Chaos generation by a hybrid integrated chaotic semiconductor laser

We design a hybrid integrated chaotic semiconductor laser with short-cavity optical feedback. It can be assembled in a commercial butterfly shell with just three micro-lenses. One of them is coated by a transflective film to provide the optical feedback for chaos generation while insuring regular laser transmission. We prove the feasibility of the chaos generation in this compact structure and provide critical external parameters for the fabrication by theoretical simulations. Rather than the usual changeless internal parameters used in previous simulation research, we extract the real parameters of the chip by experiment. Moreover, the maps of the largest Lyapunov exponent with varying bias current and feedback intensity K_(ap) demonstrate the dynamic characteristics under different external-cavity conditions. Each laser chip has its own optimal external cavity length(L) and feedback intensity(K_(ap)) to generate chaos because of the different internal parameters. We have acquired two ranges of optimal parameters(L = 4 mm, 0.12 K_(ap) 0.2 and L = 5 mm, 0.07 K_(ap) 0.12) for two different chips.     

激光触发能量对横向结构4H-SiC光导开关导通电阻的影响

采用钒掺杂半绝缘4H-SiC衬底,利用磁控溅射在硅衬底上制备了Ni/Au金属电极,并封装加工成同面型横向电极结构SiC光导开关,研究了不同激光触发能量对光导开关光电响应及导通电阻的影响。用波长532nm的激光作为触发源,当激光触发能量从26.7mJ增加到43.9mJ时,光导开关的导通电阻从295Ω降低到197Ω。利用复合理论推导出激光触发时导带中载流子浓度随时间的变化规律,并利用MATLAB模拟计算了不同触发能量下开关的导通电阻,得到了与实验较一致的结果。在此基础上,提出了降低开关导通电阻的两种途径。     

Effect of f-c hybridization on the $\gamma\to \alpha$ phase transition of cerium studied by lanthanum doping

The hybridization between the localized 4f level (f) with conduction (c) electrons in $\gamma $-Ce upon cooling has been previously revealed in single crystalline thin films experimentally and theoretically, whereas its influence on the $\gamma \to \alpha $ phase transition was not explicitly verified, due to the fact that the phase transition happened in the bulk-layer, leaving the surface in the $\gamma $ phase. Here in our work, we circumvent this issue by investigating the effect of alloying addition of La on Ce, by means of crystal structure, electronic transport and angle resolved photoemission spectroscopy measurements, together with a phenomenological periodic Anderson model and a modified Anderson impurity model. Our current researches indicate that the weakening of f-c hybridization is the major factor in the suppression of $\gamma \to \alpha $ phase transition by La doping. The consistency of our results with the effects of other rare earth and actinide alloying additions on the $\gamma \to \alpha $ phase transition of Ce is also discussed. Our work demonstrates the importance of the interaction between f and c electrons in understanding the unconventional phase transition in Ce, which is intuitive for further researches on other rare earth and actinide metals and alloys with similar phase transition behaviors.     

层叠Blumlein纳秒脉冲形成线设计与实验

研究了一种结构紧凑型的多级层叠Blumlein纳秒脉冲形成线,从理论上分析了放电时回路各分布参数对层叠Blumlein脉冲形成线输出电压的影响,并利用PSpice模拟验证了各分布参数对层叠Blumlein脉冲形成线输出结果的影响,发现开关的导通电阻是制约输出电压幅值的主要因素,开关的分布电感对输出波形的影响大于负载分布电感的影响,基于时域有限差分法原理,利用XFDTD软件模拟了两级层叠Blumlein线的电磁耦合效应。开展了多级层叠Blumlein脉冲形成线实验,结果表明,基于陶瓷固态传输线和GaAs光导开关的层叠Blumlein脉冲形成线能够实现输出电压叠加,可用于产生ns量级脉宽的脉冲高压。     

韧性材料J_R阻力曲线受试样尺寸因素影响的实验研究

本文应用不同尺寸的三点弯曲试样和带边侧槽试样,用实验方法研究了启裂J积分(J_(1C))和J_R阻力曲线的斜率(dJ/da)受试样尺寸的影响。结果表明,在满足GB2038-80所规定的试样尺寸要求的条件下,J_(1C)值受试样尺寸影响不大,但DJ/da值受试样尺寸影响较大。因此,在应用以J_R曲线理论为基础的裂纹扩展稳定性评定方法时,如撕裂模量理论及EPRI方法,要应用较大尺寸试样或带侧槽试样来测定J_R阻力曲线。     

三点弯曲试样幂硬化材料裂纹撕裂扩展的实验研究

本文应用三点弯曲试样和撕裂模量理论对弹塑性裂纹撕裂扩展的稳定性进行了实验研究,得出了适用于三点弯曲试样的施加撕裂模量T_(app)的计算公式。结果说明了材料硬化和系统柔度等因素对裂纹扩展稳定性的影响。实验中采用多层高柔度组合梁系统,得到了随加载系统柔度增加,裂纹扩展从慢稳定到失稳发展的过程。证明了撕裂模量理论的有效性。实验结果与理论预测相符。     

晶体生长角和凝固速率对贵金属电子束区域熔炼晶体生长的作用

基于电子束区域熔炼中熔区上力的平衡关系式, 计算获得了基座法、等径区熔法两种工艺下稳定成形熔区高度的表达式, 探讨了试样尺寸、晶体生长角和凝固速率等参数对六种贵金属稳定成形熔区高度的影响. 结果发现, 区熔相同尺寸试样时, 六种贵金属能够稳定成形熔区高度大小依次排序为 Ru> Pd> Ir> Pt> Ag> Au. 同时获得了这六种贵金属的晶体生长角在8.4°-10.7°之间, 而实际的晶体生长角与界面生长机制有关. 在基座法中, 连续生长机制所能支撑的熔区高度最小, 而等径区熔法中连续生长机制支撑的熔区高度大于位错生长机制和小面生长机制. 这三种晶体界面生长机制中连续生长方式对晶体生长角和区熔熔区高度影响较小, 有利于贵金属区熔单晶制备. 另外当凝固速率达到2.4 mm·min^-1, 位错和小面生长机制对区熔熔区高度的影响也变得很小, 预测的工艺参数与Ir和Ru单晶区熔实验报道结果基本符合.     

硫代硫酸钠脱除氨基酸铜络合物中铜的研究

报道了用硫代硫酸钠脱去侧链保护氨基酸铜络合物中铜离子的新方法,该方法适用于合成Nδ-苄氧羰基鸟氨酸、Nδ-叔丁氧羰基鸟氨酸、Nδ-芴甲氧羰基鸟氨酸、Nδ-乙酰基鸟氨酸、Nδ-邻苯二甲酰基鸟氨酸、Nε-苄氧羰基赖氨酸、Nε-叔丁氧羰基赖氨酸、Nε-芴甲氧羰基赖氨酸、Nε-乙酰基赖氨酸、Nε-邻苯二甲酰基赖氨酸、γ-苄基谷氨酸、β-苄基天门冬氨酸.产物用元素分析法与1H NMR法进行了表征.探讨了反应温度、时间、投料比例、溶剂对脱铜反应的影响.实验结果表明,以硫代硫酸钠作为脱铜试剂,侧链保护氨基酸铜络合物与硫代硫酸钠的物质的量比为1∶1或1∶2,60℃反应1.5～2.0h,收率与产物纯度均较高.该方法简便、高效、环境友好.     

取向晶种法制备沸石分子筛膜研究进展

近年来沸石分子筛膜因在分离、 催化、 传感和防腐等研究领域具有重要的应用价值而引起广泛关注. 其中, 具有优先取向微观结构的沸石分子筛膜由于能够显著降低客体分子在膜内的扩散路径并减少膜内的晶间界缺陷密度, 成为膜分离学科的研究重点. 本文以b-轴取向MFI沸石分子筛膜为主线, 综述了国内外制备取向沸石分子筛膜的最新研究进展; 详细介绍了取向晶种法制膜工艺, 侧重总结了MFI沸石纳米片合成、 b-轴取向沸石晶种单层制备以及二次生长调控等方面的研究成果; 在深入探讨各类取向沸石分子筛膜制备策略的基础上, 分析探讨了其中存在的关键问题与解决措施, 最后对取向沸石分子筛膜的发展方向进行了展望.     

不同掺杂酸对纤维聚苯胺电化学性能的影响

采用界面聚合法通过不同质子酸掺杂分别制备了平均直径约为50,62,95nm的纤维聚苯胺。通过傅里叶变换红外光谱(FT-IR)、扫描电子显微镜(SEM)、透射电镜(TEM)对其化学组成和微观形貌进行了表征,采用循环伏安、恒流充放电和交流阻抗研究了不同质子酸掺杂纤维聚苯胺的超级电容器电容行为,并利用X射线衍射(XRD)、氮气吸脱附及X射线光电子能谱(XPS)等方法对纤维聚苯胺的微观结构进行了深入研究。结果表明:高氯酸(HClO4)掺杂制备的聚苯胺在0.5A/g电流密度下的比容量可以达到397F/g,高于盐酸(HCl,334F/g)和樟脑磺酸(HCSA,383F/g)掺杂聚苯胺的测试结果,纤维的电化学性能主要受其规整度、孔隙率及掺杂度的影响。