基于纳米金多光子激发荧光的均相免疫检测新方法

本文报道了粒径小于20nm的球形纳米金颗粒(AuNSs)的强多光子激发荧光,这主要归因于多光子激发过程中的高光子密度引起的局域场增强效应。AuNSs的多光子荧光与影响局域场增强效应的颗粒尺寸及团聚程度有关。基于吸附在纳米金表面的BSA与Anti-BSA的作用引起纳米金团聚导致其多光子荧光增强,结合近红外区的多光子激发可以避免生物分子自发荧光及散射光的干扰这一优势,建立了一种高灵敏、高选择性检测血清中Anti-BSA的均相免疫分析方法。检测的线性范围从1.16nmol/L到35nmol/L,检出限为0.08nmol/L。而且通过在纳米金颗粒表面包覆硅壳实现了纳米金的荧光增强及表面功能化,由此可以建立一系列基于纳米金多光子荧光的分析检测方法。     

Damage effects and mechanism of the silicon NPN monolithic composite transistor induced by high-power microwaves

A two-dimensional model of the silicon NPN monolithic composite transistor is established for the first time by utilizing the semiconductor device simulator, Sentaurus-TCAD. By analyzing the internal distributions of electric field,current density, and temperature of the device, a detailed investigation on the damage process and mechanism induced by high-power microwaves(HPM) is performed. The results indicate that the temperature elevation occurs in the negative half-period and the temperature drop process is in the positive half-period under the HPM injection from the output port.The damage point is located near the edge of the base–emitter junction of T2, while with the input injection it exists between the base and the emitter of T2. Comparing these two kinds of injection, the input injection is more likely to damage the device than the output injection. The dependences of the damage energy threshold and the damage power threshold causing the device failure on the pulse-width are obtained, and the formulas obtained have the same form as the experimental equations, which demonstrates that more power is required to destroy the device if the pulse-width is shorter. Furthermore,the simulation result in this paper has a good coincidence with the experimental result.     

溴代十六烷吡啶从碱性氰化液中固相萃取金的研究

基于溴代十六烷吡啶(CPB)与Au(CN)2-络阴离子生成的离子缔合物可被反相键合硅胶固相萃取柱萃取、富集,建立了一种从碱性氰化液中高富集倍数固相萃取金的方法。在碱性介质中,溴代十六烷吡啶(CPB)与Au(CN)2-络阴离子生成离子缔合物,该离子缔合物可被反相键合硅胶固相萃取柱萃取、富集,富集的离子缔合物可用乙醇洗脱,洗脱液经处理后用分光光度法测定,反相键合硅胶固相萃取柱不被破坏而且可重复使用。方法用于从碱性氰化液中固相萃取痕量金,萃取回收率可超过98%,研究了反向固相萃取金的机理,同时提出了一种从碱性氰化液中提取金的新工艺。     

钠离子电池:储能电池的一种新选择

钠离子电池在20世纪70年代末80年代初得到关注,但因锂离子电池优异的电化学性能而没有得到广泛研究.随着电动汽车、智能电网时代的到来,锂资源短缺将成为制约其发展的重要因素.因此,亟需发展下一代综合性能优异的储能电池体系.钠和锂具有相似的物化性质,且钠资源丰富,成本低廉,是非常有发展潜力的电池体系,近年来得到了国内外研究人员的广泛关注.简要综述了近年来钠离子电池的研究成果,就层状Nax MO2(M=Co,Ni,Fe,Mn,V等)材料、聚阴离子型材料、金属氟化物等正极材料及碳基负极材料、合金和金属氧化物等负极材料的电化学性能进行了介绍,阐述了有机体系电解质和凝胶电解质在钠离子电池中的应用,并对其存在的问题以及未来发展方向作了探讨.     

光照度探测器设计与精度校正

助航灯光系统为夜间或能见度较低环境下飞机的安全起降提供安全保障。快速准确地测量和判断其光强等级、光照射角等是否符合国际民用航空组织(ICAO)的标准,是保障机场安全运行的重要工作。本文设计了基于硅光电池的照度探测器,通过余弦校正器和不同滤光片的组合完成视见函数校正和照度探测的精度标定,实现了灯光的高速动态检测;完成了光照度探测器的线性标定和动态精度测量实验,照度测量误差率和动态测量误差均满足ICAO规定的要求;实现了助航灯光平行截面内光强的高速动态检测。     

哈大客运专线沈阳高铁站弹塑性时程分析

以哈大客运专线沈阳站为工程背景,对该结构进行罕遇地震作用下的弹塑性时程分析。通过SAP2000有限元软件研究结构的动力特性、变形状况、基底剪力时程曲线,分析了框架梁、柱的塑性损伤发展历程、拱桁架的塑性铰出铰机制以及关键框架梁、柱构件的塑性损坏状态。结果表明:结构在7度罕遇地震作用下基底剪力与多遇地震下比值最大为5.69;框架梁的损伤比框架柱严重,已进入"极限承载力"状态,仅有少量框架柱进入塑性变形阶段,结构满足"强柱弱梁"的设防要求;关键梁、柱构件损坏程度为79%和68%,仍有较大的富余度。结构薄弱区集中在顶层商业层区域,由于屋面和框架柱的连接效应,柱顶率先出现塑性铰,致使顶层位移角增大。     

3,5-二碘水杨醛缩2,6-二氨基吡啶席夫碱及其金属配合物的制备及与ct-DNA的作用研究

由3,5-二碘水杨醛和2,6-二氨基吡啶反应合成了席夫碱配体,将其与4种过渡金属硝酸盐反应生成相应的配合物,通过元素分析、电子光谱、红外光谱、TG-DTA及摩尔电导率确定配合物的结构和组成为[M(NO3)L]·H2O,由Gaussian03程序对其进行了优化计算,给出了配合物的主要键参数.通过紫外吸收光谱、荧光发射光谱...     

阴离子配位化合物[Cl包含Pt（bpt）4]Cl（bpt=氮,氮′-双（3-吡啶甲基）-2-硫脲）的制备与研究

本文介绍了阴离子配位化合物[Cl包含Pt（bpt）4]Cl（bpt=氮,氮′-双（3-吡啶甲基）-2-硫脲）的合成,采用X-射线单晶衍射、核磁共振和质谱等手段进行了表征,并讨论了相应结果.晶体结构揭示Pt（bpt）4阴离子受体可以形成锥形构型并通过多重氢键和静电作用在形成的空腔内部包结一个Cl^-离子,四个硫脲基团中所含的N原子与Cl离子之间形成了四重N—H…Cl^-氢键（3.49～3.81 A）.被包裹的Cl^-离子与中心Pt原子之间的距离约为3.52A.以此配合物为基础,我们进一步研究了基于该阴离子配合物的8个自由吡啶基团与8当量的四苯基锌（Ⅱ）卟啉（ZnPr）之间的二级配位组装行为.     

一道数学竞赛题证法的探究及推广

如图1,△ABC内接于⊙O,AC〉BC,点D为ACB的中点,求证：AD^2=AC·BC＋CD^2．     

左截断右删失数据下分位密度估计的重对数律

在左截断右删失数据下，我们基于乘积限估计给出了分位密度估计， 获得了分位密度估计及其导数的重对数律。