钙钛矿型稀土锰氧化物La_(0.7)Sr_(0.3)Fe_xMn_(1-x)O_3的磁性和巨磁电阻效应

采用溶胶 凝胶工艺制备了La0 .7Sr0 .3FexMn1 -xO3化合物 ,研究Fe掺杂对材料的导电性能、磁性能、磁电阻性能的影响。发现随Fe含量的增加 ,材料的电阻率提高 ,铁磁居里温度 (TC)下降 ,巨磁电阻效应增强。观察到x =0 0 5和x =0 0 8的样品的电阻率随温度变化曲线出现双峰。对于x =0 0 8的样品 ,在室温附近磁电阻达到 18% (8× 10 5 A·m- 1 外场 )。对于x >0 0 8的样品 ,金属 绝缘体转变温度均比相应的铁磁 顺磁转变温度低 5 0～ 80K     

(La1-xREx)2/3Sr1/3MnO3(RE=Y,Sm,Eu,Tb;x=0.1～0.5)的晶体结构及磁性质研究

采用空气中固相反应烧结法制备了一系列钙钛矿结构的(La1-xREx)2/3Sr1/3MnO3(RE=Y,Sm,Eu,Tb;x=0.1～0.5)稀土锰氧化物多晶样品.X射线衍射(XRD)分析表明掺杂RE部分替代La以后,样品的晶体结构为正交结构,空间群为Pbmm.在室温(300K)和液氮温度(77K)下分别测试了样品的磁性质,发现磁性质的改变与RE的掺入量以及RE的离子半径有关.在掺Tb的样品中明显存在巨磁电阻效应,磁场为2 T,温度为300和77 K分别测得(La0.6Tb0.4)2/3Sr1/3MnO3和(La0.7Tb0.3)2/3Sr1/3MnO3的磁电阻(MR)为80%和85%.随着Tb掺杂量的增加,在不同的磁场下,样品电阻-温度关系曲线的峰均向高温方向移动.     

利用碳纳米管中的自旋和轨道自由度

电子自旋在信息处理中可以被作为二元变量使用，分别表示为自旋↑和↓，一个成功的例子是：计算机硬盘的读出头．这一器件的工作原理是基于巨磁电阻效应，即磁电阻大小的自旋取向依赖性．巨磁电阻现象的发现者AlbertFert和PeterGriinberg获得了2007年度诺贝尔物理奖．对于自旋态的操控和探测构成了自旋电子学的基础．在自旋电子学器件中，     

同时观察纳米锰钙钛矿中的隧穿型GMR及本征CMR

采用溶胶 凝胶法制备出稀土锰钙钛矿La_0.85Sr_0.15MnO₃ 的纳米微粒 .通过控制烧结条件获得了一系列具有不同晶粒尺寸的锰钙钛矿块材 .变温电阻实验显示 ,该类锰钙钛矿颗粒材料的输运性质 ,包括其磁电阻效应 ,随晶粒尺寸的增加呈系统性变化 ,从一个界面效应主导型输运行为转变为锰钙钛矿晶体的本征输运行为 ,从而其磁电阻效应亦由界面隧穿型GMR转变为本征CMR .当晶粒尺寸适中 (～ 1 0 0nm)时 ,可在一块样品中同时观察到这两种磁电阻效应 .并且 ,这两种磁电阻效应的共同作用可在磁电阻-温度(MR-T)曲线上造就一“平台” ,即磁电阻效应可以在相当宽的温度范围内不随温度变化     

三明治结构与同轴电缆结构磁性材料巨磁阻抗效应的理论研究

根据两种具有巨磁阻抗（GMI）效应的磁性材料实验样品，提出了两种理论模型（同轴电缆结构——Cu丝外覆软磁材料的圆柱形；三明治结构——Cu或Ag为中间层外包软磁层的三明治膜），利用Maxwell方程和Landau_Lifshitz方程对其GMI效应的机理进行了理论研究.证明了两种模型的差别仅仅是形状因子的不同，从而由理论上证实了两种结构GMI效应增强的内在一致性.证实了在同种磁性材料情况下，双层结构具有结构方面的优越性.并对照实验数据讨论了参数的影响，得到与实验定性相符的结果. 关键词： 巨磁阻抗效应 三明治膜 Maxwell方程 Landau_Lifshit     

（La2／3Ca1／3）（Mn（3—x）／3Gax／3）O3体系巨磁电阻效应和电特性的研究

采用固态反应法制备了（Ｌａ２／３Ｃａ１／３）（Ｍｎ（３－ｘ）／３Ｇａｘ／３）Ｏ３（ｘ＝０．００，０．１０，０．１５，０．２０，０．３０）体系的系列样品。通过系统地测量其零场和１．６特斯拉（Ｔ）磁场下样品的电阻率－温度关系以及一定温度下磁电阻率与磁场的关系，发现随Ｇａ＾３＋替代量的增加其磁电阻率峰和电阻率峰均向低温方向移动，磁电阻率峰值增大，并伴生磁电阻率峰展宽效应。作者认为，上述结果是由于Ｇａ＾３     

用掺杂控制纳米管的行为

1988年，基于磁性金属多层膜的巨磁电阻(GMR)效应被发现．1977年IBM公司将GMR读出头引入到硬盘驱动器，从此这类利用电子自旋自由度更深层次的应用在于构成自旋晶体管，并且使得当今高度发展的硅基半导体技术继续发挥作用．在传统的场效应晶体管(FEI)中，门电极电压被用来控制源和漏两极之间的“通一断”，这是因为门电场能够将电子从通道中驱赶出去，使通道从异体变成绝缘体．在自旋FEI中，     

射频溅射功率对FeZrBCu软磁合金薄膜巨磁阻抗效应的影响

用射频溅射法制备了FeZrBCu软磁合金薄膜.研究了不同溅射功率对FeZrBCu薄膜软磁特性和巨磁阻抗效应的影响.用电子探针显微镜测量发现，当溅射功率为240W时，薄膜样品中Fe的原子含量为8732%，Cu的原子含量为29%.这种样品的矫顽力最小，为68A/m，饱和磁化强度约为111×105⁵A/m，软磁性能最佳，巨磁阻抗效应最大，溅态膜在 13MHz最大巨磁阻抗比纵向为17%，横向为11%.重点分析了阻抗的电阻、电感分量及横向有 效磁导率随频率的变化，得到在低频下主要是磁电感 关键词： 铁基合金 薄膜 巨磁阻抗效应     

Grain Size Effect on Electrical Conductivity and Giant Magnetoresistance of Bulk Magnetic Polycrystals

By solving the Boltzmann transport equation and considering the spin-dependent grain boundary scattering, the distribution of electrons in grains and the electrical transport properties in the applied magnetic field are studied. With regard to the dominant influence of grain boundary scattering which is taken as a boundary condition for the electrical transport, the grain size-dependent electrical conductivity is investigated. In addition, the reorientation of the relative magnetization between grains brings the change of the electron spin when the magnetonanocrystailine material is subjected to the magnetic field, resulting in the remarkable giant magnetoresistance effect.     

核电荷半径的同位旋相关性及其微观诠释

原子核电荷半径R_c所有的实验数据都表明, R_c系统偏离A^1/3律, 即随A增大R_c/A^1/3系统地递减, 而R_c/Z^1/3则比较接近于一个常量. 原子核巨单极共振能量E_x ∝ R^－1的大量实验数据也支持这一结论. 根本原因在于A^1/3律与同位旋无关, 而Z^1/3律已部分反映了同位旋的影响. 基于壳模型, 给出了Z^1/3律的微观诠释. 壳模型中质子和中子谐振子势强度参数ω_p和ω_n的差异, 可以用Z^1/3律说明. 基于与Wigner的原子核同位旋多重态质量公式(IMME)相似的理论考虑, 提出了核电荷半径改进的Z^1/3律.