| 低压Ar气氛下用PS/OCS/Si (111)叠层热解制备单晶4H-SiC薄膜及层错缺陷抑制机理 |
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| 引用本文： | 王玉霞,李赟,陈征,何海平,王建文,邹优鸣.低压Ar气氛下用PS/OCS/Si (111)叠层热解制备单晶4H-SiC薄膜及层错缺陷抑制机理[J].人工晶体学报,2006,35(2):337-341. |
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| 作者姓名： | 王玉霞 李赟 陈征 何海平 王建文 邹优鸣 |
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| 作者单位： | 中国科学技术大学材料科学与工程系,合肥,230026 |
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| 基金项目： | 中国科学院资助项目;中国科学院知识创新工程项目 |
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| 摘 要： | 在一定压力的Ar气氛中对Si (111) 衬底上的PS/OCS(硅的有机化合物)凝胶叠层进行热处理,制备出单晶4H-SiC薄膜.用XPS、XRD、TEM、TED和SEM研究了热处理温度和压力对薄膜结晶质量和晶型的影响.XPS分析显示薄膜中C/Si比为1.09.SEM分析表明薄膜的表面平整,SiC/Si(111)界面清晰、无层错缺陷形成.进一步讨论了层错缺陷形成及抑制的机理.
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| 关 键 词： | 界面层错空洞 溶胶-凝胶 碳化硅 |
| 文章编号： | 1000-985X（2006）02-0337-05 |
| 收稿时间： | 10 24 2005 12:00AM |
| 修稿时间： | 2005-10-24 |
Growth of Single Crystalline 4H-SiC Film by Pyrogenation of PS/OCS/Si (111) Nappe in Low-pressure Ambient Ar and Mechanism of Suppressing Interfacial Dislocations |
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| WANG Yu-xia,LI Yun,CHEN Zheng,HE Hai-ping,WANG Jian-wen,ZOU You-ming.Growth of Single Crystalline 4H-SiC Film by Pyrogenation of PS/OCS/Si (111) Nappe in Low-pressure Ambient Ar and Mechanism of Suppressing Interfacial Dislocations[J].Journal of Synthetic Crystals,2006,35(2):337-341. |
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| Authors: | WANG Yu-xia LI Yun CHEN Zheng HE Hai-ping WANG Jian-wen ZOU You-ming |
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| Institution: | Department of Materials Science and Engineering, University of Science and Technology of China, Hefei 230026, China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | interracial dislocation cavity sol-gel SiC |
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