二维移相光栅光强分布的计算及在制备有序纳米硅阵列中的应用

从菲涅耳衍射积分的一般形式出发,结合二维（2D）移相光栅掩模(PSGM)的具体参数,通过数值计算得到了作用于样品表面的光强分布.实验上,采用激光干涉晶化的方法,利用周期为400 nm的2D-PSGM调制KrF准分子激光器的脉冲激光束斑的能量分布,在氢化非晶硅（a-Si:H）薄膜上直接制备了2D的有序纳米硅（nc-Si）阵列.测试结果表明：2D的nc-Si阵列的周期和PSGM的相一致,晶化区域与理论模拟的结果符合得很好. 关键词： 纳米硅 激光干涉晶化 移相光栅 菲涅耳衍射     

Temperature and strain sensitivities of surface and hybrid acoustic wave Brillouin scattering in optical microfibers

Temperature and strain sensitivities of surface acoustic wave (SAW) and hybrid acoustic wave (HAW) Brillouin scattering (BS) in 1 μm-1.3 μm diameter optical microfibers are simulated. In contrast to stimulated Brillouin scattering (SBS) from bulk acoustic wave in standard optical fiber, SAW and HAW BS, due to SAWs and HAWs induced by the coupling of longitudinal and shear waves and propagating along the surface and core of microfiber respectively, facilitate innovative detection in optical microfibers sensing. The highest temperature and strain sensitivities of the hybrid acoustic modes (HAMs) are 1.082 MHz/℃ and 0.0289 MHz/με, respectively, which is suitable for microfiber sensing application of high temperature and strain resolutions. Meanwhile, the temperature and strain sensitivities of the SAMs are less affected by fiber diameter changes, ranging from 0.05 MHz/℃/μ to 0.25 MHz/℃/μ and 1×10^-4 MHz/με/μ to 5×10^-4 MHz/με/μ, respectively. It can be found that that SAW BS for temperature and strain sensing would put less stress on manufacturing constraints for optical microfibers. Besides, the simultaneous sensing of temperature and strain can be realized by SAW and HAW BS, with temperature and strain errors as low as 0.30 ℃-0.34 ℃ and 14.47 με-16.25 με.     

9,9-二-(3-丙基酰胺-2-甲基丙磺酸)芴共聚物的合成及荧光发光性能

利用迈克尔加成反应合成了2,7-二溴-9,9-二-(3-丙基酰胺-2-甲基丙磺酸)芴(FSO3H),并通过Suzuki偶合反应制备了9,9-二-(3-丙基酰胺-2-甲基丙磺酸)芴-9,9-二己基芴共聚物(PF6SO3H)和9,9-二-(3-丙基酰胺-2-甲基丙磺酸)芴-4,4'-联苯共聚物(PFDBSO3H)。通过核磁共振氢谱(1H NMR)、凝胶渗透色谱(GPC)、紫外-可见吸收光谱对聚合物的结构进行了表征,利用荧光发射光谱对聚合物在各种条件下的荧光发光性能进行了研究。结果表明,上述两种磺酸型聚芴已被成功合成,这些聚合物具有较高的分子量并能够很好地溶于甲醇和水/醇混合溶剂中。荧光发光光谱研究表明:溶剂的极性、溶液的浓度和p H值、溶液中的金属离子都对磺酸型聚芴的发光性能有很大的影响。荧光发射光谱随着溶剂极性的增加逐渐红移。荧光强度随着溶液浓度的增加先增加后降低。当溶液p H从1增加到7.5时,荧光强度逐渐增加;当p H从7.5增加到12.5时,荧光强度降低直至猝灭。离子猝灭剂Mv+、Ag+、K+、Na+和Li+等对两种聚合物具有明显的猝灭效应,且对PF6SO3H的猝灭效应比对PFDBSO3H更强,这与磺酸型聚芴分子的刚性及离子的相互作用有关。     

纽结多项式和整系数多项式

基于纽结多项式性质研究了整系数多项式及其性质,讨论了常系数项为0的6次和7次整系数多项式和纽结多项式的关系,给出了整系数多项式是纽结多项式的充分必要条件,进而给出了整系数多项式是交错纽结的多项式的充分必要条件.根据这些性质进一步给出了某些纽结的Arf不变量的性质.     

导电聚合物PEDOT:PSS-APEG水分散体的制备及性能研究

以烯丙基聚乙二醇(APEG)、苯乙烯磺酸钠(SSNa)为原料,过硫酸铵[(NH4)2S2O8]为引发剂,蒸馏水为溶剂,通过自由基聚合制得PSS-APEG共聚物;再以PSS-APEG为模板和掺杂剂,3,4-二氧乙烯噻吩(EDOT)为单体,过硫酸铵为氧化剂,硫酸铁[Fe2(SO4)3]为催化剂,蒸馏水为溶剂,通过化学氧化法制得PEDOT:PSS-APEG水分散体。通过核磁(1H-NMR)对合成的PSS-APEG共聚物进行表征和分析。采用气相色谱仪(GC)、纳米激光粒度测试仪、紫外光谱仪(UV)、热重分析仪(TGA)、双电测四探针等对PEDOT:PSS-APEG水分散体的性能进行研究。结果表明,在不影响PEDOT:PSS薄膜透明性的条件下,当PSS-APEG与EDOT的质量比大于3时,APEG的引入可使得PEDOT:PSS薄膜的方块电阻明显减小,即导电率得到较大提高。     

Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ族半导体纳米晶:合成,性质及应用（英文）

半导体纳米晶具有独特的量子限域效应以及新颖的尺寸和形貌依赖特性,已被证实是在低成本高性能光伏器件、光致及电致发光二极管、生物成像、光催化等领域非常具有潜力的新型材料.其中,II-VI族与I-III-VI族半导体纳米晶由于其优异的性能在过去的数十年中引起了广泛的关注.过去数十年对于II-VI族半导体纳米晶的研究已经十分成熟,然而几乎所有的传统II-VI族半导体纳米晶都含有对环境有害的元素,对人体和环境造成不可逆转的伤害,从而限制了II-VI族半导体纳米晶的进一步应用.与二元II-VI族纳米晶相比,大部分三元I-III-VI族纳米晶不含镉和铅等重金属元素,因而具有低毒性的特点,并且其带隙窄、吸光收系数大、斯托克斯位移大、自吸收小以及发光波长在近红外区,所以有望使其成为新一代荧光纳米晶材料.例如,CuInS_2的带隙为1.53 eV,与太阳光谱匹配且其吸光系数较大,在10.5cm.~1左右,从而使其成为制备太阳能电池的一种优秀材料.另一方面,I-III-VI族纳米晶在可见光和近红外范围内呈现与尺寸相关的发光,它们的荧光量子产率在包覆ZnS壳后可超过50%,因而在照明,显示和生物成像领域具广泛应用的潜力.水溶性的I-III-VI族量子点粒径尺寸可以小于10 nm,可以减小纳米颗粒通过肾清除的淘汰率,并且具有高荧光性能和耐光性的特点,因此成为进行生物成像工作的优秀材料.与此同时,I-III-VI族纳米晶在光催化领域也展现了巨大的发展前景.本综述主要关注I-III-VI族纳米晶的合成,性质及应用.首先,我们概述了不同的化学合成方法,并列举讨论了一些经典的工作,根据纳米晶的种类分类统计了主要合成方法、形貌及尺寸.第二部分,我们讨论了它们的光物理和电子特性,解释了纳米晶的"donor-acceptor pair"(DAP)结合机理,概述了I-III-VI族纳米晶的磁光现象.接下来,我们概述了I-III-VI族纳米晶主要的应用领域,着重总结了在太阳能电池领域、半导体发光二极管领域、生物成像领域以及光催化制氢领域的研究进展.最后,我们会讨论半导体纳米晶的应用前景,以及它的机遇和挑战.     

微纳米VO2膜层高温相变原位X射线衍射测试方法研究

通过设计、自制加热样品台结合商业X射线衍射仪的小角掠入射衍射模式,开发了微纳米膜层的原位高温相变测试方法,解决了样品表面微纳米膜层材料（厚度 < 10 μm）的高温相变难以原位测量的问题.研究了样品台与膜层表面的温度分布特征,验证了自制加热样品台的控温效果,原位测试了不同温度下二氧化钒（VO₂）膜层的X射线衍射图谱,揭示了VO₂膜层的高温相变行为.     

考虑接缝传荷的文克勒地基上矩形薄板的级数解

应用双重正弦级数展开的方法,推演得到了文克勒地基上计入两块矩形板间接缝传荷效应的级数解。假设接缝传递剪力与板间挠度差成正比、传递弯矩与板间转角差成正比,进而分析了单轮和单轴荷载作用在纵缝边缘中部时,接缝传荷效应对板边最大挠度和最大应力的影响规律;通过引入接缝传荷效应系数和接缝极限传荷的两个挠度比及两个应力比,建立了计入接缝传荷效应的板边最大挠度和最大应力的一般式,总结了不同板尺寸、荷载面积尺寸和类型及板材料泊松比对四个接缝影响系数和四个接缝极限传荷的挠度比及应力比的影响规律。结果表明:不同荷载面积下,受荷板接缝边缘最大挠度、最大应力均随弯矩或剪力传荷刚度系数的增大而减小,且应力的变化幅度相较挠度要小。影响系数fV^w(ξV)、fM^w(ξM)、fM^σ(ξM)与荷载圆相对半径(a/l)、相对板长(L/l)和相对板宽(B/l)无关,且单轮荷载与双轮荷载规律相同;而影响系数fV^σ(ξV)与荷载圆相对半径(a/l)有关,与相对板长(L/l)和相对板宽(B/l)无关;挠度比λV^w与荷载圆相对半径、板尺寸(L/l,B/l)及泊松比v无关,恒等于0.5,而λM^w、λV^σ、λM^σ均与荷载相对半径(a/l)、板尺寸(L/l,B/l)及泊松比v有关,且影响因素中荷载面积尺寸的影响最为显著。     

三重复式交叉传爆网路的可靠性计算

本文运用齐次马尔可夫过程理论，计算出三重复式交叉传爆网路的可靠度。     

计算接力式爆破网路可靠性的一种方法

通过引入状态向量、最小路集，建立结构函数，对两个常用的接力式爆破网路的可靠性进行计算（为网路的设计和提高网路的可靠性提供了一种有效的计算方法。