累托石-TiO2薄膜的制备及其降解染料废水

以累托石和钛酸丁酯为主要原料制备出累托石-TiO2薄膜，将其负载在玻璃表面上，研究了其在紫外光和太阳光下催化降解甲基橙的性能．实验结果表明：在相同的制备条件下，累托石-TiO：薄膜的光催化活性高于TiO2薄膜的光催化活性；制备累托石-TiO2薄膜时，薄膜的层数影响其催化活性；以累托石-TiO2薄膜为催化剂，在太阳光下降解甲基橙7h，甲基橙脱色率为52．9％．     

[Cu_2■_4(DMF_2)]·4DMF的EPR谱、磁性与电子结构研究

在室温、77K条件下,对簇合物的固态和溶液样品进行了 EPR谱的测定,获得三套谱图(Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ);其分别归属于簇合物中未配对电子的两种形式:(1)类似于自由的单铜离子的未配对电了(Ⅰ、Ⅱ两套谱).(2)双铜未配对电子偶合成的三重态(Ⅲ套谱).文中用双铜的三重态自旋哈密顿公式计算三重态EPR谱的参数.题目化合物(1)与双铜簇合物(2 )相比较,在配体结构上稍有不同(前者,甲苯胺中的甲基是连接于苯环的间位;而后者,甲基是连接于苯环的对位),由此引起一些磁性参数:有效磁矩μ_(eff)、磁交换相互作用参数J、相对的电子自旋浓度ρ和EPR谱的超精细结构(h.f.s)参数都有所不同.     

超小尺寸聚焦硫量子点荧光传感探针的制备及传感应用

采用简单的组装－裂变法和透析后处理技术相结合的方法,制备了一种超小尺寸聚焦的荧光硫量子点（SQDs）。采用透射电子显微镜（TEM）、X射线能谱（EDX）、紫外－可见吸收光谱（UV－Vis）和荧光光谱对所制备的SQDs进行了表征。结果表明,平均粒径为2.2 nm的SQDs在水溶液中具有非激发波长依赖特性和光学稳定性。并且Fe3+会显著猝灭SQDs的荧光,推测其猝灭机制为内滤效应（IFE）。基于Fe3+对该SQDs产生的荧光猝灭效应,成功构建了一种简便、高选择性和高灵敏度的检测Fe3+的荧光分析平台。该方法检测Fe3+的线性范围为5～600 μmol/L,检出限（LOD）为1.19 μmol/L,并成功实现了血清样本中Fe3+的检测。该方法操作简单、成本低,且具有高灵敏度、高选择性等优点,为SQDs及其相关探针制备提供了一种简单有效的方法,在临床诊断中具有较好的应用前景。     

“闪光二号”加速器适应性改造北大核心CSCD

针对系统电磁脉冲效应研究需求,项目组对"闪光二号"加速器进行了适应性改造,以便于产生脉冲硬X射线。主要采用二次成形的水线结构,重点进行了水开关设计,并完成了实验调试。装置输出电压650kV^1.3 MV稳定可调,脉冲宽度60ns,前沿由改造前的80ns缩短至改造后的30ns,在国内首次成功驱动串级二极管,产生前沿29ns、射线宽度约53ns的脉冲硬X射线。     

200 kV/200 kA脉冲源的研制

研制了一台200 kV/200 kA脉冲源,脉冲源由初级储能单元、水介质整形与传输单元、气体开关和负载组成。通过优化设计由2 到1 的水介质变阻抗线、高压气体主开关和陡化开关,使得脉冲功率源在匹配负载下产生输出电压200 kV、电流200 kA、前沿40 ns、脉宽40 ns的高压脉冲。在此脉冲源平台上已开展了低阻抗1 二极管发射特性研究,并且将在高压气体开关、同步触发、二极管等离子体发射诊断等方面发挥作用。     

氢稀释对高速生长纳米晶硅薄膜晶化特性的影响

以SiH₄与H₂为气源,采用射频等离子体增强化学气相沉积技术,在较高的压强(230Pa)下,研究氢稀释率对纳米晶硅薄膜的生长速率和晶化特性的影响. 实验表明,薄膜的晶化率,晶粒尺寸随着氢稀释率的提高而增加,当氢稀释率为99%,薄膜的晶化率接近70%. 而沉积速率却随着氢稀释率的减小而增加,当氢稀释率从99%减小到95%时,薄膜的沉积速率由0.3nm/s 增加至0.8nm/s. 关键词： 纳米晶硅薄膜 氢稀释 晶化率 硅烷     

二DMF-μ-四酞酰替对甲苯胺合二铜的晶体结构和电子结构的研究

本文报导了的晶体结构。晶体属三斜晶系, 空间群P_1, 晶胞参数: a=1.0761(2), b=1.3930(4), c=1.5117(4) nm; α=114.74(2)°,β=101.82(2)°,γ=95.85(2)°; Z=1。标题化合物为四羧基桥的双核铜(II)簇合物, DMF占据端基位置。Cu-Cu距离0.2635(2) nm, 有微弱成键作用。SCC-EHMO计算表明前线轨道38A_g, 37B_u, 21A_u和20B_g能级相当接近, 化合物为顺磁性, μ(eff)=1.82B.M., 根据顺磁谱出现的由三组峰组成的一套谱, 其中在低场的一组峰分裂7条超精细结构峰, 判断化合物顺磁性应是占据38A_g, 和37B_u分子轨道上未配对电子的贡献。Cu-Cu的成键和反键的σ, π和δ型轨道都填满电子, 因此对成键不起作用。Cu-Cu之间的微弱成键作用, 主要是通过铜与羧基桥原子形成的非定域键的34B_u和18A_u分子轨道的贡献。     

串级二极管工作过程的电路分析

介绍了利用串级二极管产生大面积脉冲硬X射线的基本原理,建立了串级二极管的等效电路模型,分析了二极管串联工作过程,通过模拟计算给出了串级二极管工作过程的影响因素。串级二极管分压过程分为电容分压、阻抗和容抗分压、真空击穿后动态平衡及阻抗分压四个阶段,二极管电容和真空击穿电压是影响二极管串联初始阶段分压的主要因素,二极管的阻抗变化过程和二极管间隙的击穿时间差决定二极管分压的一致性。     

LnPS4系列化合物的拉曼光谱

对四方磷钇矿型结构的ＬｎＰＳ４系列化合物Ｒａｍａｎ光谱的研究表明，ＰＳ３－４阴离子的对称伸缩振动频率ν１随镧系收缩呈线性有规则增大，非四方晶系ＬｕＰＳ４的ν１值明显偏离该直线，这种变化趋势与相应结构的变化一致。     

TOTAL SYNTHESIS OF Trichosanthes TRYPSIN INHIBITOR AND ITS ANALOGUE

Trichosanthes trypsin inhibitor (TTI) is a peptide consisting of 27 amino acid residues with three pairs of disulfide bonds. This paper reports the total synthesis and disulfide bond refolding of this inhibitor and its analogue. After purification, the amino acid sequence and stoichiometrical inhibitory activity against trypsin of the synthetic inhibitor were compatible with those of the natural inhibitor. The analogue of this inhibitor in which residue Met in position 6 was replaced by Ala was also synthesized. The antitrypsin activity of this synthetic analogue was also approximate to that of the natural inhibitor.