排序方式: 共有19条查询结果,搜索用时 31 毫秒
11.
12.
真伪半夏二维相关红外光谱法的鉴别研究 总被引:23,自引:5,他引:18
本文采用红外光谱法(FTIR)并结合二维相关光谱分析技术(Two-Dimensional Correlation Spectroscopy),对正品半夏和伪品水半夏进行了无损快速鉴别研究。半夏和水半夏在一维谱图上差别不显著,而在二维谱图上具有显著性的差别。在1 220~1 700 cm-1波段范围内,半夏在同步图上有1个较强的自动峰,在1 410 cm-1附近。而水半夏不仅在1 410 cm-1有一个比正品半夏较强的自动峰,还在1 540和1 680 cm-1附近出现了自动峰;同样在940~1 220 cm-1波段范围内半夏有3个较强的自动峰,分别在980,1 080和1 150 cm-1附近,而水半夏只有2个较强的自动峰,在1 080和1 150 cm-1附近。在980 cm-1处未出现自动峰。两个波段的异步谱也显示出较大的差别。结果表明:正品半夏和伪品水半夏的二维相关谱可以用于药材真伪品的鉴别依据。该法快速、准确,为中药材的快速鉴别提供了一种新的方法和手段。 相似文献
13.
血红蛋白与NO分子间相互作用的电化学表征 总被引:4,自引:0,他引:4
近年来 ,蛋白质的电化学研究引起了人们广泛兴趣[1~ 5] .利用自组装技术[4 ] 或将蛋白质分子固定于双层磷脂膜、水凝胶、表面活性剂膜及 Al2 O3膜上[6~ 9] 等可成为制备蛋白质膜的有效手段 .血红蛋白(Mr=6 50 0 0 )是生物体内一类重要的蛋白 ,由于对其结构已有较清楚的认识 [10 ] ,因而常被选作探讨生物大分子的电化学行为的模型分子 . NO是一种内皮细胞松弛因子、神经递质和免疫系统的媒介体 ,与生物体内的许多生理过程、疾病的产生与治疗有密切关系 [11~ 13] .因此研究蛋白与 NO之间的相互作用并寻求监测 NO的各种途径具有重要意义… 相似文献
14.
Sb2Se3是一种低成本、环境友好、具有良好应用前景的光伏材料.目前Sb2Se3太阳能电池的光电转换效率已经提高到了10%.载流子复合动力学是决定Sb2Se3太阳能电池光电转换效率的关键因素.本文利用飞秒时间分辨表面瞬态反射谱详细分析了Sb2Se3表面、Sb2Se3/CdS界面载流子复合动力学过程.根据相对反射率变化?R/R的演化,得到Sb2Se3载流子热化、带隙收缩时间约为0.2—0.5 ps,估计热载流子冷却时间为3—4 ps.还实验证实在Sb2Se3/CdS界面处存在自由电子转移和浅束缚电子转移两种电子转移过程.本文提供了Sb2Se3表面瞬态反射谱分析方法,所得实验结果拓展了对Sb2Se3表... 相似文献
15.
真伪大黄的二维相关红外光谱 总被引:9,自引:0,他引:9
采用红外光谱法并结合二维相关光谱(two-dimensional correlation spectroscopy)分析技术,对药用西宁大黄和伪品华北大黄进行了无损快速鉴别研究。西宁大黄和华北大黄在一维谱图上差别不显著,而在二维谱图上显示出较大的差别。在1200-1700cm-1波段范围内,西宁大黄在同步图上有两个较强的自动峰,分别在1460和1560cm^-1附近,而华北大黄只有一个较强的自动峰,在1460cm^-1附近;同样在1030-1170cm-1波段范围内西宁大黄有两个较强的自动峰,分别在1060和1080cm^-1附近,而伪品大黄也只有一个较强的自动峰,在1080cm^-1附近。两个波段的异步谱也显示出较大的差别。结果表明:二维相关谱可以提高谱图的分辨率,增加谱图的识别能力,可用于药材真伪品的鉴别。该法快速、准确,为客观评价中药材的来源提供了一种新的方法。 相似文献
16.
18.
19.
首先采用共沉淀方法制备富锂锰基正极材料 Li1.2Mn0.54Ni0.13Co0.13O2原始样品(P-LRMO), 然后通过简单的湿化学法以及低温煅烧方法对其进行不同含量 Ga2O3原位包覆。透射电子显微镜(TEM)以及 X射线光电子能谱(XPS)结果表明在 P-LRMO表面成功合成了 Ga2O3包覆层。电化学测试结果表明:含有 3 %Ga2O3的改性材料 G3-LRMO具有最优的电化学性能, 其在 0.1C倍率(电流密度为 25 mA·g-1)下首圈充放电比容量可以达到 270.1 mAh·g-1, 在 5C倍率下容量仍能保持 127.4 mAh·g-1, 优于未改性材料的 90.7 mAh·g-1, 表现出优异的倍率性能。G3-LRMO在 1C倍率下循环 200圈后仍有 190.7 mAh·g-1的容量, 容量保持率由未改性前的 72.9 %提升至 85.6 %, 证明 Ga2O3包覆改性能有效提升富锂锰基材料的循环稳定性。并且, G3-LRMO在 1C倍率下循环 100圈后, 电荷转移阻抗(Rct)为 107.7 Ω, 远低于未改性材料的 251.5 Ω, 表明 Ga2O3包覆层能提高材料的电子传输速率。 相似文献