简要分析了利用高压平台真空原子分子物理研究需求,讨论了开展原子分子物理、表面物理、材料物理和生物物理相关的物理研究的可能性.     

基于微通道板的二维成像探测器

本文介绍了基于微通道板的二维成像探测器的基本原理、结构,制作了有效面积直径达70毫米的微通道板延迟线探测器,并利用辐射源对研制的探测器位置分辨等性能进行了测试,得到的最好位置分辨为0.1毫米;讨论了进一步优化探测器性能的方法.     

Transfer ionization cross-sections measured in collisions of highly charged argon ions with neon target

: Multiple electron transfer processes are studied for Arq+n- Ne (q= 8, 9, 11, 12) collisions by using multi-parameter coincidence techniques. Various electron transfer processes are identified experimentally and the related cross-sections are measured. The dependence of transfer ionization cross-sections on the recoil charge states is compared with the results from the modified molecular classical overbarrier model. It is found that the modified model described the experimental results reasonably.     

一类非线性m-点边值问题正解的存在性

设α∈C[0,1],b∈C([0,1],(-∞,0)).设φ(t)为线性边值问题 u″+a(t)u′+b(t)u=0, u′(0)=0,u(1)=1的唯一正解.本文研究非线性二阶常微分方程m-点边值问题 u″+a(t)u′+b(t)u+h(t)f(u)=0, u′(0)=0,u(1)-sum from i=1 to(m-2)((a_i)u(ξ_i))=0正解的存在性.其中ξ_i∈(0,1),a_i∈(0,∞)为满足∑_(i=1)~(m-2)a_iφ_1(ξ_i)<1的常数,i∈{1,…,m-2}.通过运用锥上的不动点定理,在f超线性增长或次线性增长的前提下证明了正解的存在性结果.     

电子成像均匀约束磁场的产生及测试分析

为增加离子与原子碰撞成像系统中探测电子的立体角，设计了一约束电子的复合型亥姆霍兹线圈装置.对复合型亥姆霍兹线圈的磁场分布进行了理论计算和分析，并对制作的复合型亥姆赫兹线圈产生的磁场进行了实验测量，得出磁场的均匀性好于±0.6%. 关键词： 亥姆霍兹线圈 磁场分布 磁场均匀性     

GaN FP-HEMTs中击穿电压与电流崩塌的关系

研究了钝化在抑制电流崩塌的同时，会引起HEMT器件击穿电压的下降.而采用场板结构的AlGaN/GaN场板HEMT器件(FP-HEMT)的击穿电压从46V提高到了148V，表明了场板对提高击穿电压有显著作用(3倍以上).接着，比较了FP-HEMT器件与常规HEMT器件，钝化后HEMT器件在应力前后的电流崩塌程度，得出了采用场板结构比之钝化对器件抑制电流崩塌有更明显作用的结论.从理论上和实验上都表明，采用场板结构能够很好解决提高击穿电压与抑制电流崩塌之间的矛盾. 关键词： GaN 场板 击穿电压 电流崩塌