局域功函数图像及其在Cu(111)-Au/Pd表面的应用

用扫描隧道显微镜（STM）对Cu(111)-Au和Cu(111)-Pd表面的局域功函数进行了研究.通过 测量隧道电流对针尖样品间距的响应，得到了与STM形貌图一一对应的表面局域功函数图像. 实验发现，Au/Pd覆盖层和Cu衬底间的功函数有明显的不同.Pd薄膜的功函数甚至超过了其体 本征值，且功函数在台阶处变小.用偶极子的形成解释了台阶处功函数的降低.这一工作表明 ，用测量局域功函数的方法容易区分表面上不同的元素，并具有纳米尺度的空间分辨率. 关键词： 扫描隧道显微镜 局域功函数 台阶     

转角铜氧化物中的约瑟夫森效应

当前常压下超导转变温度最高的材料仍然来自铜氧化物家族.然而,铜氧化物超导的微观机理仍未被完全建立起来,成为了凝聚态物理领域最具挑战性的问题之一.测定配对波函数的相位部分是全面理解高温超导机理不可或缺的一环.该实验往往需要将不同晶向的铜氧化物拼接成高质量的约瑟夫森结,十分考验样品的合成制备技术.近年来,利用二维材料中发展起来的范德瓦耳斯堆垛技术,研究者们构建了具有原子级平整界面的转角铜氧化物双晶结,研究了不同掺杂浓度、不同转角下的约瑟夫森隧穿,探索了其中出现s波、d波、以及由于界面耦合演生出的d+id波配对的可能性.本文将回顾转角铜氧化物约瑟夫森结的研究进展,介绍近年来发展起来的转角结制备技术,讨论当前实验测量的结果及其意义,提出尚待解决的关键性问题.     

Atomic-Scale Study of Ge-Induced Incommensurate Phases on Si（111）

Two Ge-induced incommensurate phases, γ and β, on Si（111） are observed and studied by {／it in situ} scanning tunneling microscopy. The γ phase consists of aligned triangular domains whose stacking sequence is faulted with respect to the Si（111）-1×1 surface. The β phase consists of two kinds of triangular domains whose stacking sequences are faulted and unfaulted with respect to the Si（111）-1×1 surface, respectively. In the β phase, two types of domain walls, zigzag＇＇ and face-to-face＇＇, form to release the strain. The triangular domains all exhibit a quasi-1×1 hexagonal close-packed structure. By studying the structural evolution from magic clusters to incommensurate structures, the structure models for γ and β phases are proposed.     

双激子和浸润层泄漏以及俄歇俘获对量子点Rabi振荡衰减的影响

研究了脉冲激光激发下半导体量子点激子Rabi振荡中多能级过程引起的退相干特性.运用多能级粒子数运动方程组，分别计算和分析了三种多能级过程(双激子、浸润层泄漏以及俄歇俘获过程)对量子点中Rabi振荡衰减的影响.分析表明，双激子的影响在激发脉冲的脉宽较长时(>5ps)可以忽略；浸润层的泄漏虽然使得激子基态上粒子数振荡的振幅随着激发场的增强而减小，但是同时也导致了振荡平均值的减小；分析和讨论了两种俄歇俘获方式对激子振荡和复合发光的影响. 关键词： Rabi振荡 半导体量子点 退相干 俄歇俘获     

Si(111)-(7×7)衬底上合成有序的IV族金属铅团簇阵列

文章作者在Si(111)(7×7)衬底上合成出位于同一主族的Pb的全同纳米团簇有序阵列.有趣的是,当衬底温度相对于最佳的生长温度范围发生微小的偏离时,Pb纳米团簇很容易转变为其他结构的团簇.结合实验结果和第一性原理总能量计算,文章作者揭示了几种Pb团簇的原子结构.这些结构都是以表面Pb和Si原子互换导致的混合模型为中心的衍生结构.Pb/Si(111)体系的这种边缘性质为研究表面幻数团簇的合成、分解等动力学过程提供了重要信息.     

外加电压对分子器件电子输运特性的影响：非线性输运性质

根据第一性原理计算了由外电场引起的分子的几何结构和电子结构的变化，并利用弹性格林函数的方法计算了分子器件的电输运特性，从而研究了外电场对1,4-苯二硫酚分子电子输运特性的影响。计算结果表明，对于前线分子轨道，能级的移动和分子末端格点的展开系数在低电压范围内随外电压基本成线性变化。外电场对分子器件的伏安特性有很明显的影响，特别是对电导曲线的形状。考虑电场后的理论结果与实验结果符合得较好。     

硅表面纳米银团簇的氧助迁移行为

 采用原位扫描隧道显微镜研究了Si（111）－7×7表面蒸镀纳米银团簇的迁移行为以及氧气氛的促进作用．在覆盖度较低的情况下，蒸镀的银原子在Si（111）－7×7表面形成具有规整三角形结构单元的有序银团簇，它们主要占据在Si（111）－7×7表面有位错的半单胞内．在氧的存在下，形成的结构单元在硅表面发生迁移，并逐渐团聚成无明显结构特征的大粒子．原位观察结果表明，在连续扫描过程中，团聚后的大粒子在氧覆盖的硅表面也会发生迁移，最后稳定在硅表面原子氧吸附位周围．进一步的观察发现，硅表面银团簇的存在对随后氧的吸附状态具有明显的影响．这些结果为解释纳米银团簇在SiO2表面具有独特的催化性能提供了依据．     

Controlled Growth of Zn-Polar ZnO Films on Al-Terminated α-Al2O3(0001) Surface by Using Wurtzite MgO Buffer

The controlled growth of Zn-polar ZnO fihns on Al-terminated α-Al203 （0001） substrates is investigated by the radio-frequency plasma-assisted molecular beam epitaxy method. Prior to the growth, α-Al2O3 （0001） surface is modified by an ultrathin MgO layer, which serves as a uniform template for epitaxy of Zn-polar ZnO films. The microstructures of ZnO/MgO/Al2O3 interface are investigated by in-situ reflection high-energy electron diffraction observations and ex-situ high-resolution transmission electron microscopy characterization. It is found that under Mg-rich condition, the achievement of the wurtzite MgO ultrathin layer plays a key role in the subsequent growth of Zn-polar ZnO. An interracial atomic model is proposed to explain the mechanism of polarity selection of both MgO and ZnO films.     

拓扑绝缘体简介

拓扑绝缘体是最近几年发现的一种全新的物质形态,由于其独特的能带结构,具有零质量的狄拉克费米子及其相关的奇妙物理特性,近些年来引起了人们的广泛关注.同时,它还展现出在自旋电子学和量子计算等领域巨大的应用前景.     

Direct Observation of High-Temperature Superconductivity in One-Unit-Cell FeSe Films

We prepared one-unit-ceil （1-UC） thick FeSe films on insulating SrTiOa substrates with non-superconducting FeTe protection layers by molecular beam epitaxy for ex situ studies. By direct transport and magnetic measurements, we provide definitive evidence for high temperature superconductivity in the 1-UC FeSe films with an onset Tc above 40 K and an extremely large critical current density fie Jc-1.7× 106 A/cm2 at 2K, which are much higher than Tc-8K and Jc-104 A/cm^2 for bulk FeSe, respectively. Our work may pave the way to enhancing and tailoring superconductivity by interface engineering.