Mg2(BH4)2(NH2)2脱氢机理的理论研究

对Mg₂(BH₄)₂(NH₂)₂的脱氢机理展开系统的理论研究发现相对于分子内的脱氢过程,分子间的脱氢过程在热力学和动力学方面都是比较有利的. Mg₂(BH₄)₂(NH₂)₂脱氢过程的第一步是BH₄^-中的B-H^δ-和NH2-中     

CdSe量子点掺杂聚合物太阳能电池光谱响应特性研究

采用喷涂法分别制备了基于P3HT∶PCBM体异质结和P3HT∶PCBM∶QDs体异质结光活性层的有机太阳能电池器件,并对其光电响应进行了表征和对比。同时采用光谱手段对两者的光活性层进行对比分析。实验结果表明,量子点的加入拓宽了薄膜吸收光谱,同时增强了光致电子转移过程,从而改善了器件的光谱响应;双源共喷制备的P3HT∶PCBM∶QDs体异质结器件转化效率比同样是喷涂制备的P3HT∶PCBM体异质结提高了25%。     

一种基于HTTP的Internet文件存储系统的设计和实现

利用网络进行文件管理，尤其是利用范围最广的Internet网络进行存储管理，能极大地方便和满足用户文件存储管理的需要．论述了一种基于HTTP的Internet文件存储系统的设计和实现．     

燃烧法合成SrAl12O19:Eu2+

利用相应的金属硝酸盐和尿素之间发生的氧化还原反应，在600℃的炉温下，制备了发蓝光的铝酸盐发光粉SrAl12O19:Eu^2 ，产物为六方晶系。研究结果表明，在制备Eu^2 激活的铝酸盐发光粉时，适当量的尿素用量和相对密闭的反应体系有利于获得纯相和单一发光颜色的产物。     

热蒸发法制备ZnO纳米棒阵列

氩气氛常压下，利用热蒸发法，在无催化剂、无ZnO预沉积层的硅衬底上制备了取向良好，排列整齐的ZnO纳米棒阵列．在距Zn源不同位置的Si衬底上得到了不同形貌的样品．硅衬底置于锌源正上方是得到取向一致的ZnO纳米阵列的一个关键性条件．用场发射扫描电子显微镜、X射线粉末衍射表征样品表面形貌、晶体结构．进一步研究了样品的生长机制和荧光性质．     

基于猜谜机制的增强权证防御技术

权证机制能有效地防御DoS攻击,但其新引起的拒绝权证攻击则严重地制约了其防御效果,因此针对此类攻击,提出基于猜谜的增强权证请求机制,如果一旦请求信道带宽被耗尽,权证路由器将实施拥塞猜谜策略,向请求权证的所有源主机发送谜题,要求其必须首先解谜,并将答案附于增强请求包中,经路由器验证后才予转发．仿真试验证明：该机制具有较好的防御效果,即使在恶意权证请求严重泛滥的情况下也能保证合法用户高效地获得权证．     

低压Ar气氛下用PS/OCS/Si (111)叠层热解制备单晶4H-SiC薄膜及层错缺陷抑制机理

在一定压力的Ar气氛中对Si (111) 衬底上的PS/OCS(硅的有机化合物)凝胶叠层进行热处理,制备出单晶4H-SiC薄膜.用XPS、XRD、TEM、TED和SEM研究了热处理温度和压力对薄膜结晶质量和晶型的影响.XPS分析显示薄膜中C/Si比为1.09.SEM分析表明薄膜的表面平整,SiC/Si(111)界面清晰、无层错缺陷形成.进一步讨论了层错缺陷形成及抑制的机理.     

Growth Kinetics of Silicon Carbide Film Prepared by HeatingPolystyrene/Si(111)

在不同的温度下热处理用sol-gel法制的PS/Si(111)叠层凝胶膜制备出了SiC薄膜．用XRD、SEM、XPS、FTIR等分析方法研究了SiC薄膜的结构、组成和表面形貌等．根据FTIR光谱计算了不同温度下得到的SiC薄膜的厚度,并研究了PS/Si(111)热解法生长SiC薄膜的生长动力学．结果表明,随着生长温度的增加,SiC薄膜生长速率变化趋势为：1200～1250 oC生长速率增加缓慢是2D生长机制,1250～1270 oC生长速率快速增加是3D生长机制,1270～1300 oC生长速率为负增长是由于SiC薄膜生长与Si和C原子的挥发共同作用所致．由速率变化求得各段表观生长激活能分别是122.5、522.5、-127.5 J/mol．     

聚氨酯/氮化硼纳米片复合材料的制备及形状记忆性能研究

在聚氨酯(PU)制备过程中,加入球磨法制备得到的氮化硼纳米片(BNNS)分散液,制备PU/BNNS复合材料体系。采用X-射线衍射、傅里叶红外光谱和扫描电子显微镜对样品的分子结构和微观形貌进行表征,并考察样品的力学性能、形状记忆性能和自修复性能。结果表明：BNNS引入后,复合材料的力学性能得到显著提升。当加入BNNS含量为0.5 wt%时,拉伸强度达到14.8±1.5 MPa,比纯PU提升了138.7%。BNNS具有良好导热性能,能改善复合材料的形状记忆性能。在引入BNNS后,复合材料的形状固定率、形状回复率均能得到提高。     

电子传输层PBD对Alq3：DCJTB电致发光器件的影响

以PBD为电子传输层制作了一组掺杂型有机电致发光器件,并研究了掺杂器件中PBD对器件的光谱、亮度等的影响。发现PBD与NPB和DCJTB分别掺杂的器件的光谱与其它的器件不同,然后运用了载流子的注入、传输及PBD的传输特性等方法对光谱做出了合理的解释,并运用高斯截谱的方法分析了各个发光峰的产生原因。