快速退火后重掺硼的分子束外延层的电学特性

对快速退火后用共蒸发Ｂ_２Ｏ₃方法实现重掺杂硼的硅分子束外延层的电学特性进行了研究．１１００℃退火可以使得外延层中载流子浓度提高４倍，空穴的霍耳迁移率与相同浓度下硅体材料的水平相当；外延层与衬底之间载流子浓度转变陡峭，获得了晶体质量良好的外延层． 关键词：     

PEMFC的两种三维两相非等温数值计算的对比

采用两相非等温模型,分别针对具有27条流道的全电池和典型单元的稳态工作过程进行了三维数值模拟,并着重对比和分析了2种模型液态水饱和度、相变源项和温度的计算结果.发现在相同计算工况和计算条件下,目前文献中广为采用典型单元模型和全电池模型的模拟结果无论是变化趋势还是变化幅度均存在很大差异,如典型单元模型中液态水饱和度远低于全电池模型的情形.这些差别主要是由于两种模型边界条件的设置所引起的.因此即使在相同的计算条件下目前文献中广为采用的典型单元模型和全电池模型所模拟出的PEMFC过程并不是同一过程.