ZEMAX辅助分析斜方棱镜面形误差对出射光平行度的影响

介绍一种根据出射光平行度要求计算斜方棱镜面形误差的方法。根据忽略局部光圈数的简化分析模型,获得面形误差对应光圈数与相关球面半径的关系,通过几何处理方法,求得一定面形误差对应的球面半径与平面倾角的关系,将斜方棱镜的工作面倾斜一定角度,运用折射定理,将具体面形误差转化为相应平面的倾斜角度,得到出射光相对于理想光轴的倾斜角度及其关系式,并在ZEMAX中建立斜方棱镜的两种模型。根据ZEMAX仿真结果,给出了各个工作面形误差分配方案,得出随着光束口径的增大,斜方棱镜反射工作面和折射工作面面形误差对出射光偏折角影响规律不同等结论。     

基于LIBS的GdFe合金材料快速检测技术研究

为了明晰LIBS（激光诱导击穿光谱）技术检测稀土合金材料的光谱特点，进一步开发基于LIBS的快速检测方法，推动LIBS技术在稀土领域的应用。本文利用激光诱导击穿光谱仪对GdFe合金材料的激发光谱，结合信号强度及背景噪音，研究确定了最佳设置参数。分别考察激光器和光谱仪的参数设置对光谱的影响，根据激发光谱中相关谱线的变化趋势，探讨GdFe合金材料的LIBS检测方法。实验发现，GdFe合金样品与激光孔(Laser aperture)的距离(Z值)、激光能量和积分时间是影响 LIBS光谱信号强度和背景噪音的关键参数。因金属和合金样品表面常覆盖氧化层，考察了脉冲激光的预剥蚀次数对光谱稳定性的影响，研究得出，在双脉冲均为164 mJ激光能量的激发下，预剥蚀1次可保证光谱效果。同时研究了两个激光器同时激发和延迟激发对GdFe合金光谱成因的影响，发现单脉冲激发与双脉冲同时激发所得光谱的信号强度并非两束脉冲单独激发的累加信号。通过光谱分析，确定了Z值0.8 mm、两个激光器的脉冲能量164 mJ、积分时间12 μs、脉冲延时时间0 μs，GdFe合金材料的光谱效果最佳，可为GdFe合金材料的LIBS检测方法建立提供参考，拓展LIBS技术在稀土领域的应用，为稀土合金产品的快速检测技术发展提供基础研究数据。     

基于Z扫描理论的光限幅优化分析

基于Z扫描的基本理论,根据强光光束在非线性介质中的特殊传播规律,改变光路的几何排列及光阑孔径,计算了不同情况下光阑的归一化透过率,从而确定各个参数对限幅效果的影响,得出最佳的几何排布,以实现限幅器的优化设计.     

Synthesis and PL Properties of ZnSe Nanowires with Zincblende and Wurtzite Structures

Single crystalline ZnSe nanowires with both zincblende and wurtzite structures have been synthesized via a chemical vapour deposition method under different growth conditions. The nanowires are usually 50-80nm in diameter, and several tens of microns in length. Room-temperature photoluminescence spectra from zincblende and wurtzite ZnSe nanowires show a broad luminescence band peaked at around 2. 71 e V and a deep level emission band peaked at around 2.00 eV, respectively. Effects of post-growth annealing on the photoluminescence of these nanowires have been investigated. Strong room-temperature band-edge emission could be obtained from the annealed zincblende ZnSe nanowires.     

含纳米锗粒二氧化硅薄膜的光致发光研究

以锗-二氧化硅(GSO)复合靶作为溅射靶，改变靶上锗与总靶面积比为0%，5%和10%，用射频磁控溅射方法在p型硅衬底上淀积了含锗量不同的三种二氧化硅薄膜.各样品分别在氮气氛中经过300至900℃不同温度的退火处理.通过对样品所作Raman散射光谱的分析，发现随着锗在溅射靶中面积比的增加，所制备的氧化硅薄膜中纳米锗粒的平均尺寸在增大.确定出随着退火温度由600℃升高到900℃，GSO(5%)样品中纳米锗粒的平均直径由5.4nm增至9.5nm.含纳米锗粒大小不同的二氧化硅薄膜的光致发光谱中都存在位于2.1eV     

n+-Si与p-Si衬底上含纳米硅的SiO2膜电致发光

对于Au/富Si-SiO₂/p-Si和Au/富Si-SiO₂／n⁺-Si这两种结构，研究并比较了它们的电致发光特性．对于前者，当正向偏压大于4V时发射红光，而加反向偏压时不发光；对于后者，加正向偏压不发光，而当反向偏压大于3.5V时发射红光．着重讨论了Au/富Si-SiO₂/n⁺-Si的电致发光机制 关键词：     

甲基三乙氧基硅烷修饰的Ti3+/SiO2复合薄膜的发光性能

采用溶胶-凝胶(Sol-Gel)法, 以正硅酸乙酯(TEOS)和甲基三乙氧基硅烷(MTES)为先驱物, 盐酸为催化剂, 用二步水解法制备了Ti3+/SiO2薄膜和甲基三乙氧基硅烷修饰的Ti3+/SiO2复合薄膜. 采用红外光谱仪、X射线衍射仪、椭偏仪、荧光光谱仪等对膜层性质进行了分析. 结果表明, 掺杂Ti3+的SiO2薄膜分别在250 nm附近有一弱的激发峰, 294 nm附近有一强的激发峰, 在393 nm附近出现一强的发射峰. IR光谱发现, MTES修饰的Ti3+/SiO2复合薄膜的Si—OH的吸收峰强度比Ti3+/SiO2薄膜的略减小, Si—O—Si的吸收峰明显增强, 表明复合薄膜硅氧网络结构更规则, 有利于Ti3+的均匀分散. Ti3+/SiO2薄膜与复合薄膜的孔隙率分别为13.64%和6.66%, 表明MTES的加入使薄膜更致密. 在空气中陈放30 d后, Ti3+/SiO2薄膜已经检测不到荧光发射峰, 而MTES修饰的Ti3+/SiO2复合薄膜荧光强度只下降了18%. 在氮气中陈放30 d后, 普通薄膜与复合薄膜的荧光强度均仅下降了10%. 表明Ti3+的荧光猝灭的主要原因是由于Ti3+被氧化造成的. 溶胶中加入MTES后, 薄膜表面结构得到改善, 有效地防止了Ti3+的氧化, 荧光强度更稳定.     

中子辐照高掺硅砷化镓的光致发光研究

研究了高掺硅的n型GaAs在中子辐照前后和150℃-500℃等时热退火以后的光致发光光谱。观察到在中子辐照后积分发光强度降低为辐照前的1/36。在退火温度超过250℃时,积分发光强度显著增长,当退火温度达400℃以上时,在带边峰的低能侧出现能量为1.35eV、1.30eV和1.26eV的发光峰。假设250℃退火阶段对应于较大的空位团分解为较小的空位团,400℃退火阶段对应于较小的空位团分解出VGa,可以较好地解释实验现象。     

用于三角方向鉴别测量的客观判别模型

为减小人为因素对三角方向鉴别测量的影响,有效提高测量效率,研究了以机器视觉系统替代观察者进行三角方向鉴别测量的途径,建立了一种专门针对三角方向鉴别测量的客观判别模型。该模型以人眼视觉系统对信号的处理过程以及人眼视觉系统的主要效应为基础,利用方向通道滤波器实现图像信号分解,通过计算视觉特征矢量相关度,实现三角形靶标方向的判别。结合凝视型成像系统虚拟样机提供的三角形靶标,进行了客观判别模型与观察者的判别性能对比实验,并给出三组不同靶标尺寸下的对比实验结果。实验结果表明,客观判别模型很好地预测了观察者的判别性能。     

光谱分辨条纹相机测量高能啁啾脉冲特性

实验演示了光谱分辩条纹相机法测量高能啁啾脉冲特性，该方法不仅可以用于测量纳秒量级的放大啁啾脉冲，还可以实时监测压缩器的调节.通过实验证实百焦耳PW演示平台输出的百焦耳量级的纳秒啁啾脉冲具有可压缩性.