MgO缺陷和不规则表面吸附Cl2的电子结构研究

采用从头算程序对MgO表面 3种不同配位位置吸附Cl2 的构型进行优化 ,并用扩展休克尔紧束缚 (EHT)晶体轨道方法对MgO的缺陷和不规则表面吸附Cl2的可能构型进行能带计算 ,讨论了吸附前后能带组成和成键性质的变化。研究表明 :MgO表面吸附Cl2 将更趋向于吸附在O原子上而非Mg原子上 ,而且在 3种配位中MgO表面三配位氧最有利于吸附Cl2 ;吸附时 ,电子从O原子转移到Cl2 分子的反键轨道 ,但是各种吸附构型的MgO表面对Cl2 的吸附作用均比较微弱 ,是典型的物理吸附。     

MgO缺陷和不规则表面只附Cl的电子结构研究

采用从头算程序对ＭｇＯ表面３种不同配位位置吸附Ｃｌ２的构型进行优化,并用扩展休克尔紧束缚（ＥＨＴ）晶体轨道方法对ＭｇＯ的缺陷和不规则表面只附Ｃ１２的可能带计算,讨论了吸附前后能带组成和成键性质的变化。研究表明：ＭｇＯ表面吸附Ｃｌ２将更超向于吸附在Ｏ原子上而非Ｍｇ原子上,而且在３种配位中ＭｇＯ表面三配位氧最有利于吸附Ｃｌ２;吸附时,电子从Ｏ原子转移到Ｃｌ２分子的反键轨道,但是各种吸附的ＭｇＯ表面对Ｃ     

C_4S_4~(m-)(m=0,1,2,3,4)的从头算研究2.成键状况、电离势和振动频率

在ＲＨＦ（基离子在ＵＨＦ）／６－３１Ｇ,６－３１Ｇ＊和６－３１＋Ｇ水平用从头算和Ｂｏｙｓ定域化方法计算了Ｃ４Ｓ４ｍ－（ｍ＝０,１,２,３,４）的电子结构、电离势和定域化分子轨道。讨论了其成键特征和电离势与ΔＥＳＣＦ的关系。在６－３１Ｇ水平用ａｂｉｎｉｔｉｏ解析方法计算它们的谐振动频率。电子结构计算结果和Ｂｏｙｓ定域化分子轨道及振动分析结果与优化的平衡几何和相对稳定性相一致     

MgO缺陷和不规则表面吸附CO的能带和电子结构研究

采用从头算程序优化MgO表面三种不同配位位置吸附CO构型,并用扩展休克尔紧束缚(EHT)晶体轨道方法对MgO的缺陷和不规则表面吸附CO的可能构型进行能带计算,讨论了能带结构及组成,不同构型吸附前后能带和成键性质的变化,以及吸附前后的电荷转移和吸附键的变化规律。研究结果发现,CO的C端更有利于在MgO固体表面的吸附,具有氧缺陷结构的MgO更有利于吸附分解CO。     

[Pd(en)_2Pd(en)_2X_2]_n~(4 )(X=Cl,Br,Ⅰ)链的畸变研究

对一维卤桥过渡金属化合物[Pd（en）2Pd（en）2X2]n4 （X＝Cl,Br,I）应用量子化学从头算及EHT能带计算进行了研究,发现Peierls畸变的产生及程度取决于填充轨道能量的降低与核间及电子间相互作用,合理解释了[Pd（en）2Pd（en）2X2]n4 （M=Pt,Pd,Ni;X＝Cl,Br,I）化合物畸变及混合价的递变规律．分析了Peierls畸变的产生对能隙及混合价的影响,得出了[Pd（en）2Pd（en）2X2]n4 （X＝Cl,Br,I）体系Pd的电荷差δe与偏移长度d存在线性关系的规律．     

C4Sm-4相对稳定性的从头算研究

从五十年代至今，对用通式C；；0：－…＝3，45，6n表征的氧碳化合物（OXOCCbollS）已进行了大显的理论和实验研究，认为它们是一类新的芳香化合物山．用硫、硒等取代氧的类似化合物（一般称为类氧碳化合物或假氧碳化合物，ps。11。10－OX。。CCI．b0118）的研究也有许多报导［     

簇合物Mo2X4(X＝S,O)电子结构和光谱性质的Ab Initio研究

在abinitio水平上对含cis/trans-MO₂S₄核和含Mo₂O₄核簇合物的电子结构进行了研究.对钼原子选取和构造了一组适合于含Mo-Mo金属键的双核钼簇合物从头算的(4s4p2d)基组,利用该基组并结合自然键轨道(NBO)方法,对含上述簇胳的3个簇合物的电子结构进行了研究,并与相应的钨簇合物进行了比较.     

基于蜗舌改型的空调用离心风机流动分析及降噪研究

本文采用计算流体动力学和声类比相结合的混合方法对空调用离心风机进行流场以及声场的计算,同时进行风机风量和噪声的实验测量,验证所采用的数值计算模型和计算方法的有效性.针对原型非常规蜗壳,提取蜗壳中间截面型线进行直蜗舌的蜗壳设计,在此基础上设计了三种倾斜蜗舌的蜗壳.根据数值计算结果,对最优倾斜蜗舌进行了实验验证。经实验测试,风机在各个工况点风量均有提升,在最大风量点风量提升6.0%,噪声降低1.4 dB(A).数值分析风机内部流动特征及噪声特性,发现在蜗舌附近流动区域内湍流强度和涡量明显减小,在叶片通过频率处声功率谱密度以及噪声峰值明显下降,这也表明风机的旋转噪声得到了有效控制。     

Syntheses and Crystal Structures of Two Mononuclear Tin（IV） Complexes Derivedfrom Sn（edt）2 （edt = Ethane-1,2-dithiolate）

1INTRODUCTIONRecentlythedesignandsynthesisoftinsulfide-basedsolidstatematerialshasreceivedmuchattentionowningtotheirinterestingoptical,catalyticandelectricalpropertiesfordeviceappli-cations[1].Becauseoftheversatilecoordinationcharacteristicsoftinandsulfur…     

层状金属配位聚合物[｛NIX_2(bipy)｝n](X=F,Cl,Br,I;bipy=4,4'-bipyridyl)的能带结构研究

用紧束缚（EHT）晶体轨道方法对层状金属配住聚合物[{Nix2。（bipy）｝n]（X=F，Cl，Br，I；bipy=4，4’－bipyridyl）进行了能带结构计算，并利用键向量方法对这一系列聚合物能带特征和成键性质进行了讨论。研究表明，Fermi能级附近的能带主要是金属镍原子和卤素原子之间形成的d－pσ反键作用，这一反键作用的强弱对导电性起决定作用。