NiSi2化合物的电子结构

采用自洽LMTO方法,计算了NiSi₂化合物的电子结构。所得结果与ARUPS光电子谱结果以及LAPW等计算结果符合得相当好。在NiSi₂化合物中Ni3p芯能级移动是与镍原子的电子组态变化有关;镍的3d电子减少导致对镍的3p电子屏蔽作用减弱。计算结果表明离子性对化学键贡献很小。 关键词：     

GaAs1-xPx(110)清洁表面结构和电子态的研究

本文用有限集团的EHT方法研究了GaAs_1-xP_x(110)清洁表面的弛豫和电子态。出现三元合金的表面旋转弛豫角约为26°左右;当X≥0.25时,在禁带中靠近导带底处有空的本征表面态存在。 关键词：     

GaAs_(1-x)P_x(110)清洁表面结构和电子态的研究

本文用有限集团的EHT方法研究了GaAs_(1-x)P_x(110)清洁表面的弛豫和电子态。出现三元合金的表面旋转弛豫角约为26°左右;当X≥0.25时,在禁带中靠近导带底处有空的本征表面态存在。     

GaAs(110)面的紧束缚计算

本文研究了GaAs(110)弛豫表面的紧束缚计算,采用了有饱和的slab(薄片)模型,来模拟半无限大的晶体。通常的slab模型有两个表面,本模型与其不同之处在于用类As和类Ga原子来饱和伸向体内的悬挂键,使之只保留一个表面,从而大大降低久期矩阵的阶数。从计算的表面定域态密度表明,采用五层的有饱和的Slab模型,就可以得到较好的结果。 关键词：     

NiSi_2化合物的电子结构

采用自洽LMTO方法,计算了NiSi_2化合物的电子结构。所得结果与ARUPS光电子谱结果以及LAPW等计算结果符合得相当好。在NiSi_2化合物中Ni 3p芯能级移动是与镍原子的电子组态变化有关;镍的3d电子减少导致对镍的3p电子屏蔽作用减弱。计算结果表明离子性对化学键贡献很小。     

CdTe的能带与光学特性的研究

报道用正交化线性组合原子轨道(OLCAO)方法计算的CdTe的能带结构,结果与线性缀加平面波(LAPW),线性丸盒轨道-原子球近似(LMTO-ASA)以及非局域化经验赝势(NL-EPM)所得的结果相近。同时还叙述与CdTe的光学特性有关的一些物理量的计算结果,它们是介电函数虚部∈₂(ω),高频电导率虚部σ₁(ω)以及反射率谱R(ω)。 关键词：     

CoSi_2的能带结构

本文报道用自洽LMTO方法算得CoSi_2化合物的能带结构及状态密度。计算所得状态密度峰值位置与同步辐射光电子谱相应峰值位置很好地符合。计算结果表明:在CoSi_2及NiSi_2中,仍然是过渡金属原子的3d轨道与Si原子的3p轨道间的杂化成键决定它们的电子结构。Si原子并不保持像块状硅中的sp~3型杂化。     

CoSi2的能带结构

本文报道用自洽LMTO方法算得CoSi₂化合物的能带结构及状态密度。计算所得状态密度峰值位置与同步辐射光电子谱相应峰值位置很好地符合。计算结果表明:在CoSi₂及NiSi₂中,仍然是过渡金属原子的3d轨道与Si原子的3p轨道间的杂化成键决定它们的电子结构。Si原子并不保持像块状硅中的sp³型杂化。 关键词：     

H原子在Al(111)和Ag(111)面上的吸附

本文用电荷自洽的EHT方法,研究了H原子在Al(111)和Ag(111)面上的吸附,结果指出:在Al(111)面上,H以原子状态吸附在某些对称位置上,它也能渗透到表面层中去,成为填隙原子;H₂分子在表面处发生解离吸附。在Ag(111)表面上,H原子有可能以分子状态吸附,H—H键平行于表面,这与高分辨率电子能量损失谱所得到的实验结果一致;但H₂分子在Ag(111)表面也可能发生解离吸附。 关键词：     

金属铝在半导体表面的吸附

本文采用集团模型,用自洽的EHT方法计算金属Al在Si(111)和GaAs(110)面上吸附的稳定的几何构型和电子态,结果表明,Al在Si(111)面的三度开位上的离子吸附比顶位的共价吸附更稳定,态密度与实验符合也更好,Al吸附在GaAs(110)面上,将取代表面Ga原子,形成AlAs,此时GaAs(110)面将恢复到不弛豫的理想位置。 关键词：