热处理和添加元素对MgB2晶畴尺寸和微观应变的影响

用X射线衍射仪和扫描电镜研究了热处理温度和添加元素(Ti, Zr)对单相MgB2粉末样品的晶畴尺寸和微观应变的影响.结果表明,无论是没添加的还是添加了合金元素的MgB2样品,随热处理温度的升高晶畴尺寸明显增大.在同样处理制度下,添加元素样品的晶畴尺寸明显小于不添加的样品.随热处理温度的升高,微观应变有降低的趋势.晶畴尺寸的测试结果与扫描电镜的观测结果表现出很好的一致性.实验说明,添加元素(Ti, Zr)MgB2样品临界电流密度的提高,与晶格畸变增加,晶畴尺寸变小,晶界增多,导致钉扎力增加有关.     

代数数极小多项式的近似重构

给出了代数数极小多项式近似重构的误差控制条件,进而基于同步整数关系探测算法SIRD,得到一个从代数数近似值重构其准确极小多项式的完备的新算法,从而将“采用近似计算获得准确值”这一思想的适用范围从有理数扩展到代数数.     

采用固态反应法合成超细YBa2Cu3O7-δ粉末

本文介绍了一种用于合成平均尺寸小于1μm的超细YBa2Cu3O7-δ（Y-123)粉末的固态反应法。合成Y－123粉末的传统方法是利用BaCO3、Y2O3和CuO粉末直接固态烧结反应。本文介绍的方法则利用BaCuO2(011)、Y2O3和CuO粉末之间的固态反应。本方法不包括传统反应法中限制反应速率的BaCO3分解反应,因而与传统固态反应法相比,其合成温度及保温时间大大降低,从而可以合成超细粉末。将011、Y2O3和CuO粉末按4：1：2的摩尔比混合后在900℃于流通氧气中烧结15小时,此时反应刚好完成而生成的Y－123粉末又不过分长大,得到的粉末平均尺寸小于1μm。     

粉末熔化法(YHo)Ba2Cu3O7-y超导体的性能与微结构

采用粉末熔化工艺(PMP)制备了高J_c的(YHo)Ba₂Cu₃O_7-y差热分析结果表明,添加Ho可以改变Y系超导体的熔化温度。在YBa₂Cu₃O_7-y中加部分Ho替代Y可以提高体系的J_c,减小样品中211相的平均直径,并且微结构得到改善,在211粒子周围存在大量的晶体缺陷,这些晶体缺陷可能是有效的钉扎中心。 关键词：     

HL-2M 装置集成安装进度控制研究

大型托卡马克装置集成安装工程子项多、接口繁多、工作空间狭小、系统复杂、参与人员众多,如 何做好装置集成安装的进度控制至关重要。基于工程进度风险管理思维,详细分析了 HL-2M 装置集成安装进度 控制风险因素,并探索了进度控制体系有效运行方式,为安装进度风险可控且实现进度控制目标提供了保障,也 为我国大型磁约束核聚变装置集成安装标准化和规模化发展积累了经验。     

肽脱甲酰化酶抑制剂的合成及其抑菌活性

通过对肽脱甲酰化酶抑制剂构效关系的研究,以放线酰胺素为先导化合物,设计并合成了一系列异噁唑类化合物。其结构经1H NMR,IR,MS和元素分析表征。生物活性实验表明,该类化合物对标准肺炎克雷白球菌有显著的抑菌活性。     

新型聚变堆用超导材料Nb3Al的研究现状

未来聚变堆中等离子体能量密度的提高对超导磁体中导体在高场下的载流能力和抗应变能力提出了更高的要求.和已大规模应用的Nb<,3> Sn 相比,A<,15> 型金属间化合物Nb<,3> Al 超导材料在高场下的本征临界电流密度更高,且具有更优异的抗应变能力.经过近三十年的持续研究,Nb<,3>Al 的性能得到大幅提高,已成...     

31.02 MHz回旋加速器谐振腔Dee电压的标定

中国科学院近代物理研究所医用重离子加速器(HIMM) 高频系统31.02 MHz回旋加速器谐振腔已完成设计加工和腔体的老炼,并投入正常运行。高频腔体的设计峰值Dee 电压要求达到70 kV,但是Dee 电压准确计算比较困难,可以通过CST 仿真软件对腔体进行模拟得到高频腔体的RP=Q0 值,结合输入到腔体的实际功率,计算出腔体的实际电压值。为了验证Dee 电压的准确性,在相同的腔体输入功率条件下,利用韧致辐射法测量腔体电压,测量结果与计算结果误差在0.6% 以内。The 31.02 MHz cyclotron RF system of Heavy Ion Medical Machine (HIMM) in IMP(Institute of Modern Physics, Chinese Academy of Sciences) has completed the design and commssioning,and now has already been put into operation. Its peak voltage requires 70 kV, but the precise calculation of the Dee voltage is still a difficulty problem, we can get the value Rp/Q0 of the cavity by CST simulation, and then combining the actual input power for cavity to calculate the real Dee voltage. In order to verify its accuracy, we use the bremsstrahlung method to test the cavity voltage under the condition of same input power. The error between test results and calculation is less than 0.6%.     

HCCB-TBM����Li4SiO4�򴲶ѻ��ṹ����ֵģ��

通过离散元法初步模拟了微球在重力作用下的堆积行为,并分析了氚增殖区Li4SiO4球床的局部堆积结构.研究结果表明,摩擦系数和恢复系数对球床最终堆积结构有很大的影响.当摩擦系数较小时,摩擦系数对球床堆积结构的影响起主要作用;当摩擦系数较大时,恢复系数对球床堆积结构的影响起主要作用.球形颗粒从靠近壁面处的规则分布逐渐过渡到内部区域的均匀随机分布.球床局部堆积因子表现出了明显的壁面效应,其分布随着微球到壁面距离的增加而呈现出振幅逐渐减小的振荡趋势.所得到的球床堆积结构信息可用于研究球床传热特性和提氚气体流动特性的随机堆积球床模型的建立.