双荧光层靶Kα线强度比诊断靶内超热电子温度北大核心CSCD

利用双荧光层复合靶产生的Kα特征线强度比诊断了靶内超热电子的温度,即通过实验测量复合靶中两种不同材料荧光层辐射出的Kα特征线强度比,结合ITS3.0程序模拟结果,对超热电子温度进行诊断。将诊断结果与实验中利用电子磁谱仪测量的超热电子温度进行了比较,二者基本一致。结果表明,选取适当的荧光层靶厚,可以利用双荧光层复合靶产生的Kα特征线强度比对靶内的超热电子温度进行诊断。     

亚乙基桥联-(4-取代茚)(芴)锆金属络合物的合成及其催化α-烯烃聚合反应

首次合成了3个C1-对称亚乙基桥联型-(4-取代茚)(芴)锆络合物2a～2c.并以甲基铝氧烷(MAO)为助催化剂用于催化丙烯聚合反应,所得聚丙烯具有较高的等规立构规整度,且随聚合温度的降低而升高.0℃时茚环2-位有甲基取代的络合物2a表现出最高的等规选择性,为93.6%;而60℃时络合物2a～2c都表现出最高的催化活性...     

利用类铜离子谱线诊断银等离子体电子密度

测量了激光加热块状银靶产生的等离子体XUV光谱.计算了T_e分别为65eV,86eV和130eV时,AgXIX4s-4P,4P-4d,4d-4f7条谱线在不同电子密度时的强度.根据AgXIX4d~2D_(s/2~-)4f~2F_(r/2)和4P~2P_(3/2)-4d~2D_(s/2)两条谱线的强度比,推导了激光银等离子体电子密度.当入射激光功率密度W为6×10~(12)W/cm~2时,银等离子体电子密度N_e=1×10~(20)/cm~3. 关键词：     

GeⅩⅩ～GeⅩⅩⅥ谱线的测量和辨认

测量了线聚焦激光加热锗等离子体发射的ＸＵＶ光谱，对ＧｅＸＸ～ＧｅＸＸⅥ谱线进行了辨认和分类。给出了谱线波长和相对强度；计算了辐射跃迁几率和吸收振子强度；并与其它实验室有关结果进行了比较。     

低泵浦能量类氖锗等离子体软X射线激光实验

提出并采用具有一定时间间隔的双束脉冲加热锗薄膜靶方法，在泵浦激光能量１００Ｊ，靶长１０ｍｍ的实验条件下，观察到波长１９．６１ｎｍ和２３．６３ｎｍ两条类氖锗３ｓ－３ｐ激光跃迁线。１９．６１ｎｍ（Ｊ＝０－１）的激光跃迁线发射强度较２３．６３ｎｍ（Ｊ＝２－１）激光线的强度大，其发散角较后者小。     

Kα射线源半影成像研究

在SILEX-Ⅰ激光装置上,采用半影成像技术对超短超强激光与纳米靶作用产生的Kα源进行了空间二维成像,获得了分辨率为10 μm左右的图像.与国外的结果相比,在较小能量激光器上高质量地实现了铜Kα源空间二维半影成像.实验表明,半影成像能得到详细的Kα源空间分布的细节信息,优于刀边成像等一维成像技术. 关键词： Kα源')" href="#">Kα源 半影成像 纳米靶     

飞秒激光-物质相互作用产生K_α X射线(英文)北大核心CSCD

用无色散X射线谱仪分别在靶前后测量了飞秒激光辐照铜箔产生的KαX射线,获得了能量转换效率。入射激光脉冲宽度33 fs,能量在50 mJ^5 J,强度1017~1019W/cm2。靶后发射的KαX射线强度随入射激光能量的增加而增加,其单色性较靶前好。采用100μm厚靶,其能量转换率为2.2×10-5。     

利用高次谐波诊断自生磁场

实验在100TW超短超强激光装置上进行。采用OMA谱仪加CCD测量系统，测量2ωo和3ωo谐波谱的精细结构，回推出激光与等离子体相互作用中产生的自生磁场大小，验证通过谐波谱的精细结构推断白生磁场方法的可靠性。     

锗等离子体远紫外光谱研究

测量了线聚焦激光加热锗等离子体发射的远紫外光谱，对ＧｅＸＸ－ＧｅＸＸＶＩ谱线进行了辨认和分类。给出了谱线波长和相对强度；计算了辐射跃迁概率和吸收振子强度；并；与其他实验室有关结果进行了比较。 关键词：     

超热电子产生Kα辐射的参数影响北大核心CSCD

超短超强激光与固体靶相互作用,可以产生大量的Kα特征谱线发射。这种Kα线光源在背光照相、医学成像和超快诊断等方面具有显著优势。为了寻求获得Kα线高产额的方法,利用ITS蒙卡模拟程序,对超短超强激光产生的超热电子在固体靶中产生的Kα线发射进行了模拟。系统研究了Kα线发射强度随出射角度、靶厚度和超热电子温度等参数的变化情况。研究发现在恒定的激光功率密度或超热电子温度下,存在最佳的靶厚度,使得Kα线光子产额最大,并用模拟结果对已有实验数据进行了解释。