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101.
振动轮式微机械陀螺仪存在两个主要的工作模态 :驱动模态和敏感模态。本文研究了敏感模态反馈控制环节对系统工作性能的影响。提出刚度、阻尼组合反馈的模态控制思想 ,探讨了利用刚度反馈控制敏感模态的固有谐振频率 ,利用阻尼反馈控制系统检测范围的多参量控制方法 ;并对敏感模态中刚度反馈校正环节和阻尼反馈的校正环节进行了详细的分析 ,建立了系统对两个校正环节在增益和相位上的要求。 相似文献
102.
Influence of ion species ratio on grid-enhanced plasma source ion implantation 总被引:1,自引:0,他引:1 下载免费PDF全文
Grid-enhanced plasma source ion implantation (GEPSII) is a newly proposed technique to modify the inner-surface properties of a cylindrical bore. In this paper, a two-ion fluid model describing nitrogen molecular ions N_2^+ and atomic ions N^+ is used to investigate the ion sheath dynamics between the grid electrode and the inner surface of a cylindrical bore during the GEPSII process, which is an extension of our previous calculations in which only N_2^+ was considered. Calculations are concentrated on the results of ion dose and impact energy on the target for different ion species ratios in the core plasma. The calculated results show that more atomic ions N^+ in the core plasma can raise the ion impact energy and reduce the ion dose on the target. 相似文献
103.
在1.5K低温和0~9T的高磁场下研究了AlGaG/GaN异质结二维电子气的磁输运性质.实验结果在4块样品中都观察到了Shubnikov-da HaSS振荡的双周期行为.表明异质结的三角势阱中有两个子带被电子占据.通过电子子带占据时电子浓度分配的线形行为得到第二子带被占据的阈值浓度为7.2×1012cm-2.通过对不同样品量子散射时间和输运迁移率的研究,说明在1.5K下远程离化施主散射在量子散射时间中起主要作用. 相似文献
104.
通过变磁场霍耳测量研究了MBE生长的Hg0 .80 Mg0 .2 0 Te薄膜在 1 5— 2 5 0K温度范围内的输运特性 .采用迁移率谱 (MS)和多载流子拟合过程 (MCF)相结合的方法对实验数据进行了分析 ,由该方法获得的结果和ShubnikovdeHass(SdH)振荡测量的结果都证明材料中存在二维 (2D)电子和三维 (3D)电子 .其中 2D电子主要来自于Hg1-xMgxTe CdTe的界面积累层或Hg1-xMgxTe与真空界面附近的积累层 .3D电子迁移率随温度的变化关系表明了Hg1-xMgxTe中的电子散射机理与Hg1-xCdxTe中的非常相似 :在低温下电离杂质散射 (考虑了屏蔽效应 )起主导地位 ,而温度在 10 0K以上时 ,晶格散射占主导地位 . 相似文献
105.
人参中氨基酸及多肽的研究 总被引:7,自引:0,他引:7
氨基酸及多肽是人参中重要成分之一。田中治,Gstirner等对人参根中氨基酸分析表明,主要有Arg、Lys、Ala、Ser、Tyr、Pro、Gly、Glu、Thr、Leu、Ile、Val、AspPhe、His等,也曾确定含半胱氨酸。我们分析了吉林省集安边条参各部位的氨基酸(见表1)表明,芦头和花蕾各检出16种;根检出15种;侧根、须根和叶各检出14种。 相似文献
106.
107.
本文用共焦显微拉曼系统原位观察了Si(100)表面氢终端原子在稀氢氟酸中的变化过程。研究表明:在硅片浸入氢氟酸溶液的初期,表面主要被硅和三个氢原子的结合体(Si H3)以及硅和两个氢原子的结合体(Si H2)所覆盖。随着腐蚀过程的延长,Si H3越来越少,Si H2的信号不断增强,并且,硅和单个氢原子的结合体(Si H)的信号也开始出现。最终,硅表面主要被Si H2所覆盖,有少量Si H3和Si H键。本文还表明,拉曼光谱用来原位观察半导体材料表面终端原子键在溶液中的变化是很有用的工具 相似文献
108.
109.
110.