熔融织构生长(MTG)法制备的YBa_2Cu_3O_(7-x)超导晶体点阵缺陷的同步辐射形貌研究

自Jin等人首次采用熔融法合成类单晶显微结构的体材以来,许多研究者已获得具有高度C轴取向的类单品或高质量的单品。我们用同样方法也制得了在77K、2T磁场下,J_c为2.38×10~4A/cm~2的YBa_2Cu_3O_(7-x)超导晶体,并用高压透射电镜观察证实了高密度的位错、位错环以及弥散分布的211相,CuO粒子可能是主要的磁通钉扎中心,从而大大地     

Y2BaCuO5相含量对大尺寸YBCO织构样品磁性的影响

用ＰＭＰ（粉末熔化法）方法制备出大尺寸织构ＹＢＣＤ样品，名义成分为磁测量结果表明，当ｘ＝１５时．在７７Ｋ下达到较好水平；通过观察样品的组织形貌说明颗粒细小及分布均匀的Ｙ２ｌｌ相能起到较好的钉扎作用。     

湿热处理对壳聚糖/明胶共混膜结构与抗水性能的影响

用流延法成功制备了3种不同配比的壳聚糖／明胶共混膜，并对共混膜进行湿热处理，使共混膜的抗水性能得到了不同程度的提高．在60℃、相对湿度75％条件下对共混膜(CSG20)湿热处理24h，与未处理的膜相比，共混膜在蒸馏水中的吸水率下降了81％，在pH2．8的酸性媒介中的失重率减少了37％．红外(IR)光谱和X-射线衍射(XRD)分析表明，共混膜在抗水性能方面的变化是明胶和壳聚糖在热引导下发生交联和结晶结构发生变化引起的．     

Li~+掺杂Sr_2MgSi_2O_7∶Eu~(2+),Dy~(3+)长余辉材料的发光性能

采用高温固相法制备Li+掺杂Sr2Mg Si2O7∶Eu2+,Dy3+长余辉材料,对样品进行X射线衍射、扫描电镜、激发光谱、发射光谱、余辉衰减曲线和热释光曲线表征,研究了Li+掺杂对Sr2Mg Si2O7∶Eu2+,Dy3+发光性能的影响。实验结果表明:Li+掺杂对样品激发光谱和发射光谱的峰形、峰位基本没有影响,但是能改善样品的余辉性能。与未掺杂Li+的样品比较,Li+掺杂摩尔分数为2.5%样品的初始发光强度提高了1.5倍,余辉衰减常数提高了1.6倍。通过热释光曲线表征分析陷阱数量并计算了陷阱深度,分析表明,掺杂Li+能增加基质中氧空位的数量,适量增加陷阱深度,从而提高材料的发光性能。     

Lifetime Measurement of Cold Atoms in an Integrating Sphere

We present an experimental measurement of the lifetime of the cold ^87 Rb atoms in an integrating sphere. The atoms are cooled by the diffuse light which is generated by the diffuse reflection of laser beams in the integrating sphere. Our result shows that the lifetime is primarily determined by the free fall of the cold ^87Rb atoms, and its half-life can reach 40 ms, which is suitable for many experiments, especially for a cold atom clock.     

我国超导研究出现新突破

 今年初,北京有色金属研究总院采用熔融织构生长法(MTG)成功制备出高临界电流密度的钇钡铜氧化合物超导体.经过中科院物理所连续四次复测,临界电流密度达到每平方厘米23800安培(77K,2特斯拉)。这样高电流密度的高温超导体至今未见国际上有报道.该测试采用直流持续电流四引线法进行,失超判据为每厘米1微伏,磁场方向垂直于测试电流方向.当外磁场增加到7特斯拉时,临界电流密度仍能达到每平方厘米8600安培.     

中子辐照对熔融织构YBa_2Cu_3O_(7-δ)超导体磁学性能及微观组织的影响

本文研究了中子辐照对熔融织构生长(MTG)YBaCuO 超导样品磁学性能及微观组织的影响.采用了两种辐照剂量:2.3×10~(16)n/cm~2和1.16×10~(17)n/cm~2.通过比较辐照前后样品磁滞回线,发现临界电流密度明显提高,在77K、0.1T 磁场下,临界电流密度达到4.7×10~5A/cm~2,此辐照前样品的临界电流密度提高了几十倍.通过观察辐照前后不可逆线 T~*(H)的变化,发     

14MeV快中子对YBa_2Cu_3O_(7-δ)熔融织构样品的辐照效应

本文研究了单能中子(E_n～14MeV)对YBCO熔融织构样品的辐照效应。用磁测量法分别测量了该样品在中子辐照前后,在同一磁场下的磁化强度之比为M_(irr.)/M_(nonirr.)≈3.5,其结果优于国外近期报道的结果。此外,还和低通量慢中子以及高通量快中子对YBCO的辐照效应做了比较,并从核物理方面进行了讨论。     

中子辐照熔融织构YBa_2Cu_3O_y的临界电流

测量了中子辐照熔融织构YBa_2Cu_3Oy样品从1.5 K到85K之间一系列温度下的磁化曲线。磁场H平行于c轴时,在6K观察到磁通跳跃。中子辐照可使临界电流提高一个数量级。分析了临界电流的各向异性,辐照增强与磁场的关系和主要的钉扎中心。讨论了磁通跳跃的物理模型。