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101.
手性模板合成CdS纳米棒 总被引:2,自引:0,他引:2
由于纳米材料具有量子尺寸效应及大的比表面积等性质而使其在电子学[1]、光学[2]、催化[3]和陶瓷[4]等领域显示出诱人的应用前景. 近年来纳米材料的制备及纳米技术发展迅速, 特别是具有特殊光电活性的新型无机纳米材料的制备已引起人们的普遍关注. 现在合成纳米材料的方法主要包括反相胶束法[5]、 LB膜法[6]、嵌段共聚物法[7]和模板合成法[8]. 其中模板合成技术不仅可以通过设计新型的模板分子, 还可通过模板分子的不同自组装行为来调控纳米材料的尺寸和形貌. Stupp等[9]曾利用溶致液晶的六方中间相作为模板, 在其纳米孔隙中成功地合成了具有六方排列超晶格纳米结构的材料. 本文以双亲性丙氨酸衍生物为模板, 在不同的化学微环境下合成了结构不同的CdS纳米棒. 相似文献
102.
103.
A meshless algorithm with moving least square approximations for elliptic Signorini problems 下载免费PDF全文
Based on the moving least square(MLS) approximations and the boundary integral equations(BIEs), a meshless algorithm is presented in this paper for elliptic Signorini problems. In the algorithm, a projection operator is used to tackle the nonlinear boundary inequality conditions. The Signorini problem is then reformulated as BIEs and the unknown boundary variables are approximated by the MLS approximations. Accordingly, only a nodal data structure on the boundary of a domain is required. The convergence of the algorithm is proven. Numerical examples are given to show the high convergence rate and high computational efficiency of the presented algorithm. 相似文献
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107.
研究了共沉淀分解法制备的ZnCo2O4纳米粒子的光学和可见光催化性能,并对其晶体结构和微观结构用X射线衍射、热重/差热分析、透射电镜和高分辨透射电镜等手段进行了表征.结果表明,制备的纳米粒子为纯相的ZnCO2O4,平均粒径约为10-20 nm.紫外-可见吸收光谱估计出ZnCo2O4纳米粒子的能带隙为3.39和2.09 eV.可见光(λ>420 nm)照射下,纳米粒子表现出降解亚甲基蓝溶液的光催化活性.ZnCo2O4纳米粒子的光催化活性可以归结为紫外和可见光下纳米粒子吸收光子(能量大于能带隙)的能力,以及它们的纳米尺寸,基于实验结果,本文提出了ZnCO2O4可能的能带结构. 相似文献
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利用有机物在薄层反应器中发生的耗竭氧化反应,研究了弱吸附型的葡萄糖和强吸附型的邻苯二甲酸氢钾在TiO2纳米管阵列(TNA)电极表面的光电催化反应性能和反应机制.研究表明,光电催化反应电流-时间(I-t)曲线的变化趋势能够很好地反映有机物在TNA电极表面的反应性能.对于弱吸附型的葡萄糖,由于其在TNA电极表面吸附能力弱,从溶液本体被吸附至电极表面较慢,致使葡萄糖在高浓度光催化反应时出现I-t曲线瞬时升高然后迅速下降,再呈现缓慢下降的变化趋势.对于强吸附型的邻苯二甲酸氢钾,其吸附性强且难降解,因而在电极表面总是存在着大量的邻苯二甲酸氢钾,导致溶液中邻苯二甲酸氢钾浓度升高时,光电催化反应的I-t曲线在瞬时升高,然后依然持续升高,之后才呈缓慢下降的变化趋势.本文还对有机物的吸附类型、吸附系数、反应机制等进行了分析.研究表明,利用薄层反应器的耗竭氧化反应,有助于深入了解有机物在电极表面的反应过程及其微观机制. 相似文献
109.
110.
电力设备的安全运行很大程度上取决于避雷器的过电压保护水平, ZnO压敏电阻因具有优异的非线性伏安特性而广泛应用于电力系统避雷器的核心元件.为了从微观结构上了解ZnO压敏电阻的电学性能,本文采用基于密度泛函理论的第一性原理对含有锌填隙Zni与氧空位Vo缺陷的ZnO/β-Bi2O3界面进行分析计算,并研究其在不同外电场下的相关电学性质.计算结果表明,弛豫后氧空位Vo缺陷发生迁移.在外电场的作用下,填隙Zn离子向界面处偏移,界面能在电场强度超过0.1 V/?后快速升高,界面之间的相互作用力变大,层间距减小,体系导电性迅速增强.采用差分电荷密度、功函数以及Bader电荷分析方法,计算出了界面处的势垒高度,证实了内建电场是ZnO压敏电阻具有非线性伏安特性的重要原因.采用态密度分析的方法,分析了原子轨道能级、陷阱能级以及能隙等微观参数对ZnO压敏电阻宏观导电性能的影响.本工作通过调控外电场的强度对含有缔合缺陷的ZnO/β-Bi2O3界面不同电气参... 相似文献