全文获取类型
收费全文 | 215篇 |
免费 | 50篇 |
国内免费 | 58篇 |
专业分类
化学 | 113篇 |
晶体学 | 4篇 |
力学 | 29篇 |
综合类 | 9篇 |
数学 | 38篇 |
物理学 | 130篇 |
出版年
2024年 | 1篇 |
2023年 | 8篇 |
2022年 | 14篇 |
2021年 | 6篇 |
2020年 | 3篇 |
2019年 | 8篇 |
2018年 | 13篇 |
2017年 | 10篇 |
2016年 | 12篇 |
2015年 | 14篇 |
2014年 | 14篇 |
2013年 | 17篇 |
2012年 | 14篇 |
2011年 | 18篇 |
2010年 | 10篇 |
2009年 | 9篇 |
2008年 | 8篇 |
2007年 | 12篇 |
2006年 | 19篇 |
2005年 | 10篇 |
2004年 | 11篇 |
2003年 | 7篇 |
2002年 | 5篇 |
2001年 | 5篇 |
2000年 | 6篇 |
1999年 | 3篇 |
1998年 | 4篇 |
1997年 | 5篇 |
1996年 | 7篇 |
1995年 | 3篇 |
1994年 | 4篇 |
1993年 | 5篇 |
1992年 | 7篇 |
1991年 | 5篇 |
1990年 | 3篇 |
1989年 | 7篇 |
1988年 | 5篇 |
1987年 | 3篇 |
1986年 | 2篇 |
1985年 | 1篇 |
1984年 | 1篇 |
1983年 | 1篇 |
1965年 | 2篇 |
1959年 | 1篇 |
排序方式: 共有323条查询结果,搜索用时 31 毫秒
111.
112.
113.
114.
沿面放电是破坏绝缘系统性能的原因之一.聚酰亚胺常用于高频电力设备的气-固绝缘中,为此利用密度泛函理论,从原子分子层面探讨了在外电场下聚酰亚胺及其受极性基团OH~–影响后的单分子链结构、能级与态密度、静电势、激发态等微观参数对陷阱形成以及沿面放电的影响.结果表明,外电场下,聚酰亚胺分子结构卷曲,偶极矩增加,易于积聚电荷形成空间电荷中心,尤属引入极性基团OH~–后变化较明显;聚酰亚胺分子中,苯环区域形成空穴陷阱,酰亚胺环区域形成电子陷阱,且电子陷阱能级的数量较多,其中空间电荷陷阱深度随外电场的增加逐渐变深;聚酰亚胺分子在引入极性基团OH~–后激发能降低,使得分子内部的电子变得容易被激发;电子与空穴的空间分离度随电场增加而降低,利于空穴与电子的复合而发出光子. 相似文献
115.
116.
117.
基于连续变量GHZ态的纠缠特性,提出一种三方量子确定性密钥分配协议,其中密钥由GHZ态的振幅产生,而相位可以用来验证信道的安全性.现有的量子确定性密钥分配协议一次只能向一个接收方传送密钥,现实生活中经常要向多个接收方发送确定性密钥.信息论分析结果表明,当信道传输效率大于0.5时,该协议可以同时向两个接收方安全传送确定性密钥,制备多重纠缠态后,该协议还能够扩展成多方量子确定性密钥分配协议,这极大提高了密钥的整体传送效率,而且连续变量量子GHZ态信道容量较高,因此该协议具有重要的现实意义. 相似文献
118.
Array size scaling of passive coherent beam combination is explored theoretically. The Strehl ratio variation with wavelength is simulated in 4-, 9-, 16-, and 25-channel fiber arrays. The average Strehl ratio and phase error are calculated. The Strehl ratio is found to be near 100% for arrays with less than 5 fibers, but decreases significantly for larger arrays. These results are in good agreement with the recent experimental results. 相似文献
119.
Non-recessed-gate quasi-E-mode double heterojunction AlGaN/GaN high electron mobility transistor with high breakdown voltage 下载免费PDF全文
A non-recessed-gate quasi-E-mode double heterojunction AlGaN/GaN high electron mobility transistor(quasi-EDHEMT) with a thin barrier, high breakdown voltage and good performance of drain induced barrier lowering(DIBL)was presented. Due to the metal organic chemical vapor deposition(MOCVD) grown 9-nm undoped AlGaN barrier, the effect that the gate metal depleted the two-dimensiomal electron gas(2DEG) was greatly impressed. Therefore, the density of carriers in the channel was nearly zero. Hence, the threshold voltage was above 0 V. Quasi-E-DHEMT with 4.1-μm source-to-drain distance, 2.6-μm gate-to-drain distance, and 0.5-μm gate length showed a drain current of 260 mA/mm.The threshold voltage of this device was 0.165 V when the drain voltage was 10 V and the DIBL was 5.26 mV/V. The quasi-E-DHEMT drain leakage current at a drain voltage of 146 V and a gate voltage of-6 V was below 1 mA/mm. This indicated that the hard breakdown voltage was more than 146 V. 相似文献
120.