负载型Au-Ni合金催化剂应用于芳香硝基化合物选择加氢反应

采用改进的两步还原法制备了SiO2负载的Au-Ni合金催化剂,催化剂中Au-Ni纳米颗粒高度分散于SiO2载体表面. Au-Ni合金催化剂在温和条件下芳香硝基化合物选择加氢反应中表现出比两种单金属催化剂更高的活性和选择性,体现出Au-Ni之间明显的协同作用.其中AuNi3/SiO2催化剂具有最好的性能,反应70 min,转化率和选择性分别达到90.8%和93.0%.     

Notes on Noncommutative VNL-rings and GVNL-rings

In this note, a counterexample is given to show that a noncommutative VNL-ring need not be an SVNL-ring, answering an open question of Chen and Tong （Glasgow Math. J., 48（1）（2006）） negatively. Moreover, some new results about VNL-rings and GVNL-ringsare also given.     

相移干涉计量中相移器的同光路自动标定

基于相移干涉计量的基本原理，提出用相移ＥＳＰＩ光场的空间平均方法计算相位，不仅可实现相移干涉计量中相移器的同光路自动标定，而且还可以得到测量光场及所用相移器的计量特性．最后，将该标定方法所得相位值与等间距条纹相位标定值进行了比较，得到两者相对误差在可用电压区域内小于３％．     

GexSi1-x/Si超晶格的俄歇深度剖面分析

用氩离子刻蚀和俄歇电子能谱测量Ge_xSi_1-x/Si应变层超晶格的成分深度分布,得到Ge,Si两种成分随深度的周期性变化,在二次电子象中观察到刻蚀坑边缘的明暗交替的周期性结构。讨论了用俄歇深度剖面分布作超晶格结构分析的特点及其局限性。 关键词：     

工作角度对燃料电池性能影响的实验研究

工作角度对燃料电池内气体与水分的流动与分布产生影响进而影响电池性能.本文通过实验的方法研究了在氧气的不同流动方向工作下工作角度对电池的性能的影响.通过分析比较,得出不同条件下电池的最佳和最差工作模式.     

超高效液相色谱-大气压化学电离-三重四极杆质谱法同时测定保健食品中14种性激素类药物

建立了超高效液相色谱-大气压化学电离-三重四极杆质谱（UPLC-APCI-MS/MS）测定保健食品中14种性激素类药物的方法。样品用乙腈提取2次，再用HLB固相萃取柱净化处理。采用Hypersil Gold C18色谱柱（100 mm×2.1 mm，1.9 μm）分离，以乙腈-10 mmol/L乙酸铵溶液为流动相进行梯度洗脱，采用APCI-三重四极杆质谱检测，外标法定量。结果表明，14种性激素类药物在各自范围内线性关系良好，相关系数（r）≥0.996，检出限为0.0990~2.09 μg/kg，定量限为0.495~5.23 μg/kg；在低、中、高3个水平下的平均加标回收率为65.8%~118.8%，精密度为0.6%~8.7%（n=6）。该方法前处理简单，灵敏度高，回收率良好，适用于保健食品中性激素类非法添加物的定量测定。     

铝对氮化钼膜电极性能的影响

氮化钼电极;铝对氮化钼膜电极性能的影响;比电容;电化学;循环伏安法;添加剂;电化学性能     

基于Matlab和BP神经网络的爆破振动预测系统

爆破振动预测是一个复杂的非线性问题,可应用非线性功能强大的BP神经网络技术来解决,但由于其数值计算量大、可操作性不强等特点,在实际工程中应用困难。为了解决该问题,本文中将Matlab程序的强大计算能力与VB的友好界面相结合,利用ActiveX自动化技术和BP神经网络算法,开发得到爆破振速峰值预测系统。该预测系统可根据各工程实际情况选取影响爆破振动的主要因素作为输入参数,以预测爆破振速峰值。通过在北京市昌平线暗挖区间隧道工程中的应用表明:该预测系统在实际工程中使用方便,操作简单,预测精度高,人机交互界面友好。     

锗硅异质结构的分子束外延生长和特性研究

 如果你有机会到复旦大学应用表面物理国家重点实验室来参观,走进分子束外延组,隔着宽敞的玻璃窗,你将看到一台大型实验设备.中间是三个大小不等、银光闪闪的超高真空腔体,上边接满了一根根电缆线,还有液氮管道、冷却水管、压缩空气管,一眼望去真有点叫人眼花缭乱;四周是几只高大的机柜,安装着一台台精密电子仪器.这就是我国第一台锗硅分子束外延设备,已经在这里服役六年多,状态良好,至今仍是国内唯一投入运行的IV族半导体材料的分子束外延系统,为我国在IV族半导体超晶格量子阱的某些研究领域保持世界先进水平立下汗马功劳.     

用氢钝化Si（100）面抑制分子束外延界面的硼尖峰

采用一种新的简便的氢钝化方法，可以在Ｓｉ（１００）衬底表面获得稳定的钝化层，用俄歇电子能谱，反射式高能电子衍射，Ｃ－Ｖ和二次离子质谱等方法对衬底表面及其上面生长的分子束处延层进行检测，发现这种方法可以有效地防止衬底表面被碳、氧沾污，降低退火温度至少２００℃，并完全消除处延层与Ｓｉ（１００）衬底界面处的高浓度硼尖峰，在此基础上，结合衬底表面锗束处理的实验结果，对硼尖峰的主要来源是由于硅衬底表面的氧化