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A tunable infrared plasmonic polarization filter is proposed and investigated in this paper. The filter is based on the sandwich absorption structure which consists of three layers. The top layer is an array of asymmetrical cross resonator.The middle and bottom layers are dielectric spacer and metal film respectively. By absorbing specific wavelength of the incident light perfectly, the reflection spectrum of the structure shows filter performance. The calculated results show that the absorption wavelength is strongly dependent on the length of branch of the asymmetrical cross resonator which is parallel to the light polarization and independent of the length of the vertical one. Therefore, the asymmetrical cross resonator filter structure opens the way for freely tuning the filtering wavelength for a different light polarization. We can fix a resonant wavelength(absorption wavelength) corresponding to one polarization and change the resonant wavelength for the other polarization by adjusting the corresponding branch length of the asymmetrical cross resonator, or change the two resonant wavelengths of both two polarizations at the same time. 相似文献
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本文分析了航天摄影相机的指向摆镜统二轴摆动时的成家关系,讨论了摆镜引起的象倾斜及象倾斜角与摆镜摆角的关系,并论述了象倾斜的校正方法;本文还讨论了摆镜对地面的扫描轨迹和覆盖范围. 相似文献
16.
本文对星载光学系统遮光罩消杂光结构的优化设计做了初步探讨。提出了遮光罩和挡光环消杂光设计的基本原则。给出了一种二级遮光罩结构寸的优化设计方法和一种遮光罩内壁上挡光环位置优化设计方法,并对一级和二级遮光罩进行了初步的分析比较。 相似文献
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<正>A 128×128 elements cylindrical liquid crystal(LC) lens array with electrically controllable focal length is proposed.The cylindrical LC lens array uses transparent indium tin oxide(ITO) films as electrode,avoiding to affect the optical path operating in the voltage-off status.As the top electrode of the cylindrical LC lens array contacts with LC,the operation voltage root-mean-square(RMS) amplitude can be as low as 1.4 V and the response time is about 20-30 ms.The special optical focusing feature of the cylindrical LC lens array is got.And the focal length of this array is about 60-450μm. 相似文献
18.
利用直流磁控共溅射方法制备了GaN:Er薄膜.X射线衍射结果显示薄膜为纳米多晶结构,根据谢乐公式,计算得到了GaN薄膜晶粒的平均大小为5.8nm;透射电子显微镜结果显示为非晶基质中镶嵌了GaN纳米颗粒,尺寸在6-8nm之间;紫外可见谱结果表明在500-700nm的可见光范围内,薄膜的平均透过率大于80%,在紫外可见谱基础上,利用Tauc公式计算得到了纳米晶GaN薄膜的光学带隙为3.22eV;最后,测量了GaN:Er薄膜的室温光致发光谱,获得了Er3 离子在554nm处的强烈绿光发射. 相似文献
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采用射频反应溅射法在玻璃衬底上制备Zn3N2薄膜,然后向真空室中通入纯氧气进行热氧化制备ZnO薄膜.利用X射线衍射、扫描电子显微镜、霍尔效应测量、透射光谱和光致发光光谱等表征技术,研究了氧化温度和氧化时间对ZnO薄膜的结晶质量、电学性质和光学性能的影响.研究结果显示,450 ℃ 下氧化2 h后的样品中除含有ZnO外,还有Zn3N2成分,500 ℃下氧化2 h可以制备出电阻率为0.7 Ωcm,空穴载流子浓度为10关键词:
p型ZnO薄膜
3N2薄膜')" href="#">Zn3N2薄膜
射频溅射
原位氧化 相似文献
20.
采用射频反应溅射法在玻璃衬底上制备Zn3N2薄膜,然后向真空室中通入纯氧气进行热氧化制备ZnO薄膜.利用X射线衍射、扫描电子显微镜、霍尔效应测量、透射光谱和光致发光光谱等表征技术,研究了氧化温度和氧化时间对ZnO薄膜的结晶质量、电学性质和光学性能的影响.研究结果显示,450℃下氧化2h后的样品中除含有ZnO外,还有Zn3N2成分,500℃下氧化2h可以制备出电阻率为0.7Ωcm,空穴载流子浓度为1017cm-3,空穴迁移率为0.9cm2/Vs的具有c轴择优取向的p型ZnO薄膜.此时的ZnO薄膜具有良好的光学特性,紫外可见光范围内透过率为85%,处于紫外区域的激子复合产生的发光峰很强,且半高宽较窄,而处于可见光部分来自于深能级发射的绿色发光峰很弱.这种工艺制备的ZnO薄膜质量较好,有利于实现在短波长光电器件方面的应用. 相似文献