通用二维半导体器件模拟软件的设计

介绍自行研制的通用二维半导体器件模拟软件CSS,该软件的求解器同时实现了漂移扩散模型和流体动力学模型,可对多种材料、不同结构的器件进行稳态和瞬态计算.作为算例,应用该软件对NPN三极管和MESFET管进行了数值模拟,给出了Ⅳ曲线、电子密度分布和温度变化等.     

I型裂纹虚拟裂纹闭合法的误差分析及修正

对虚拟裂纹闭合法的误差来源进行了分析。依据Griffith的椭圆裂纹近似理论,针对虚拟裂纹闭合法的位移相等假设,提出了一种修正方法。用有限元程序计算了二维I型裂纹的扩展问题,并与理论近似解做了比较。计算结果表明,修正以后可以得到更好的精度,在裂纹长度较短时,修正效果更好。     

碳化硅表面氢气吸附机理研究

在CVD沉积SiC过程中，载气体H2与沉积SiC基体表面的反应影响沉积速率和沉积产物品质，因此研究这些微观反应机理具有十分重要的科学意义和工程价值。本文基于第一性原理研究了H2在3C-SiC(111)（硅原子暴露面）和3C-SiC(-1-1-1)（碳原子暴露面）面的吸附位置、吸附能、电子结构和覆盖率等吸附情况。发现H2倾向于吸附在3C-SiC(111)面，H原子的最稳定吸附位为OT位（顶位）且属于化学吸附。H2在吸附时会自发解离为两个H原子，以双顶位形式吸附在两个相邻的Si原子上。该过程中基体表面Si原子的电子向H偏移，此时两者的主要相互作用源于Si原子的p轨道和H的s轨道的重叠杂化。通过计算氢气在表面的覆盖率，发现吸附能随着覆盖率的增大而增大，在低H覆盖率(θH≤4/9 ML)下，H原子之间存在着较强的吸引力，随着H覆盖率的增加(θH＞4/9 ML)，H原子之间排斥力逐渐增大，吸附能增加趋缓，整体结构更加稳定。