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SiC是宽带隙半导体材料的典型代表,具有优良的热学、力学、化学和电学性质,不但可以用作基于GaN的蓝色发光二极管的衬底材料,同时又是制作高温、高频、大功率电子器件的最佳材料之一,因此高质量、大直径SiC单晶的生长一直是材料研究领域的热点课题。目前美国的Cree公司在SiC单晶生长领域研发方面起步早、投入大,SiC单晶的直径达到4英寸,处于领先地位。我国在“十五”期间投入了一定的人力、物力进行了SiC单晶生长的研究,在生长2英寸SiC单晶的工作中取得了一定的成绩[1],但更大直径的SiC单晶生长技术进展缓慢,至今未见国内报道。而对… 相似文献
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6H-SiC衬底片的表面处理 总被引:1,自引:0,他引:1
相比于蓝宝石,6H-SiC是制作GaN高功率器件更有前途的衬底.本文研究了表面处理如研磨、化学机械抛光对6H-SiC衬底表面特性的影响.用显微镜、原子力显微镜、拉曼光谱、卢瑟福背散射谱表征了衬底表面.结果表明经过两步化学机械抛光后提高了表面质量.经第二步化学机械抛光后的衬底具有优异的表面形貌、高透射率和极小的损伤层,其表面粗糙度RMS是0.12nm.在该衬底上用MOCVD方法长出了高质量的GaN外延膜. 相似文献
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距离是中学数学的重要概念之一,平面几何、立体几何以及其它数学分支中的许多概念、定理和法则都是以距离概念为基础加以阐述与研究的.可以说,“距离”是众多数学概念的源概念.有鉴于此,教师在实际教学过程中有意识地培养学生良好的“距离观”与“距离感”(见下文),不但可以加深学生对数学概念及几何体系整体性的深入领会,而且也能培养学生在解题过程中思维的灵活性与广阔性,使学生形成良好的思维品质与习惯,大大提高他们的解题能力. 相似文献
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三(2-甲基-2-苯基丙基)锡芳氧乙酸酯的合成刘宝殿,宁志刚,朱东升,包明(东北师范大学化学系,长春,130024)关键词三(2-甲基-2-苯基丙基)锡芳氧乙酸酯,三(2-甲基-2-苯基丙基)氢氧化锡,芳氧乙酸,杀螨活性1966年Reichle[1]... 相似文献
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由Z个质子和N个中子(统称核于)构成的原子核,在一些场合下表现出独立粒子运动的特征,在另一些场合下表现出A个核子(A=Z+N)集体运动的特征,这两种运动形态又常常相互影响,相互耦合.本文着重介绍原于核集体运动的若干新模式.首先介绍集体振动的新模式. 相似文献