192创设富有探究性的变式系列--习题课"有理数的乘方"教学片段实录

[主持人按 "变式教学与重视‘双基'被认为是我国数学教学的特点及应保留的传统.其中组织好变式问题,进行有效的变式教学,既是实施探究性学习的重要途径,又是让探究性学习与提高通常意义下的教学质量有机结合的一个亮点."(张奠宙语)     

一硼化铪的晶体结构预测与构效关系基因

利用基于进化算法的晶体结构预测软件USPEX,并结合第一性原理方法对HfB的稳定晶体结构进行全局搜索。在基态条件下,新发现2个HfB晶体结构（空间群：P6m2和R3m）。其中,P6m2结构比已报道的HfB晶体结构（空间群：Pnma、Cmcm、I4₁/amd和Fm3m）具有更低的基态能量。这些结构中,B原子分别以二维类石墨烯（P6m2和R3m结构）,zig-zag链（Pnma、Cmcm和4₁/amd结构）和孤立原子（Fm3m结构）₃种形式存在,从而导致它们具有显著的化学键合特征、高温稳定性和强韧特性差异。     

Hf-C体系的高压结构预测及电子性质第一性原理模拟

本论文中, 采用晶体结构预测软件USPEX结合第一性原理方法全面地搜索了Hf-C体系在高压下的晶体结构, 预测得到了两种新的化合物及HfC在高压下的相变路径. 压力低于100 GPa 时, 除了常压下的结构HfC, Hf₃C₂, Hf₆C₅, 并没有得到新的热力学稳定结构. 在200 GPa时, 预测得到了一种新化合物——Hf₂C, 空间群为I4/m; 且HfC的结构发生了相变, 空间群由Fm3m变为C2/m. 在300 GPa时, 预测得到了另一种新化合物——HfC₂, 空间群为Immm. 而在400 GPa时, HfC的结构再次发生相变, 空间群为Pnma. 通过能量计算, 得到了Hf-C体系的组分-压力相图: 在压力分别低于15.5 GPa和37.7 GPa时, Hf₃C₂和Hf₆C₅是稳定的; 压力分别大于102.5 GPa和215.5 GPa时, Hf₂C和HfC₂变成稳定化合物; HfC的相变路径为Fm3m→C2/m→Pnma, 相变压力分别为185.5 GPa 和322 GPa. 经结构优化后, 得到了这四种高压新结构的晶体学数据, 如晶格常数、原子位置等, 并分析了其结构特点. 对于Hf-C 体系中的高压热力学稳定结构, 分别计算了其弹性性质和声子谱曲线, 证明是力学稳定和晶格动力学稳定的. 采用第一性原理软件VASP模拟高压结构的能带结构、态密度、电子局域函数和Bader 电荷分析, 发现HfC(C2/m, Pnma结构), Hf₂C 和HfC₂ 中Hf-C 键具有强共价性、弱金属性和离子性, 且C-C 间存在共价作用.     

169 变式 探究 创新--《相似三角形》教学片段实录

(本专栏特邀过伯祥老师主持,来稿请寄:316000 浙江省定海昌东新村21-58-102) [主持人按 这是全国优秀课评比的一堂得奖课的教学片段实录.     

新课程数学建模教学探讨——探究极值一例

各种数学概念、公式、法则、定理、推论等等,都是一些具体的数学模型,《数学课程标准》指出:数学教学活动不仅要考虑数学自身的特点,更要遵循学生学习数学的心理规律,强调从学生已有的生活经验出发,让学生亲自经历实际问题抽象成数学模型并进行解释与应用的过程,并倡导“问题情     

滚动中的玄机

让周长为a的圆沿着周长为na(n为正整数)的任意凸多边形的外缘滚动一周,则圆自转(n 1)圈.     

TECTONIC SUPERIMPOSITION AND METALLOGENIC SUPERIMPOSITION

This paper deals preliminarily with a problem on the relationship between tectonic super-imposition and metallogenic superimposition from a viewpoint of the proposed "tectonicmetallogeny", and explains the mechanism of formation of mineral deposits and the regularityof their occurrence by the combination of intrinsic factors and external conditions.     

碳化硅表面氢气吸附机理研究

在CVD沉积SiC过程中，载气体H2与沉积SiC基体表面的反应影响沉积速率和沉积产物品质，因此研究这些微观反应机理具有十分重要的科学意义和工程价值。本文基于第一性原理研究了H2在3C-SiC(111)（硅原子暴露面）和3C-SiC(-1-1-1)（碳原子暴露面）面的吸附位置、吸附能、电子结构和覆盖率等吸附情况。发现H2倾向于吸附在3C-SiC(111)面，H原子的最稳定吸附位为OT位（顶位）且属于化学吸附。H2在吸附时会自发解离为两个H原子，以双顶位形式吸附在两个相邻的Si原子上。该过程中基体表面Si原子的电子向H偏移，此时两者的主要相互作用源于Si原子的p轨道和H的s轨道的重叠杂化。通过计算氢气在表面的覆盖率，发现吸附能随着覆盖率的增大而增大，在低H覆盖率(θH≤4/9 ML)下，H原子之间存在着较强的吸引力，随着H覆盖率的增加(θH＞4/9 ML)，H原子之间排斥力逐渐增大，吸附能增加趋缓，整体结构更加稳定。