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1.
Amorphous MnxGe1-x :H ferromagnetic semiconductor films prepared in mixed Ar with 20% H2 by magnetron cosputtering show global ferromagnetism with positive coercivity at low temperatures. With increasing temperature, the coercivity of MnxGe1-x :H films first changes from positive to negative, and then back to positive again, which was not found in the corresponding MnxGe1-x and other ferromagnetic semiconductors before. For Mn0.4Ge0.6 :H film, the inverted Hall loop is also observed at 30 K, which is consistent with the negative coercivity. The negative coercivity is explained by the antiferromagnetic exchange coupling between the H-rich ferromagnetic regions separated by the H-poor non-ferromagnetic spacers. Hydrogenation is a useful method to tune the magnetic properties of MnxGe1-x films for the application in spintronics.  相似文献   
2.
This paper proposes a universal spin-dependent variable range hopping theoretical model to describe various experimental transport phenomena observed in wide-band-gap oxide ferromagnetic semiconductors with high transition metal concentration.The contributions of the ’hard gap’ energy,Coulomb interaction,correlation energy,and exchange interaction to the electrical transport are considered in the universal variable range hopping theoretical model.By fitting the temperature and magnetic field dependence of the experimental sheet resistance to the theoretical model,the spin polarization ratio of electrical carriers near the Fermi level and interactions between electrical carriers can be obtained.  相似文献   
3.
纳米晶复合永磁材料的交换耦合相互作用和磁性能   总被引:27,自引:0,他引:27  
本介绍了纳米磁性材料晶粒交换耦合相互作用的有关理论。采用不同模型讨论了晶粒交换耦合相互作用对纳米单相软磁材料、永磁材料及双相复合永磁材料磁性能的影响。简述了用δM(H)曲线和不可逆磁导率的变化研究晶粒交换耦合相互作用及反磁化过程的方法。讨论了合金分配比、添加元素、制备及热处理工艺对磁体硬磁性能的影响。从理论和实验两方面分析、研究了纳米复合永磁材料的反磁化过程和矫顽力机制。  相似文献   
4.
用射频溅射法制备了FeZrBCu软磁合金薄膜.研究了不同溅射功率对FeZrBCu薄膜软磁特性和巨磁阻抗效应的影响.用电子探针显微镜测量发现,当溅射功率为240W时,薄膜样品中Fe的原子含量为8732%,Cu的原子含量为29%.这种样品的矫顽力最小,为68A/m,饱和磁化强度约为111×1055A/m,软磁性能最佳,巨磁阻抗效应最大,溅态膜在 13MHz最大巨磁阻抗比纵向为17%,横向为11%.重点分析了阻抗的电阻、电感分量及横向有 效磁导率随频率的变化,得到在低频下主要是磁电感 关键词: 铁基合金 薄膜 巨磁阻抗效应  相似文献   
5.
FeCuNbSiB单层膜和三明治膜的磁特性与巨磁阻抗效应   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
用射频溅射法制备了Fe73.5Cu1Nb3Si13.5B9单层膜和 Cu或Ag作为中间层的三明治膜.溅态膜为非晶态结构.磁畴观察结果表明,单层膜在380℃退火后,呈现均匀磁化的纳米晶结构,该样品软磁特性最佳,其巨磁阻抗效应最大,在13MHz,最大磁阻抗比纵向为18%,横向为14%.溅态三明治膜具有较大的巨磁阻抗效应,在13MHz,Cu夹层三明治膜的最大磁阻抗比纵向为32%,横向为11%,Ag夹层三明治膜的最大磁阻抗比纵向为47%,横向为57%.Cu夹层三明治膜经250℃退火后,在低频下表现为巨磁电感效应,在100kHz,最大磁电感比为1733%. 关键词:  相似文献   
6.
本文介绍了纳米磁性材料晶粒交换耦合相互作用的有关理论。采用不同模型讨论了晶粒交换耦合相互作用对纳米单相软磁材料、永磁材料及双相复合永磁材料磁性能的影响。简述了用δM(H)曲线和不可逆磁导率的变化研究晶粒交换耦合相互作用及反磁化过程的方法。讨论了合金成分配比、添加元素、制备及热处理工艺对磁体硬磁性能的影响。从理论和实验两方面分析、研究了纳米复合永磁材料的反磁化过程和矫顽力机制。  相似文献   
7.
在La0.67Ca0.33MnO3中用Dy对La进行了部分替代.结果表明, 随替代量增加, 材料的居里温度和相变温度单调下降, 磁电阻比急剧增大.这些变化可以用稀土离子平均直径的减小和自旋团簇模型来解释.掺Dy使材料中形成大量无序自旋团簇, 外加磁场使自旋团簇取向一致, 从而增加了电子在团簇之间跳跃时的迁移率, 产生了磁场所致的庞磁电阻效应.  相似文献   
8.
A series of high quality single crystalline epitaxial Zn 0.95 Co 0.05 O thin films is prepared by molecular beam epitaxy.Superparamagnetism and ferromagnetism are observed when the donor density is manipulated in a range of 10 18 cm 3-10 20 cm 3 by changing the oxygen partial pressure during film growth.The conduction shows variable range hopping at low temperature and thermal activation conduction at high temperature.The ferromagnetism can be maintained up to room temperature.However,the anomalous Hall effect is observed only at low temperature and disappears above 160 K.This phenomenon can be attributed to the local ferromagnetism and the decreased optimal hopping distance at high temperatures.  相似文献   
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