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11.
抛物型方程的一种高精度区域分解有限差分算法 总被引:1,自引:0,他引:1
1引言 近年来,区域分解算法以可以将大型问题分解为一系列小型问题以减少计算规模及算法可高度并行实现等特点受到了人们的广泛关注.前人也做了很多很好的工作:参考文献[1]中C.N.Dawson等人提出了显一隐格式的区域分解算法,在时间层不分层的内边界点采用大步长向前-中心差分显格式及在内点采用古典隐格式,取得的精度为O(△t+h2+H3).参考文献[2]中给出了[1]中区域分解算法对于内边界点为等距分布的多子区域时的新的误差估计,使含H3误差项的系数比[1]中缩小了一倍.还将采用大步长日的saul'yev的非对称差分格式应用于内边界点,并给出了两个子区域和多个子区域情形下差分解的先验误差估计. 相似文献
12.
云南美登木内生真菌Phomopsis sp. Lz42的化学成分 总被引:2,自引:0,他引:2
从云南美登木内生真菌Phomopsis species Lz42的琼脂平板发酵物中分离得到2个倍半萜和5个麦角甾醇类化合物(1~7), 其中化合物1和2为新化合物. 应用波谱技术确定其结构为4-Deacetyl-10-oxo-dihydrobotrydial(1)和麦角甾-6,22-二烯-5α,8α-环二氧-3-甲酸酯(2). 相似文献
13.
14.
N-芳基-马来酰亚胺与α-氯代-1’,2'-二-O-环己叉二氧乙基甲醛肟在三乙胺的作用下通过1,3-偶极环加成合成了10个新型3-(1’,2'-二-O-环己叉二氧乙基)-5-芳基-3a,6a-二氢-4,6-二氧代氮杂茂并[3’,4'-d]异噁唑衍生物,其结构经^1H NMR,IR和元素分析表征。 相似文献
15.
钙钛矿太阳能电池作为第3代新概念太阳能电池,具有高光电转换效率、低成本和可柔性加工等优点,近年来发展迅速,其光电转换效率从一开始的3.8%增长到近期的25.5%,逐渐比肩硅电池,已接近商业化应用水平。目前,实现钙钛矿太阳能电池产业应用的关键环节在于电池封装,它不仅可以解决钙钛矿光伏器件稳定性问题,还可以实现电池安全、环保和延长使用寿命等要求。结合近十几年来钙钛矿光伏电池封装材料和封装工艺两方面的发展现状,文中介绍了钙钛矿电池封装领域取得的成果和存在的不足,讨论了目前现有封装技术的优缺点,以及它们适用的不同器件类型。着重在不同温度湿度条件下,比较了不同封装材料性能、封装工艺条件对钙钛矿电池效率及稳定性的影响,归纳出影响钙钛矿电池薄膜封装效果的3个关键因素: 聚合物的弹性模量、水蒸气透过率、加工温度。比较了不同聚合物薄膜封装材料适宜的加工温度、优缺点及加工成本。可以看出,随着钙钛矿光伏电池工业化需求的强烈增长和人们对其封装材料研究的不断深入,研究适合大面积生产和光伏建筑一体化的新型功能聚合物封装材料将是必然趋势。 相似文献
16.
设计开发绿色、可持续的生物质资源高效转化制化学品催化过程具有重要的科学与应用研究价值.生物质基平台分子糠醛在分子氧存在下与甲醇发生氧化酯化,提供了一条糠酸甲酯的"非石油基"合成新路线.该反应采用贵金属/非贵金属催化体系,目前通常需要引入K2CO3或CH3ONa等碱性添加剂,以提高催化氧化酯化反应活性和选择性;但是存在活性组分流失、生成副产物及污染环境等问题,阻碍了其进一步应用.探索高性能非贵金属催化剂,实现无碱条件下糠醛高效氧化酯化,对于提高该生物质路线竞争力与推动工业化进程具有重要意义. 相似文献
17.
18.
为研究光纤弯曲对干涉式光纤陀螺性能的影响,选取常用的单模光纤、保偏光纤、光子晶体光纤及保偏光子晶体光纤为研究对象,建立了光纤弯曲与光纤陀螺性能的相关理论模型。以高精度光纤陀螺应用为背景,选取掺铒超荧光光纤光源,改变光纤弯曲半径,测出了经过光纤样品后的光功率、平均波长、光谱宽度的变化和平均波长波动,在此基础上分析了弯曲半径对光纤陀螺标度因数和随机游走系数的影响。理论分析和实验结果表明,采用光子晶体光纤时,光纤弯曲对光纤陀螺性能几乎没有影响,采用其他光纤时,需要严格控制光路中的光纤弯曲半径。 相似文献
19.
20.
GaN thin films grown on sapphire substrates by metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) are successfully bonded and transferred onto Si receptor substrates using fusion bonding and laser lift-off (LLO) technique. GaN/Al_2O_3 structures are joined to Si substrates by pressure bonding Ti/Au coated GaN surface onto Ti/Au coated Si receptor substrates at the temperature of 400℃. KrF excimer laser with 400-mJ/cm~2 energy density, 248-nm wavelength, and 30-ns pulse width is used to irradiate the wafer through the transparent sapphire substrates and separate GaN films from sapphire. Cross-section scanning electron microscopy (SEM) combined with energy dispersive X-ray spectrometer (EDS) measurements show that Au/Si solid solution is formed during bonding process. Atomic force microscopy (AFM) and photoluminescence (PL) measurements show that the qualities of GaN films on Si substrates degrade little after substrates transfer. 相似文献