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111.
聚苯硫醚及其碳纤维复合材料结晶动力学的研究 总被引:1,自引:1,他引:1
用膨胀计法研究了聚苯硫醚及其碳纤维复合材料的结晶动力学行为。发现其碳纤维复合材料对Avrami方程有较明显的偏离。聚苯硫醚具有中等的结晶速率,与PE、PMO等高聚物比较,它的σσ_c值、堆砌系数K_c以及结晶动力学方程中的前置指数G_0值较低。G_0是决定高聚物结晶速率的主要因素,ρ_a/ρ_c(值较小的高聚物有可能出现较高的结晶速率。 相似文献
112.
113.
本工作应用偏光显微镜、化学蚀刻及扫描电子显微镜等技术,研究了经不同方式热处理的聚苯硫醚(PPS)的结晶形态和不同碳纤维及玻璃纤维对PPS诱发结晶的能力及横晶的形态。并研究了这些不同结构形态的PPS的抗化学腐蚀性以及碳纤维的界面效应对它的影响。 相似文献
114.
115.
助剂镍/钴对磷化钨催化剂加氢精制性能的影响 总被引:3,自引:0,他引:3
在共浸渍法制备磷化钨/γ-Al2O3催化剂基础上,分别加人1%、3%、5%、7%和9%(占活性组分比例)的助剂镍或钴,制得负载30%含助剂镍/钴磷化钨/γ-Al2O3系列催化剂,考察了助剂及其加人比例对催化剂加氢脱硫和加氢脱氮性能的影响.结果表明,加人适当比例的助剂镍或钴,有利于提高磷化钨/γ-Al2O3催化剂的加氢脱硫活性,当助剂含量分别为5%镍或7%钴时,催化剂的噻吩加氢脱硫率最高;助剂镍对磷化钨/γ-Al2O3催化剂的加氢脱氮反应不利,而加人适当比例助剂钴有利于提高催化剂加氢脱氮活性,当助剂钴含量为5%时,催化剂吡啶加氢脱氮率最高.温度对磷化钨/γ-Al2O3催化剂加氢精制性能有一定影响,高温有利于加氢脱硫反应,低温有利于加氢脱氮反应. 相似文献
116.
美国爱达荷(Ideho)大学化学系魏建漠教授(美籍华人)应邀于三月十日至二十日在中山大学讲授“痕量元素分析技术与仪器方法”课程,广州市各大专院校、科研单位共60人参加了该讲习班。 相似文献
118.
从中国特有植物四川轮环藤(Cyclea sutchuenensis Gagnep.)根中分得两种海岛轮环藤碱-N-氧化物。采用波谱分析和化学方法鉴定, 证明分别为海岛轮环藤碱-2β-N-氧化物(3)和海岛轮环藤碱-2'β-N-氧化物(4)。二者均为新生物碱, 是首尾氧桥双苄基异喹啉生物碱-N-氧化物。从该植物根中还分得已知的海岛轮环藤碱(1)和海岛轮环藤酚碱(2)。本文首次详细报道并分析了2的1^H NMR和13^C NMR数据。经三种人癌细胞实验, 证明2具有显著的抗癌活性。 相似文献
119.
A highly hydrophobic cyclic peptide GG-110824,cyclo(Gly-Leu-Val-Leu-LeuVal-Pro-Ile-Gly-Leu)(C49H86N10O10),has been synthesized by a strategy combined with solid-phase synthesis(SPPS) of linear peptide and cyclization in solution.The structure including the absolute configuration of synthesized GG-110824 was confirmed by CuK radiation X-ray crystallography in the monoclinic system,space group P21 with a = 11.4966(10),b = 18.5286(2),c = 13.3943(10),= 95.03o,V = 2842.20(4)3,F(000) = 1080 and Z = 2. 相似文献
120.
InN and In0.46 Ca0.54N films are grown on sapphire with a CaN buffer by metalorganic chemical vapour deposition (MOCVD). Both high resolution x-ray diffraction and high resolution transmission electron microscopy results reveal that these films have a hexagonal structure of single crystal. The thin InN film has a high mobility of 4 75 cm^2V^-1s^-1 and that oflno.46 Gao.54N is 163 cm^2 V^-1s^-1. Room-temperat ure photoluminescence measurement of the InN film shows a peak at 0.72eV, confirming that a high quality InN film is fabricated for applications to full spectrum solar cells. 相似文献