硅基单片式复合晶体管的结构参数对高功率微波损伤效应的影响（英文）

建立了三种不同结构的硅基单片式复合晶体管(由T1和T2两个晶体管构成)的二维电热模型,研究了高功率微波对不同结构的硅基单片式复合晶体管的损伤效应的影响。获得了不同器件结构下导致复合晶体管损伤的损伤功率阈值和损伤能量阈值分别与脉宽的关系。结果表明,当复合晶体管的总体尺寸不变而T2和T1晶体管的面积比值更大时需要更多的功率和能量来损伤器件。通过分析器件内部电场、电流密度和温度分布的变化,得到了复合晶体管的结构对其微波损伤效应的影响规律。对比发现,三种结构的复合晶体管的损伤点均位于T2管的发射极附近,随着T2和T1晶体管面积比的增大,电场、电流密度和温度在器件内部的分布将变得更加分散。此外,在发射极处增加外接电阻Re,研究表明损伤时间随发射极电阻的增大而增加。因此可以得出结论,适当改变器件结构或增加外接元件可以增强器件的抗微波损伤能力。晶体管的仿真毁伤点与实验结果一致。     

关于GA-凸函数的若干Hadamard型不等式

利用GA-凸函数的定义及其Hadamard型不等式,得到与重积分有关的GA-凸函数Hadamard型不等式的推广和加细.     

平方凸函数Hermite-Hadamard型不等式的改进

利用平方凸函数与凸函数的关系,证明了平方凸函数单侧导数的存在性和单调性,建立了平方凸函数与其单侧导数的不等式关系.在此基础上,给出平方凸函数定积分已有下界的改进和新的下界.给出由平方凸函数Hermite-Hadamard型不等式生成的差值的估计.     

与GA-凸函数有关的两个函数

引入两个与GA-凸函数有关的函数,研究了它们的凸性、单调性及相互关系,获得了已有文献关于GA-凸函数的Hadamard型不等式的加细,也得到一些新的不等式.     

两个严格的加权Ostrowski型不等式

使用Cauchy积分不等式和Grüss不等式的变式得到两个严格的加权Ostrowski型不等式.     

Damage effects and mechanism of the silicon NPN monolithic composite transistor induced by high-power microwaves

A two-dimensional model of the silicon NPN monolithic composite transistor is established for the first time by utilizing the semiconductor device simulator, Sentaurus-TCAD. By analyzing the internal distributions of electric field,current density, and temperature of the device, a detailed investigation on the damage process and mechanism induced by high-power microwaves(HPM) is performed. The results indicate that the temperature elevation occurs in the negative half-period and the temperature drop process is in the positive half-period under the HPM injection from the output port.The damage point is located near the edge of the base–emitter junction of T2, while with the input injection it exists between the base and the emitter of T2. Comparing these two kinds of injection, the input injection is more likely to damage the device than the output injection. The dependences of the damage energy threshold and the damage power threshold causing the device failure on the pulse-width are obtained, and the formulas obtained have the same form as the experimental equations, which demonstrates that more power is required to destroy the device if the pulse-width is shorter. Furthermore,the simulation result in this paper has a good coincidence with the experimental result.     

影响我国物流企业信息化水平的关键因子分析

目前我国物流业信息化水平低,为加速我国物流业信息化进程,急需找到影响我国物流企业信息化水平的关键因子,以便能针对性地采取对策.首先基于现有文献,初步找出影响我国物流企业信息化水平的全部主要因素,然后采用因子分析方法,得出影响我国物流企业信息化水平的关键因子有九类,即政府支持因子、信息化技术因子、物流产业发展因子、信息化实施因子、信息化人才因子、行业与企业管理因子、信息化风险因子、信息化资金因子、利益相关者信息化水平因子.     

多金属氧酸盐簇-聚合物杂化功能材料的研究进展

随着高新科技的快速发展与日益更替,兼有无机材料多功能性和聚合物可加工性的杂化材料具有重要的应用前景。本文论述并回顾了将多金属氧酸盐簇(Polyoxometalates)与聚合物通过共价键连接制备多金属氧酸盐簇-聚合物杂化物(Polyoxometalate-Polymer Hybrids)的研究现状。依据所制备杂化物中聚合物链的构型进行分类,综述了近年来该领域的研究进展,并重点介绍了本课题组在过去几年里的研究成果。     

CMOS反相器的快上升沿强电磁脉冲损伤特性（英文）

随着电磁环境的日益复杂,保证集成电路(IC)的可靠性成为一个巨大的挑战。在此基础上,通过对CMOS反相器的仿真和实验研究,研究了快上升沿电磁脉冲(EMP)引起的陷阱辅助隧穿(TAT)效应。对此进行了详细的机理分析用于解释其物理损伤过程。EMP感应电场在氧化层中产生陷阱和泄漏电流,从而导致器件的输出退化和热失效。建立了退化和失效的理论模型,以描述输出退化及热积累对EMP特征的依赖性。温度分布函数由半导体中的热传导方程导出。基于TLP测试系统进行的相应实验证实了出现的性能退化,与机理分析一致。Sentaurus TCAD的仿真结果表明,EMP引起的损坏是由栅极氧化层中发生的TAT电流路径引起的,这也是器件的易烧坏位置。此外,还讨论了器件失效与脉冲上升沿的关系。本文的机理分析有助于加强其他半导体器件的EMP可靠性研究,可以对CMOS数字集成电路的EMP加固提出建议。